A peak in loss angle accompanied by

A peak in loss angle accompanied by a fall in permittivity is a common dielectric behaviour but the Maxwell–Wagner model [118], which is used to explain the dielectric behaviour of inhomogeneous solids and polycrystalline semiconductors, fails to account for the decreasing parallel resistivity with increasing frequency. The highly disordered intergranular layer and the existence of interface states and electron traps are thought to be the cause of the model failure. The loss angle peak can be interpreted as being caused by electron trapping [119].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สูงสุดในมุมขาดทุนมาพร้อมกับฤดูใบไม้ร่วงใน permittivity เป็นพฤติกรรมที่เป็นฉนวนทั่วไป แต่รูปแบบแมกซ์เวลล์วากเนอร์ [118], ซึ่งถูกใช้เพื่ออธิบายพฤติกรรมเป็นฉนวนของแข็งที่ใช้งานและคอิเล็กทรอนิกส์ ล้มให้ความต้านทานขนานลดลงพร้อมเพิ่มความถี่ ชั้น intergranular disordered สูงและการดำรงอยู่ของอินเทอร์เฟซสำหรับอเมริกาและอิเล็กตรอนกับดักคิดว่า เป็น สาเหตุของความล้มเหลวในรูปแบบ คมุมขาดทุนสามารถตีความเป็นการเกิดจากอิเล็กตรอนกับดัก [119]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จุดสูงสุดในมุมการสูญเสียพร้อมกับตกอยู่ในสภาพยอมเป็นพฤติกรรมอิเล็กทริกที่พบบ่อย แต่รูปแบบการแมกซ์เวล-แว็กเนอร์ [118] ซึ่งจะใช้ในการอธิบายพฤติกรรมอิเล็กทริกของของแข็ง inhomogeneous และเซมิคอนดักเตอร์ polycrystalline ล้มเหลวในการบัญชีสำหรับความต้านทานลดลงขนานกับ เพิ่มความถี่ ชั้นขอบเกรนระเบียบสูงและการดำรงอยู่ของรัฐอินเตอร์เฟซและกับดักอิเล็กตรอนกำลังคิดว่าจะเป็นสาเหตุของความล้มเหลวของรูปแบบ ยอดเขาที่มุมการสูญเสียสามารถตีความได้ว่าเกิดจากการดักอิเล็กตรอน [119]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

จุดสูงสุดในการสูญเสียมุมพร้อมอยู่ที่ป้อนเป็นฉนวนทั่วไปพฤติกรรมแต่เวล– Wagner แบบ [ 118 ] ซึ่งถูกใช้เพื่ออธิบายพฤติกรรมของไดอิเล็กตริกของของแข็งและ inhomogeneous ผลึกสารกึ่งตัวนำ ล้มเหลวเพื่อให้บัญชีลดขนานความต้านทานที่มีความถี่เพิ่มขึ้นความไม่เป็นระเบียบ ( ชั้นและการดำรงอยู่ของรัฐ อินเตอร์เฟซและกับดักอิเล็กตรอนจะคิดว่าเป็นสาเหตุของรูปแบบความล้มเหลว การสูญเสียมุมสูงสุดสามารถตีความเป็นเกิดจากอิเล็กตรอนดัก [ 119 ]