It is possible to avoid switching l

It is possible to avoid switching losses given with Qrr by
using 600V SiC Schottky diode witch haven’t reverse
recovery effect but their losses are related to capacitance
reverse current peak in simplicity. A Solution combine
good properties of PN and Schottky diode was developed
recently and is called Merged-Structure. Both devices are
connected together with low impedance p regions to the
anode of the device (Fig. x1). This concept used
advantages of the wide bandgap potential of SiC, witch
under normal conditions have relatively high junction
voltage (3-4V). This fact prevents conduction of PN
structure. In overload conditions the forward drop of
Schottky diode will rise to value of junction voltage so PN
structure provides hole-carrier injection for conductivity
modulation in the drift region. Task of p bodies is
concentrating the maximum electric field away from
Schottky barrier surface. This allows working with higher
blocking voltage and another advantage is higher
ruggedness of device. Due to the material characteristics of
the SiC and other facts is reverse recovery charge is
essentially unmeasurable. In basics, connecting these two
diodes together should result in the lower forward
dissipation of the Schottky at current levels up to a few
times the rated forward current of the diode, with the large
overload capability and higher peak current of the PN
structure

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จำเป็นต้องหลีกเลี่ยงการเปลี่ยนขาดทุนให้กับ Qrr ด้วยใช้แม่มดไดโอดซิลิก้อน Schottky 600V ยังไม่กลับผลกู้แต่การขาดทุนเกี่ยวข้องกับความกลับสูงสุดปัจจุบันในความเรียบง่าย รวมโซลูชั่นคุณสมบัติที่ดีของ PN และ Schottky ไดโอดได้รับการพัฒนาเมื่อเร็ว ๆ นี้ และเรียกว่า Merged โครงสร้าง อุปกรณ์ทั้งสองเชื่อมต่อกับความต้านทานต่ำ p ภูมิภาคเพื่อการขั้วบวกของอุปกรณ์ (ฟิก x 1) แนวคิดนี้ใช้แม่มดจึงเปรียบศักยภาพ bandgap กว้างของ SiCภายใต้เงื่อนไขปกติมีเชื่อมต่อค่อนข้างสูงแรงดันไฟฟ้า (3-4V) ความจริงทำให้ไม่สามารถนำของ PNโครงสร้างการ ในโอเวอร์โหลดเงื่อนไขปล่อยไปข้างหน้าไดโอด Schottky จะขึ้นกับค่าของแรงดันไฟฟ้าเชื่อมต่อพีเอ็นนั้นโครงสร้างให้ฉีดหลุมผู้นำเอ็มในภูมิภาคดริฟท์ งานของร่างกาย pconcentrating สนามไฟฟ้าสูงสุดจากพื้นผิวกำแพง Schottky นี้ช่วยให้การทำงานมีสูงบล็อกแรงดันและสิ่งอื่นจะสูงruggedness ของอุปกรณ์ เนื่องจากลักษณะของวัสดุSiC และข้อเท็จจริงอื่น ๆ จะกลับเป็นค่าธรรมเนียมการกู้คืนหลัก unmeasurable ในทั่วไป เชื่อมต่อสองไดโอดได้ร่วมกันควรทำไปข้างหน้าต่ำกว่ากระจายของ Schottky ในระดับปัจจุบันได้กี่เวลาปัจจุบันไปข้างหน้าของไดโอด มีขนาดใหญ่โอเวอร์โหลดความสามารถและกระแสสูงสุดสูงกว่า PNโครงสร้าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มันเป็นไปได้ที่จะหลีกเลี่ยงการสูญเสียได้รับการเปลี่ยนกับ Qrr
โดยใช้ไดโอดแม่มด600V SiC
กียังไม่ได้ย้อนกลับผลการกู้คืน
แต่เสียหายของพวกเขามีความสัมพันธ์กับความจุย้อนกลับสูงสุดในปัจจุบันในความเรียบง่าย โซลูชั่นรวมคุณสมบัติที่ดีของ PN และไดโอดกีได้รับการพัฒนาเมื่อเร็วๆ นี้และเรียกผสาน-โครงสร้าง อุปกรณ์ทั้งสองจะเชื่อมต่อกันด้วยความต้านทานต่ำภูมิภาคพีกับขั้วบวกของอุปกรณ์(รูป. x1) แนวคิดนี้มาใช้ข้อดีของการที่มีศักยภาพ bandgap กว้างของ SiC แม่มดภายใต้สภาวะปกติมีทางแยกที่ค่อนข้างสูงแรงดันไฟฟ้า (3-4V) ความจริงเรื่องนี้จะช่วยป้องกันการนำของ PN โครงสร้าง ในสภาพที่เกินลดลงไปข้างหน้าของไดโอด Schottky จะสูงขึ้นไปค่าของแรงดันไฟฟ้าทางแยกเพื่อให้ PN โครงสร้างให้ฉีดหลุมให้บริการสำหรับการนำการปรับในภูมิภาคดริฟท์ งานศพพีจะมุ่งเน้นสนามไฟฟ้าสูงสุดอยู่ห่างจากพื้นผิวSchottky อุปสรรค นี้จะช่วยให้การทำงานร่วมกับที่สูงขึ้นแรงดันการปิดกั้นและความได้เปรียบอีกอย่างก็คือสูงทนทานของอุปกรณ์ เนื่องจากลักษณะของวัสดุSiC และข้อเท็จจริงอื่น ๆ ที่เป็นค่าใช้จ่ายในการกู้คืนกลับเป็นunmeasurable หลัก ในเบื้องต้นเกี่ยวกับการเชื่อมต่อทั้งสองไดโอดร่วมกันจะส่งผลไปข้างหน้าต่ำกว่าการกระจายของกีที่ระดับปัจจุบันถึงไม่กี่ครั้งในปัจจุบันไปข้างหน้าจัดอันดับของไดโอดที่มีขนาดใหญ่ความสามารถเกินและปัจจุบันยอดเขาที่สูงขึ้นของPN โครงสร้าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มันเป็นไปได้เพื่อหลีกเลี่ยงการสูญเสียให้กับ QRR โดย
ใช้ 600v SIC ไดโอดชอทท์กี้แม่มดไม่ได้ย้อนกลับ
การกู้คืนผล แต่การสูญเสียของพวกเขาเกี่ยวข้องกับความจุ
ย้อนกลับสูงสุดในปัจจุบันในความเรียบง่าย โซลูชั่นรวม
และคุณสมบัติที่ดีของ PN ไดโอดชอทท์กี้เพิ่งพัฒนา
และจะเรียกว่าการรวมโครงสร้าง อุปกรณ์ทั้งสองจะเชื่อมต่อกันด้วยอิมพีแดนซ์ต่ำ

