in this work carbon nanostructuresw

in this work carbon nanostructures
were synthetized by CVD utilizing CH4as the carbon precursor gas, onNi/SiO2catalytic substrateswith different
nickel thicknesses (15, 10, 5, 2nm), at different temperatures (900°C, 800 °C, 700 °C). The sampleswere analyzed
by Raman spectroscopy, SEM and TEM; the results indicate a majority formation of multi-walled carbon nano-tubes (MWCNT) at lower temperatures andNi thickness, and a formationof Ni core–shell nanoparticles at higher
temperatures, leaving a total control on the process in order to obtain both nanostructures only with a few var-iation of the temperature and avoiding the separation post-process.
© 2014 Elsevier B.V. All rights reserved

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในการนี้งานคาร์บอน nanostructuresถูก synthetized โดยใช้ CH4as ผิว CVD ก๊าซคาร์บอนสารตั้งต้น onNi/SiO2catalytic substrateswith แตกต่างกันหรือไม่นิกเกิลความหนา (15, 10, 5, 2nm), ที่อุณหภูมิต่าง ๆ (900° C, 800 ° C, 700 ° C) Sampleswere วิเคราะห์โดยกรามัน SEM และยการ ผลลัพธ์บ่งชี้ส่วนใหญ่ก่อตัวของกำแพงหลายคาร์บอนนาโนหลอด (MWCNT) ที่ความหนาต่ำกว่าอุณหภูมิ andNi และเก็บกักหลักเชลล์ Ni formationof ที่สูงขึ้นอุณหภูมิ ออกจากตัวควบคุมทั้งหมดในกระบวนการเพื่อให้ได้ทั้ง nanostructures ด้วย var iation กี่อุณหภูมิและหลีกเลี่ยงแยกกระบวนการหลัง© 2014 Elsevier b.v สงวนลิขสิทธิ์ทั้งหมด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในงานนี้คาร์บอนโครงสร้างนาโน
ถูก synthetized โดย CVD ใช้ CH4as ก๊าซสารตั้งต้นคาร์บอน Onni / SiO2catalytic substrateswith ที่แตกต่างกัน
ความหนานิกเกิล (15, 10, 5, 2nm) ที่อุณหภูมิที่แตกต่างกัน (900 ° C, 800 ° C, 700 ° C) sampleswere วิเคราะห์
โดยสเปกโทรสโกรามัน SEM และ TEM; ผลการบ่งบอกถึงการสร้างส่วนใหญ่ของคาร์บอนหลายผนังท่อนาโน (MWCNT) ที่อุณหภูมิต่ำกว่าความหนา andNi และ formationof Ni อนุภาคนาโนหลักเปลือกที่สูงกว่า
อุณหภูมิที่ออกจากการควบคุมทั้งหมดเกี่ยวกับขั้นตอนเพื่อให้ได้โครงสร้างนาโนทั้งสองเท่านั้นที่มี ไม่กี่ var-iation ของอุณหภูมิและหลีกเลี่ยงการโพสต์การแยกกระบวนการ.
© 2014 Elsevier BV สงวนลิขสิทธิ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในงานนี้มีทั่งนาโนคาร์บอน
โดยซีวีดี ใช้ ch4as คาร์บอนสารตั้งต้นแก๊ส พี่คะ / sio2catalytic substrateswith แตกต่างกัน
นิเกิลหนา ( 15 , 10 , 5 , 2nm ) ที่อุณหภูมิแตกต่างกัน ( 900 ° C , 800 ° C 700 องศา C ) คนวิเคราะห์
โดย SEM และ TEM ; Raman spectroscopy ,พบส่วนใหญ่เกิดหลายหลอดนาโนคาร์บอนสูง ( mwcnt ) ที่ลดอุณหภูมิ andni ความหนา และ formationof นิแกนและเปลือกนาโนที่อุณหภูมิสูงกว่า
, ออกจากการควบคุมทั้งหมดในกระบวนการ เพื่อให้ได้ทั้งนาโนเพียงไม่กี่ var l ของอุณหภูมิและหลีกเลี่ยงการแยก
โพสต์กระบวนการ สงวนลิขสิทธิ์ 2010 สามารถป้องกันสงวนสิทธิทั้งหมด