700 C under nitrogen atmosphere. In

700 C under nitrogen atmosphere. In this step, silica synthesized by the sol–gel method was used as a precursor of silicon, and sucrose as precursor of carbon. FTIR and XRD results confirm the formation of SiO2/C.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

C 700 ภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน ในขั้นตอนนี้ ซิลิกาที่สังเคราะห์ โดยวิธีโซลเจลถูกใช้เป็นสารตั้งต้นของซิลิคอน และซูโครสเป็นสารตั้งต้นของคาร์บอน FTIR และ XRD ผลยืนยันการก่อตัวของ SiO2/c

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

700 C ภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน ในขั้นตอนนี้ซิลิกาสังเคราะห์โดยวิธีโซลเจลที่ใช้เป็นสารตั้งต้นของซิลิกอนและน้ำตาลซูโครสเป็นสารตั้งต้นของคาร์บอน FTIR และผล XRD ยืนยันการก่อตัวของ SiO2 / C

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

700 องศาเซลเซียสภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน ในขั้นตอนนี้ , ซิลิกาที่สังเคราะห์โดยวิธีโซล - เจล ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นของซิลิคอนและซูโครสเป็นสารตั้งต้นของคาร์บอน FTIR XRD และยืนยันการก่อตัวของซิลิกอนไดออกไซด์ / C