The illumination level E is then me

The illumination level E is then measured (activity 8) by the
10 bit ADC embedded in the MCU which is connected to the
voltage divider formed by the LDR sensor and Rs (port P2.0 in
Fig. 2). If E is less than 50 lx and the change in B is less than
5 micro/T , we either have: (a) a nonferromagnetic object covering the
sensor; (b) a low-level local illumination (e.g., it is night time or
the sensor window is dirty); or (c) a vehicle parked nearby that
projects a shadow onto the sensor node

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสงสว่าง E ระดับจะวัด (กิจกรรม 8) โดย10 บิต ADC ที่ฝังอยู่ในหลักที่เชื่อมต่อกับการแบ่งแรงดันไฟฟ้าที่เกิดขึ้นจากเซนเซอร์ LDR และ Rs (พอร์ต P2.0 ในFig. 2) ถ้าน้อยกว่า 50 เป็น lx และการเปลี่ยนแปลงใน B น้อยกว่าไมโคร 5/T เราต้อง: (a) นำวัตถุ nonferromagneticเซ็นเซอร์ (b) ภายในรัศมีที่ระดับต่ำ (เช่น เป็นเวลากลางคืน หรือหน้าต่างเซ็นเซอร์จะสกปรก); หรือ (ค) รถที่จอดใกล้เคียงกับที่โครงการเงาบนโหนเซ็นเซอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

E ระดับการส่องสว่างเป็นวัดแล้ว (กิจกรรมที่ 8) โดย
ADC 10 บิตที่ฝังอยู่ใน MCU ที่เชื่อมต่อกับ
หารแรงดันที่เกิดขึ้นจากเซ็นเซอร์ LDR และอาร์เอส (พอร์ต P2.0 ใน
รูป. 2) ถ้า E เป็นน้อยกว่า 50 LX และการเปลี่ยนแปลง B น้อยกว่า
5 ไมโคร / T, เราอาจมี (ก) วัตถุ nonferromagnetic ครอบคลุม
เซ็นเซอร์; (ข) ในระดับต่ำการส่องสว่างในท้องถิ่น (เช่นมันเป็นเวลากลางคืนหรือ
หน้าต่างเซ็นเซอร์สกปรก); หรือ (ค) รถที่จอดอยู่ใกล้เคียงที่
โครงการเงาลงบนโหนดเซ็นเซอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แสงสว่างระดับ E แล้ววัด ( กิจกรรม 8 ) โดย
10 บิตสามารถฝังตัวอยู่ใน MCU ซึ่งเชื่อมต่อกับ
Voltage divider ที่เกิดขึ้นจากงานเซ็นเซอร์ และอาร์เอส ( พอร์ต p2.0 ใน
รูปที่ 2 ) ถ้า E เป็นน้อยกว่า 50 LX และการเปลี่ยนแปลงใน B น้อยกว่าไมโคร /
5 t เราได้ : ( ) เป็นวัตถุ nonferromagnetic ครอบคลุม
เซ็นเซอร์ ; ( ข ) ระดับท้องถิ่น ( เช่น เป็นแสงสว่างในเวลากลางคืนหรือ
หน้าต่างเซ็นเซอร์สกปรก ) หรือ ( C ) รถที่จอดอยู่บริเวณใกล้เคียงที่
โครงการเงาลงบนเซนเซอร์โหนด