3. Gate Oxidation [Fig. 4.17(d)]. A

3. Gate Oxidation [Fig. 4.17(d)]. A thin thermal oxide is grown across the wafer. The portions of this oxide remaining after subsequent processing will provide the required gate oxide for the MOS transistors. Device performance is closely related to the growth of a dense, high-quality gate oxide.
4 Transistor Threshold Ion Implant [Fig. 4.17(d)] The boron implant adjusts the threshold voltage of p-channel and n-channel devices to the desired level. Thick field oxide prevents the boron from penetrating into the isolation regions.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3. ประตูออกซิเดชัน [มะเดื่อ 4.17(d)] ออกไซด์ความร้อนบางปลูกข้ามเวเฟอร์ บางส่วนของออกไซด์นี้เหลือหลังจากการประมวลผลที่ตามมาจะให้จำเป็นต้องใช้ gate ออกไซด์สำหรับ MOS ทรานซิสเตอร์ ประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์อย่างใกล้ชิดกับการเติบโตของออกไซด์เป็นประตูทึบ คุณภาพสูง 4 ทรานซิสเตอร์เกณฑ์ไอออนเทียม [มะเดื่อ 4.17(d)] เทียมโบรอนปรับแรงดันไฟฟ้าจำกัด ช่อง p และ n ช่องอุปกรณ์ระดับต้องการ ออกไซด์หนาฟิลด์ป้องกันโบรอนเจาะในภูมิภาคแยก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3. ประตูออกซิเดชัน [รูป 4.17 (ง)] ออกไซด์ความร้อนบางปลูกทั่วเวเฟอร์ ส่วนของออกไซด์นี้ที่เหลือหลังจากการประมวลผลที่ตามมาจะให้ออกไซด์ประตูจำเป็นสำหรับมอสทรานซิสเตอร์ ประสิทธิภาพของอุปกรณ์ที่เกี่ยวข้องอย่างใกล้ชิดกับการเจริญเติบโตของหนาแน่นและมีคุณภาพสูงประตูออกไซด์.
4 ทรานซิสเตอร์เกณฑ์ไอออนเทียม [รูป 4.17 (ง)] เทียมโบรอนปรับแรงดันเกณฑ์ของ P-n ช่องทางและช่องทางอุปกรณ์ในระดับที่ต้องการ หนาออกไซด์ฟิลด์ป้องกันไม่ให้โบรอนจากเจาะเข้าไปในภูมิภาคแยก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3 . ประตูออกซิเดชัน [ รูปที่ 4.17 ( D ) ] บางความร้อนออกไซด์ที่ปลูกข้ามเวเฟอร์ ส่วนของออกไซด์ที่เหลือหลังจากการประมวลผลที่ตามมาจะให้ใช้เกทออกไซด์สำหรับมอสทรานซิสเตอร์ ประสิทธิภาพของอุปกรณ์จะเกี่ยวข้องกับการเจริญเติบโตของหนาแน่น ออกประตูที่มีคุณภาพสูง4 . เกณฑ์ไอออนปลูกฝัง [ รูปที่ 4.17 ( D ) โบรอน ( ปรับเกณฑ์แรงดัน < VT > อุปกรณ์และ p-channel นแชนแนลไปยังระดับที่ต้องการ ข้อมูล โบรอนออกไซด์หนาป้องกันจากการเจาะเข้าไปในแยกภูมิภาค