Show the evolution of resistivity a

Show the evolution of resistivity as a function of total pressure of TiC films deposited using both of Ti pure target and Tic target. The electrical resistivity of TiC films deposited using Tic target (without biasing substrate) increases 3480.3 µ Ω cm at 16 mTorr to 32,474 * 〖10〗^3 µ Ω cm at 40 mTorr. At high pressure, the films proved to be non-conductive with the values of 〖10〗^7 µΩ cm. At low pressure (16mTorr), the film resistivity dropped sharply, and have semiconductor behavior. The electrical resistivity of TiC films deposited using Ti target reaches a value of 70 µΩ cm at low pressure (4mTorr) and have a conductor behavior. With the increase of pressure, films resistivity also increases and achieves 1000 µΩ cm at 100 mTorr which have a semiconductor behavior. The resistivity increases with the rise of pressure. The increases of the resistivity as a function of the pressure is due to the presence of C-H bond resulting from the using of CH_4 as reactive gas, as describe in our previous work. Indeed, the disordered amorphous carbon phase has not been revealed by Raman spectroscopy but in our previous work the C-H bond has well been revealed by Fourier Transform Infrared spectroscopy FTIR.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสดงวิวัฒนาการของความต้านทานเป็นฟังก์ชันของความดันรวมของฟิล์มรับผลิตกระป๋องฝากใช้ทั้งตี้บริสุทธิ์เป้าหมายและเป้าหมายรับผลิตกระป๋อง ซม.Ωเขต 3480.3 ที่ mTorr 16 32,474 เพื่อเพิ่มความต้านทานไฟฟ้าของฟิล์มรับผลิตกระป๋องฝากใช้รับผลิตกระป๋องเป้าหมาย (โดย biasing พื้นผิว) * 〖10〗 ^ Ωเขต 3 ซม.ที่ 40 mTorr ที่ความดันสูง ฟิล์มพิสูจน์ได้ว่าไม่ใช่ไฟฟ้ากับค่าของ 〖10〗 ^ µΩ 7 cm ที่ความดันต่ำ (16mTorr), ความต้านทานฟิล์มลดลงอย่างรวดเร็ว และมีลักษณะการทำงานของสารกึ่งตัวนำ ความต้านทานไฟฟ้าของฟิล์มรับผลิตกระป๋องฝากใช้เป้าหมายตี้ถึงค่า 70 µΩซม.ที่ความดันต่ำ (4mTorr) และมีลักษณะนำ มีการเพิ่มขึ้นของความดัน ความต้านทานของฟิล์มยังเพิ่ม ก 1000 µΩซม mTorr 100 ซึ่งมีลักษณะเป็นสารกึ่งตัวนำที่ได้รับ ความต้านทานที่เพิ่มขึ้นกับการเพิ่มขึ้นของความดัน เพิ่มความต้านทานที่เป็นฟังก์ชันของความดันเนื่องจากของพันธะ C-H ที่เกิดจากการใช้ CH_4 เป็นปฏิกิริยาแก๊ส เป็นอธิบายในงานก่อนหน้านี้ แน่นอน ระยะ disordered คาร์บอนไปได้ไม่ถูกเปิดเผย โดยกรามัน แต่ ในงานก่อนหน้านี้พันธะ C-H