The twinning was observed in unrein

The twinning was observed in unreinforced pure nickel and all Ni–SiCNP composites. Fig. 6(a) exemplifies the latter, showing a bright-field TEM image of the Ni–SiCNP composite milled for 24 h. Here, distinct twin boundary planes are observed, approximating 500 nm in size. These twins are oriented along both reciprocal lattice directions in the [110] zone axis (Fig. 6(b)). It is generally accepted that grain growth occurs by the movement of grain boundaries instead of coalescence. With the combined effects of high temperature and high pressure during sintering, it is expected that the speed of nucleation and grain growth may be quite rapid due to the enhanced diffusivity of nickel atoms. When an occasional error occurs in the stacking sequence of atomic planes, several coherent twin boundaries can appear successively at a grain boundary corner[41].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Twinning ที่ถูกสังเกตในนิกเกิลบริสุทธิ์ unreinforced และคอมโพสิต Ni – SiCNP ทั้งหมด Fig. 6(a) exemplifies หลัง แสดงรูปยการสว่างเขตข้อมูลของคอมโพสิต Ni – SiCNP ปลายใน 24 ชม ที่นี่ บินขอบเตียงคู่ทั้งหมดพบ ระหว่าง 500 nm ในขนาด คู่นี้จะมุ่งเน้นตามทั้ง < 111 > โครงตาข่ายประกอบกันและทิศทางแกน [110] โซน (Fig. 6(b)) โดยทั่วไปยอมรับว่า เจริญเติบโตของเมล็ดเกิดขึ้น โดยการเคลื่อนที่ของขอบเขตเมล็ดแทน coalescence กับผลรวมของอุณหภูมิสูงและความดันสูงในระหว่างการเผาผนึก คาดว่า ความเร็วของการเติบโต nucleation และเมล็ดข้าวอาจจะค่อนข้างรวดเร็วเนื่องจาก diffusivity พิเศษของอะตอมนิกเกิล เมื่อเกิดข้อผิดพลาดเป็นครั้งคราวในลำดับการซ้อนของเครื่องบินอะตอม ขอบเขตหลายคู่ coherent ปรากฏติด ๆ กันที่มุมขอบเม็ด [41]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จับคู่พบว่าในนิกเกิลบริสุทธิ์ไม่มีโครงสร้างที่แข็งแรงและคอมโพสิต Ni-SiCNP มะเดื่อ 6 (ก) เป็นตัวอย่างหลังการแสดงภาพ TEM สดใสด้านการ Ni-SiCNP คอมโพสิตข้าวสารเป็นเวลา 24 ชั่วโมง นี่คือเครื่องบินขอบเขตที่แตกต่างกันคู่จะสังเกตประมาณ 500 นาโนเมตรในขนาด ฝาแฝดเหล่านี้จะมุ่งเน้นพร้อมทั้ง <111> ทิศทางตาข่ายซึ่งกันและกันใน [110] แกนโซน (รูปที่. 6 (ข)) เป็นที่ยอมรับกันโดยทั่วไปว่าการเจริญเติบโตของข้าวที่เกิดขึ้นจากการเคลื่อนไหวของข้าวเขตแดนแทนการเชื่อมต่อกัน ด้วยผลรวมของอุณหภูมิสูงและความดันสูงในช่วงการเผาเป็นที่คาดหวังว่าความเร็วของนิวเคลียสและการเจริญเติบโตของเมล็ดข้าวอาจจะค่อนข้างรวดเร็วเนื่องจากการแพร่กระจายที่เพิ่มขึ้นของอะตอมนิกเกิล เมื่อมีข้อผิดพลาดเกิดขึ้นเป็นครั้งคราวในลำดับที่ซ้อนของเครื่องบินอะตอมขอบเขตหลายคู่ที่เชื่อมโยงกันอย่างต่อเนื่องสามารถปรากฏที่มุมขอบเกรน [41]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่หลากหลายพบว่านิกเกิลบริสุทธิ์และและผม คอมโพสิต – sicnp . ภาพที่ 6 ( ) เป็นตัวอย่าง หลังแสดงพื้นที่สว่างเต็มรูปของฉัน– sicnp ผสมข้าวสาร 24 ชั่วโมง ที่นี่แตกต่างแฝดขอบเขตเครื่องบินสังเกตประมาณ 500 nm ในขนาด ฝาแฝดเหล่านี้จะมุ่งเน้นตามทั้งสอง < 111 > ซึ่งกันและกันขัดแตะทิศทางในแกน [ 110 ] โซน ( ภาพที่ 6 ( B )เป็นที่ยอมรับกันโดยทั่วไปว่า การเติบโตของเกรนเกิดขึ้น โดยการเคลื่อนที่ของขอบเขต ธัญพืชแทนการรวมตัว รวมกับผลของอุณหภูมิสูงและความดันสูงในการเผา คาดว่าความเร็วขนาดและการเจริญเติบโตของเมล็ดอาจจะค่อนข้างรวดเร็วเนื่องจากการเพิ่มสัมประสิทธิ์การแพร่ของนิกเกิล อะตอม เมื่อข้อผิดพลาดเกิดขึ้นในโอกาสซ้อนลำดับของระนาบอะตอมขอบเขตที่สอดคล้องกันจะปรากฏอย่างต่อเนื่องหลายคู่ที่ขอบเกรนมุม [ 41 ]