(a) Cross-sectional scanning electr

(a) Cross-sectional scanning electron microscope (SEM) image of 270-nmthick
mixed halide CH3NH3PbI3xClx absorber layer with hole-quenching
layer of spiro-OMeTAD. (b) Photoluminescence (PL) data of one-dimensional
diffusion model (described in Ref. [20]) for mixed halide CH3NH3PbI3xClx
and (c) 180 nm-thick triiodide CH3NH3PbI3 in the presence of electronquencher
PCBM and hole-quencher spiro-MeOTAD without any quenchers
(PMMA). (Inset) Comparison of recombination life time of two perovskites
(with PMMA). Reprinted from Ref. [20].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

(ก) รูปหน้าตัดกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด (SEM) 270-nmthickผสมโฟ CH3NH3PbI3 xClx ชั้นดูดซับกับรูชุบชั้นของ spiro OMeTAD (ข) Photoluminescence (PL) ข้อมูลของ one-dimensionalแบบกระจาย (อธิบายในรหัส [20]) สำหรับผสมโฟ CH3NH3PbI3 xClxและ (c) 180 nm-หนา triiodide CH3NH3PbI3 ใน electronquencherPCBM และหลุม quencher spiro-MeOTAD ไม่ มี quenchers ใด ๆ(PMMA) (แทรก) เปรียบเทียบเวลาชีวิตรวมตัวกันของสองสใหม่(PMMA) ที่มี พิมพ์จากรหัส [20]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

(ก) การตัดกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด (SEM) ภาพของ 270 nmthick
ลิดผสม CH3NH3PbI3? xClx ชั้นโช้คมีรูดับ
ชั้นของ Spiro-OMeTAD (ข) เรืองแสง (PL) ข้อมูลที่หนึ่งมิติ
รูปแบบการแพร่กระจาย (อธิบายไว้ใน Ref. [20]) สำหรับลิดผสม CH3NH3PbI3? xClx
และ (ค) 180 นาโนเมตรหนาไตรไอโอ CH3NH3PbI3 ในการปรากฏตัวของ electronquencher
PCBM และ Spiro หลุมดับ โดยไม่ต้อง -MeOTAD Quenchers ใด ๆ
(PMMA) (ภาพประกอบ) เปรียบเทียบเวลาชีวิตรวมตัวกันของทั้งสอง perovskites
(กับ PMMA) พิมพ์ซ้ำจาก Ref [20]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

( 1 ) ตัดขวางกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( SEM ) ภาพ nmthick 270ผสม ch3nh3pbi3xclx โช้คชั้นกับดับหลุม ไลด์ชั้นของ Spiro ometad . ( ข ) แบบ ( PL ) ข้อมูลในมิติเดียวแบบจำลองการแพร่กระจาย ( อธิบายไว้ในอ้างอิง [ 20 ] ) สำหรับ ch3nh3pbi3xclx halide ผสมและ ( C ) กระจายหนา 180 nm ch3nh3pbi3 ต่อหน้า electronquencherpcbm และหลุม meotad โดยไม่ quenchers เรโร( PMMA ) ( ภาพประกอบ ) การเปรียบเทียบการ perovskites เวลาชีวิตของทั้งสอง( PMMA ) พิมพ์จากอังกฤษ [ 20 ]