2. Technology detailsFig. 1a and b

2. Technology details

Fig. 1a and b shows a simplified drawing of the MWT structure studied in this paper. The emitter contact (red) reaches the back side of the cell by a silver-metallized via. In the MWT architecture, the front side contacts reach the cell backside through a series of laser-drilled holes (vias) filled by silver paste. In this way, the front side busbars are removed and all the interconnections of the cells are made on the backside, reducing the front side shadowing and ultimately increasing the cell efficiency. Typically an MWT cell contains 9–200 vias, with diameter ranging from 50 mm to 200mm

[11]; in this work we focused on a structure comprising 16 vias of 200 mm, arranged in a square matrix on the cell [12].

The laser drilling step can be performed in different stages of the cell production flow, resulting in different emitter structures; in particular, depending on the vias being drilled before phos-phorus diffusion or afterwards, we can respectively obtain the emitter layer in the vias walls or not (Fig. 1a and b). This work studies two different emitter structures: in the first one, the emitter is created by ion implantation and the drilling step is

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2. รายละเอียดเทคโนโลยีรูป 1a และ b แสดงตัวย่อและตัวการวาดโครงสร้าง MWT ในเอกสารนี้ ติดต่อลำ (สีแดง) ถึงด้านหลังของเซลล์ โดยเป็น metallized เงินผ่าน ในสถาปัตยกรรม MWT ติดต่อด้านหน้าถึงด้านหลังของเซลล์ผ่านชุดของ filled เลเซอร์เจาะรู (vias) โดยวางเงิน ด้วยวิธีนี้ busbars ด้านหน้าจะถูกเอาออก และทำงานเชื่อมโยงทั้งหมดของเซลล์บนด้านหลัง ด้านหน้าทำแชโดว์ และในที่สุด เพิ่ม efficiency เซลล์ลดลง โดยทั่วไปเซลล์ MWT แบบประกอบด้วย vias 9 – 200 เส้นผ่าศูนย์กลางตั้งแต่ 50 มม.ถึง 200 มม.[11]; ในงานนี้ เราเน้นที่โครงสร้างประกอบด้วย 16 vias 200 มม. ในเมทริกซ์จัตุรัสบนเซลล์ [12]เลเซอร์เจาะขั้นตอนสามารถดำเนินการในระยะต่าง ๆ ของการตัดค่าเสื่อมผลิตเซลล์ ส่งผลให้โครงสร้างลำที่แตกต่างกัน โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ขึ้นอยู่กับ vias ถูกเจาะก่อน phos phorus แพร่ หรือหลังจากนั้น เราตามลำดับได้ชั้นลำในผนัง vias หรือไม่ (รูป 1a และ b) ได้ งานนี้ทำศึกษาโครงสร้างลำที่แตกต่างกันสอง: ในแรกหนึ่ง ลำที่ถูกสร้างขึ้น โดยการฝังไอออน และมีขั้นตอนการเจาะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2. เทคโนโลยีรายละเอียดรูป 1a และ B แสดงภาพวาด Fi เอ็ด Simpli ของโครงสร้าง MWT ศึกษาในบทความนี้ การติดต่ออีซีแอล (สีแดง) ถึงด้านหลังของเซลล์โดยเงิน metallized ผ่าน ในงานสถาปัตยกรรม MWT ที่รายชื่อด้านหน้าถึงด้านหลังมือถือผ่านชุดของหลุมเลเซอร์เจาะ (VIAS) Fi lled โดยวางเงิน ในวิธีนี้บัสบาร์ด้านหน้าจะถูกลบและการเชื่อมโยงทั้งหมดของเซลล์ที่ทำบนหลังลดแชโดว์ด้านหน้าและท้ายที่สุดการเพิ่ม Fi ciency เซลล์ EF โดยปกติเซลล์ MWT มี 9-200 VIAS มีเส้นผ่าศูนย์กลางตั้งแต่ 50 มม 200mm [11]; . ในงานนี้เรามุ่งเน้นโครงสร้างที่ประกอบไปด้วย 16 VIAS 200 มมจัดในตารางเมทริกซ์บนมือถือ [12] ขั้นตอนการขุดเจาะเลเซอร์สามารถดำเนินการในขั้นตอนต่างๆของการผลิตเซลล์ชั้นโอ๊ยผลในโครงสร้างอีซีแอลที่แตกต่างกัน โดยเฉพาะอย่างยิ่งทั้งนี้ขึ้นอยู่กับจุดแวะต่างๆถูกเจาะก่อนที่จะแพร่กระจาย Phos-phorus หรือหลังจากนั้นเราตามลำดับสามารถขอรับชั้นอีซีแอลในผนัง VIAS หรือไม่ (รูป. 1a และ b) งานนี้สองการศึกษาโครงสร้างของอีซีแอลที่แตกต่างกันในแรกหนึ่งอีซีแอลถูกสร้างขึ้นโดยไอออนและขั้นตอนการขุดเจาะเป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2 . รายละเอียดเทคโนโลยีรูปที่ 1A และ B แสดง Simpli จึงเอ็ดวาดโครงสร้าง mwt ศึกษาในงานวิจัยนี้ ตัวส่งสัญญาณติดต่อ ( สีแดง ) ไปถึงด้านหลังของมือถือ โดยเงินโลหะผ่านทาง ใน mwt สถาปัตยกรรม , ด้านหน้าติดต่อถึงห้องขังด้านหลังผ่านชุดของเลเซอร์เจาะหลุม ( Vias ) จึงฆ่า โดยวางเงิน ในวิธีนี้ ด้านหน้า busbars จะถูกลบออกและทั้งหมดเชื่อมต่อของเซลล์เกิดขึ้นด้านหลัง ลดด้านหน้าเงาและในที่สุดเพิ่มประสิทธิภาพเซลล์ EF จึง . โดยปกติจะเป็น mwt เซลล์ 9 – 200 Vias ที่มีเส้นผ่านศูนย์กลางตั้งแต่ 50 มม. ถึง 200mm[ 11 ] ; ในงานนี้เราเน้นโครงสร้างที่ประกอบด้วย 16 Vias 200 มิลลิเมตร จัดเป็นเมทริกซ์จัตุรัสบนมือถือ [ 12 ]เลเซอร์เจาะขั้นตอนที่สามารถดำเนินการในแต่ละขั้นตอนของการผลิตเซลล์flโอ๊ย ส่งผลให้โครงสร้างอิมิตเตอร์แตกต่างกัน โดยขึ้นอยู่กับ Vias ถูกเจาะก่อน phos phorus การแพร่กระจายหรือหลังจากนั้น เราสามารถรับส่งสัญญาณตามลำดับชั้นใน Vias ผนังหรือไม่ ( รูปที่ 1A และ B ) งานวิจัยนี้ศึกษาโครงสร้างอิมิตเตอร์ที่แตกต่างกันในจึงตัดสินใจเดินทางหนึ่งตัวส่งสัญญาณที่ถูกสร้างขึ้นโดยการฝังไอออนเจาะขั้นตอนคือ