most important process of doping in

most important process of doping in Si planar technology
• Advantages:
- fast, homogenous on large wafers, reproducible result
- exact control of implanted amount of dopant (measurement of current); especially important for
small dopant levels
- excellent cleaning of dopants during implantation by mass separation
- simple mask techniques with thick oxide-, nitride- und photo lacquer layers
- doping through thin passivation layers
- doping profile easily adjustable by multiple implantation (not possible by diffusion techniques)
- very small device structures possible
• Disadvantages:
- irradiation damage up to amorphisation
- additional annealing steps necessary (defect annealing)
- doping atoms often not at regular lattice sites after implantation (interstitial position); electrical
activation necessary by additional annealing (diffusion of dopants, danger of impurities)
- implantation only possible for near-surface region
- Channeling leads to larger penetration depth of a fraction of dopant atoms

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กระบวนการที่สำคัญที่สุดของยาสลบในด้านเทคโนโลยีภาพถ่าย si
•ข้อดี:
- รวดเร็วคุณสมบัติเหมือนกันกับช็อคโกแลตขนาดใหญ่ที่ทำซ้ำได้ผล
- การควบคุมที่ถูกต้องของจำนวนเงินที่ฝังของเจือปน (วัดปัจจุบัน); สำคัญอย่างยิ่งสำหรับ
ระดับเจือปนขนาดเล็ก
- การทำความสะอาดที่ดีเยี่ยม ของ dopants ในระหว่างการปลูกโดยการแยกมวล
- เทคนิคหน้ากากง่ายมีความหนาออกไซด์, ไนไตรด์เคลือบ-und ภาพชั้น
- ยาสลบผ่านชั้นฟิล์มบาง ๆ
- ยาสลบรายละเอียดการปรับได้อย่างง่ายดายด้วยการฝังหลาย (เป็นไปไม่ได้โดยใช้เทคนิคการแพร่)
- โครงสร้างอุปกรณ์ขนาดเล็กมากที่เป็นไปได้
•ข้อเสีย:
- ความเสียหายขึ้นอยู่กับการฉายรังสี amorphisation
- หลอมเพิ่มเติมขั้นตอนที่จำเป็น (ข้อบกพร่องการหลอม)
- อะตอมยาสลบมักจะไม่ได้อยู่ที่เว็บไซต์ตาข่ายปกติหลังจากปลูกถ่าย (ตำแหน่งสิ่งของ);
ยืนยันการใช้งานไฟฟ้าที่จำเป็นโดยการหลอมเพิ่มเติม (แพร่กระจายของ dopants อันตรายของสิ่งสกปรก)
- ปลูกได้เฉพาะในภูมิภาคใกล้พื้นผิว-
- channeling นำไปสู่​​การเจาะลึกขนาดใหญ่ของเศษเสี้ยวของสารเจือปืน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กระบวนการสำคัญที่สุดของโดปปิงค์ศรีระนาบเทคโนโลยี
•ข้อดี:
- รวดเร็ว ให้ในขนาดใหญ่รับ ผลจำลอง
-แน่นอนควบคุมลิฟต์จำนวน dopant (วัดปัจจุบัน); สิ่งสำคัญอย่างยิ่งสำหรับ
dopant เล็กระดับ
- ดีทำความสะอาดของ dopants ในระหว่างการประดิษฐ์ โดยแยกมวล
-พรางเรื่องเทคนิคกับออกไซด์หนา-, ชั้นแลคเกอร์ภาพแดน nitride
-โดปปิงค์ผ่านชั้นบาง ๆ passivation
-โดปปิงค์โปรไฟล์สามารถปรับได้ โดยฤทธิ์ (ไม่ได้รับเทคนิคแพร่) หลาย
-อุปกรณ์เล็ก ๆ โครงสร้างสุด
•ข้อเสีย:
-เสียวิธีการฉายรังสีถึง amorphisation
- เพิ่มเติมขั้นตอนจำเป็น (ข้อบกพร่องการอบเหนียว) การอบเหนียว
-โดปปิงค์อะตอมที่ไซต์โครงตาข่ายประกอบปกติมักจะไม่หลังจากฤทธิ์ (หลากตำแหน่ง); ไฟฟ้า
เปิดใช้งานจำเป็น โดยการอบเหนียวเพิ่มเติม (แพร่ dopants อันตรายของสิ่งสกปรก)
-ฤทธิ์เท่าสำหรับภูมิภาคใกล้ผิว
-Channeling นำไปใหญ่เจาะลึกของเศษส่วนของอะตอม dopant

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สิ่งสำคัญที่สุดคือกระบวนการของ doping ในศรีบางชนิดเทคโนโลยี
•ข้อได้เปรียบ:
- - ได้อย่างรวดเร็ว,ขนาดใหญ่ในขนาดใหญ่ขนมแผ่น,
ซึ่งจะช่วยส่งผลให้เกิดขึ้นซ้ำเดิมได้ - ที่แน่นอนการควบคุมปลูกถ่ายจำนวนของ dopant (การวัดในปัจจุบัน);ความสำคัญเป็นพิเศษสำหรับ
ขนาดเล็ก dopant ระดับ
- - ทำความสะอาดที่ดีเยี่ยมของ dopants ในระหว่างปลูกโดยการแยก
- เรียบง่ายหน้ากากเทคนิคหนาที่มีออกไซด์ - , nitride - und ภาพถ่าย ทาแลคเกอร์สชั้น
- doping ผ่านบาง passivation ชั้น
- - doping โปรไฟล์ได้อย่างง่ายดายโดยสามารถปรับได้หลายคนปลูก(ไม่ใช่เป็นไปได้โดยแพร่เทคนิค)
- - เป็นอย่างมากขนาดเล็กอุปกรณ์โครงสร้าง
ซึ่งจะช่วยได้•เสียเปรียบ:
- - ฉายแสงความเสียหายได้ถึง amorphisation
- เพิ่มเติม annealing ตามขั้นตอนที่จำเป็น(ข้อบกพร่อง annealing )
- doping อะตอมบ่อยครั้งที่ไม่ปกติหลายท่อนที่ไซต์หลังจากปลูก(ถอนรากถอนโคนเกี่ยวกับตำแหน่ง);
การเปิดใช้งานระบบไฟฟ้าความจำเป็นโดยเพิ่มเติม annealing (แพร่ของ dopants ,อันตรายจากสิ่งสกปรก)
- - ปลูกเท่านั้นที่เป็นไปได้สำหรับใกล้กับพื้นผิว ภูมิภาค
- - เซอร์เบีย,โปแลนด์,อิตาลี,นำไปสู่ขนาดใหญ่การเจาะตลาดระดับความลึกของเสี้ยวของ dopant อะตอม