1.3 SCOPEThe aim of this thesis is

1.3 SCOPE
The aim of this thesis is to present a novel principle for the 1/f noise reduction technique in
linear analog CMOS IC’s, which is suitable for a continuous signal processing operation
using the device physics-based effect. As well as the novel 1/f noise reduction technique, its
impact on the performance of linear analog CMOS IC’s should be exploited.
The contents of the thesis are organized in the following to fulfil these aims: Chapter 2 is
concerned with noise phenomena, the intrinsic device noise in a MOSFET. First the
mathematical properties of noise are briefly reviewed, which is statistically a random process.
Based on the knowledge of noise properties, a physical origin of four main types of noise
shot noise, thermal noise, generation-recombination noise and 1/f nose- in a MOSFET is
discussed. Subsequently a general noise macro model of a MOSFET and a circuit is
introduced for a detailed noise analysis and simulation. At the end of this chapter, critical
issues in measuring of 1/f noise are discussed and a relevant measurement setup for the
proposed 1/f noise reduction principle in a linear analog CMOS ICs is presented. Chapter 3,
which presents the central idea of this thesis, deals with the proposed principle for the 1/f
noise reduction technique in linear analog CMOS IC’s, which is suitable for a continuous
signal processing operation by using the device physics-based effect : the periodically on-off

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

1.3 ขอบเขตเป้าหมายของวิทยานิพนธ์นี้คือการ นำเสนอหลักการเทคนิคการลดเสียงรบกวน 1/f ในนวนิยายเชิงเส้นอนาล็อก CMOS IC ของ ซึ่งเหมาะสำหรับการประมวลผลสัญญาณอย่างต่อเนื่องใช้อุปกรณ์ฟิสิกส์ผล เช่นเดียวกับเทคนิคการลดสัญญาณรบกวนนวนิยาย 1/f ความผลกระทบต่อประสิทธิภาพการทำงานของ linear อนาล็อก CMOS IC ของควรจะใช้ประโยชน์เนื้อหาของวิทยานิพนธ์มีจัดในต่อไปนี้เพื่อตอบสนองเป้าหมายเหล่านี้: บทที่ 2 เป็นเกี่ยวข้องกับปรากฏการณ์เสียงรบกวน เสียงอุปกรณ์ภายในเป็น MOSFET ครั้งแรกคุณสมบัติทางคณิตศาสตร์ของสัญญาณรบกวนจะสั้น ๆ ตรวจสอบ ซึ่งเป็นกระบวนการสุ่มทางสถิติตามความรู้ของคุณสมบัติของเสียง การกำเนิดทางกายภาพของประเภทของเสียงภาพเสียง ความร้อนเสียงรบกวน เสียงรวมตัวกันสร้าง และจมูก 1/f-MOSFET เป็นกล่าวถึง ต่อมารูปแบบแมโคทั่วไปเสียงของ MOSFET ในวงจรคือแนะนำสำหรับการวิเคราะห์รายละเอียดเสียงและการจำลอง ในตอนท้ายของบทนี้ สำคัญมีการกล่าวถึงปัญหาในการวัดสัญญาณรบกวน 1/f และการตั้งค่าการวัดที่เกี่ยวข้องสำหรับการนำเสนอนำเสนอ 1/f หลักการลดเสียงรบกวนในวงจร CMOS เป็นแบบอนาล็อกเชิงเส้น บทที่ 3นำเสนอแนวความคิดสำคัญของวิทยานิพนธ์นี้ ข้อเสนอที่ มีหลักการที่เสนอสำหรับ 1/fเสียงรบกวนลดเทคนิคเชิงแอนะล็อก CMOS IC ของ ซึ่งเหมาะสำหรับต่อเนื่องสัญญาณการประมวลผลการดำเนินงาน โดยใช้อุปกรณ์ฟิสิกส์ผล: ในระยะเปิดปิด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