ได้ถูกเปิดเผย โดยกฟูรีเยแปลงอินฟราเรด FTIR ดี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แสดงวิวัฒนาการของความต้านทานเป็นหน้าที่ของความดันรวมของภาพยนตร์ TiC ที่ฝากโดยใช้ทั้งสอง Ti เป้าหมายที่บริสุทธิ์และเป้าหมาย Tic ต้านทานไฟฟ้าของภาพยนตร์ TiC ฝากโดยใช้เป้าหมาย Tic (ไม่ biasing พื้นผิว) เพิ่มขึ้น 3,480.3 μΩซม. วันที่ 16 mTorr ไป 32,474 * 〖 10 〗 ^ 3 μΩซม. ที่ 40 mTorr ที่ความดันสูง, ภาพยนตร์พิสูจน์ให้เห็นว่าไม่นำไฟฟ้าที่มีค่าของ〖 10 〗 ^ 7 μΩเซนติเมตร ที่ความดันต่ำ (16mTorr) ความต้านทานฟิล์มลดลงอย่างรวดเร็วและมีพฤติกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ต้านทานไฟฟ้าของภาพยนตร์ TiC ฝากโดยใช้เป้าหมาย Ti ถึงค่า 70 μΩซม. ที่ความดันต่ำ (4mTorr) และมีพฤติกรรมตัวนำ กับการเพิ่มขึ้นของความดันความต้านทานฟิล์มยังเพิ่มขึ้นและประสบความสำเร็จ 1000 μΩซม. ที่ 100 mTorr ที่มีพฤติกรรมเซมิคอนดักเตอร์ เพิ่มความต้านทานกับการเพิ่มขึ้นของความดัน เพิ่มขึ้นของความต้านทานเป็นหน้าที่ของความดันคือเนื่องจากการมีพันธะ CH ที่เกิดจากการใช้ CH_4 ก๊าซปฏิกิริยาเช่นอธิบายในการทำงานของเราก่อนหน้านี้ อันที่จริงขั้นตอนคาร์บอนอสัณฐานเป็นระเบียบไม่ได้รับการเปิดเผยโดยสเปคโทรรามัน แต่ในการทำงานของเราก่อนหน้าพันธบัตรชดีได้รับการเปิดเผยโดยการแปลงฟูริเยร์อินฟราเรดสเปกโทรสโก FTIR

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แสดงวิวัฒนาการของความต้านทานที่เป็นฟังก์ชันของความดันรวมของ TIC ฟิล์มฝากใช้ทั้งสองของ Ti บริสุทธิ์เป้าหมายและเป้าหมายกระตุก สภาพต้านทานไฟฟ้าไฟฟ้าของ TIC ฟิล์มฝากการใช้เป้าหมายทิค ( โดยไม่ต้องขยายพื้นผิว ) เพิ่ม 3480.3 µΩเซนติเมตรที่ 16 mtorr เพื่อ 32474 * 〖 10 〗
3 µΩซม. 40 mtorr . ที่ความดันสูง ภาพยนตร์ที่พิสูจน์แล้วว่าเป็น non-conductive ที่มีค่าของ〖 10 〗
7 µΩ cmที่ความดันต่ำ ( 16mtorr ) , ภาพยนตร์โดยปรับตัวลดลงอย่างรวดเร็ว และมีพฤติกรรม ) สภาพต้านทานไฟฟ้าไฟฟ้าของ TIC ฟิล์มฝากการใช้เป้าหมาย Ti ถึงมูลค่า 70 µΩเซนติเมตรที่ความดันต่ำ ( 4mtorr ) และมีคอนดักเตอร์พฤติกรรม กับการเพิ่มขึ้นของความดัน , ภาพยนตร์โดยเพิ่มขึ้นและบรรลุ 1000 µΩซม. 100 mtorr สารกึ่งตัวนำซึ่งมีพฤติกรรมค่ามากขึ้นกับการเพิ่มขึ้นของความดัน การเพิ่มขึ้นของความต้านทานที่เป็นฟังก์ชันของความดันเนื่องจากการแสดงตนของพันธบัตร c-h ที่เกิดจากการใช้ ch_4 เป็นปฏิกิริยาก๊าซ ตามที่อธิบายในงานของเราก่อน แน่นอนการโยงรูปอสัณฐานคาร์บอนไม่ได้ถูกเปิดเผยโดยรามานสเปกโทรสโกปี แต่ในงานของเราก่อน c-h บอนด์ได้ถูกเปิดเผยโดย FTIR ฟูเรียร์ทรานฟอร์มอินฟราเรดสเปกโทรสโกปี