1.3 ขอบเขต
จุดมุ่งหมายของการวิจัยนี้มีหลักการที่จะนำเสนอนวนิยายสำหรับ 1 / F เทคนิคการลดเสียงรบกวนใน
แบบอะนาล็อกเชิงเส้น CMOS IC ซึ่งเหมาะสำหรับการดำเนินการประมวลผลสัญญาณอย่างต่อเนื่อง
โดยใช้ผลฟิสิกส์ตามอุปกรณ์ เช่นเดียวกับนวนิยาย 1 / F เทคนิคการลดเสียงรบกวนของมัน
. ผลกระทบต่อประสิทธิภาพการทำงานของแอนะล็อกเชิงเส้น CMOS IC ควรจะใช้ประโยชน์
เนื้อหาของวิทยานิพนธ์ที่มีการจัดในต่อไปนี้เพื่อตอบสนองเป้าหมายเหล่านี้: บทที่ 2 จะ
เกี่ยวข้องกับปรากฏการณ์เสียงที่ เสียงอุปกรณ์ภายในใน MOSFET แรก
คุณสมบัติทางคณิตศาสตร์ของเสียงจะมีการทบทวนในเวลาสั้น ๆ ซึ่งเป็นสถิติกระบวนการสุ่ม.
บนพื้นฐานความรู้ของคุณสมบัติเสียง, ต้นกำเนิดทางกายภาพของสี่ประเภทหลักของเสียง
ยิงเสียงเสียงความร้อนเสียงรุ่นที่รวมตัวกันอีกและ 1 / F nose- ใน MOSFET ถูก
กล่าวถึง ต่อมาเสียงทั่วไปรุ่นแมโครของ MOSFET และวงจรที่มีการ
แนะนำให้รู้จักกับการวิเคราะห์รายละเอียดเสียงและการจำลอง ในตอนท้ายของบทนี้สำคัญ
ปัญหาในการวัดของ 1 / F เสียงการพูดคุยและการตั้งค่าการวัดที่เกี่ยวข้องสำหรับ
การเสนอ 1 / F หลักการการลดเสียงรบกวนในแบบอะนาล็อกเชิงเส้นของวงจรรวม CMOS จะนำเสนอ บทที่ 3
ที่นำเสนอไอเดียของกลางวิทยานิพนธ์ฉบับนี้เกี่ยวข้องกับหลักการที่เสนอให้ 1 / F
เทคนิคการลดเสียงรบกวนในแบบอะนาล็อกเชิงเส้น CMOS IC ซึ่งเหมาะสำหรับการอย่างต่อเนื่อง
การดำเนินการประมวลผลสัญญาณโดยใช้อุปกรณ์ที่มีผลฟิสิกส์ตามที่: ระยะ ON-OFF

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

1.3 ขอบเขตวิทยานิพนธ์ฉบับนี้มีจุดมุ่งหมายเพื่อเสนอหลักการใหม่สำหรับ 1 / F เทคนิคลดเสียงในเชิงเส้นแบบ CMOS IC ของที่เหมาะสำหรับการประมวลสัญญาณต่อเนื่องผลจากการใช้อุปกรณ์ ฟิสิกส์ เช่นเดียวกับนวนิยาย 1 / F เทคนิคการลดสัญญาณรบกวนของผลกระทบต่อประสิทธิภาพของเส้น IC CMOS อะนาล็อกเป็นควรใช้ประโยชน์เนื้อหาของวิทยานิพนธ์ฉบับนี้ มีการจัดในต่อไปนี้เพื่อตอบสนองวัตถุประสงค์เหล่านี้ : บทที่ 2 คือที่เกี่ยวข้องกับปรากฏการณ์เสียงรบกวนอุปกรณ์ภายในใน MOSFET . ตอนแรกคุณสมบัติทางคณิตศาสตร์เสียงจะสั้นๆ ได้ ซึ่งตามสถิติแล้ว กระบวนการสุ่มตามความรู้ของ คุณสมบัติเสียงต้นกำเนิดทางกายภาพสี่ประเภทหลักของเสียงเสียง , เสียงความร้อนยิง , รุ่นเสียงและการ 1 / F จมูก - ในมอสเฟต คือกล่าวถึง โดยแมโครเสียงทั่วไปแบบ MOSFET และวงจรแนะนำสำหรับการวิเคราะห์เสียง รายละเอียด และการจำลองสถานการณ์ ในตอนท้ายของบทนี้ วิกฤตปัญหาในการวัด 1 / F เสียงมีการกล่าวถึง และตั้งค่าการวัดที่เกี่ยวข้องสำหรับเสนอ 1 / F ลดเสียงรบกวนและหลักการเชิงเส้นแบบอะนาล็อก ICS คือแสดง บทที่ 3ซึ่งนำเสนอความคิดกลางของวิทยานิพนธ์ฉบับนี้ ได้เสนอหลักการเกี่ยวข้องกับ 1 / F สำหรับเทคนิคลดสัญญาณรบกวนใน CMOS IC เชิงเส้นแบบอนาล็อก ซึ่งเหมาะสำหรับการอย่างต่อเนื่องการประมวลผลสัญญาณการดำเนินการโดยใช้ผลจากอุปกรณ์ฟิสิกส์ : เป็นระยะ ๆ ปิด