p ขอบเขตขั้วบวกของเครื่อง ( รูปที่ 1 ) แนวคิดนี้ใช้
ข้อดีของ bandgap กว้างศักยภาพของ SIC แม่มด
ภายใต้เงื่อนไขปกติมีแรงดันชุมทาง
ค่อนข้างสูง ( 3-4v ) ความเป็นจริงนี้จะช่วยป้องกันการนำโครงสร้าง PN

ในเงื่อนไขเกินพิกัดลดลงไปข้างหน้าของ
ไดโอดชอทท์กี้จะขึ้นค่าของแรงดันเพื่อให้โครงสร้างรอยต่อ PN

การฉีดพาหะการนำรูเอฟเอ็มในล่องลอย ) งานของร่างกายคือ P
มุ่งเน้นสูงสุดสนามไฟฟ้า
ท์ห่างจากสิ่งกีดขวางพื้นผิว นี้ช่วยให้ทำงานกับสูงกว่า
บัง แรงดันไฟฟ้า และข้อดีอีกคือ สูงกว่า
ความทนทานของอุปกรณ์ เนื่องจากวัสดุลักษณะ
SIC และข้อเท็จจริงอื่น ๆค่าใช้จ่ายการกู้คืนกลับเป็นหลัก unmeasurable
. ในการเชื่อมต่อทั้งสอง
พื้นฐานไดโอดด้วยกันจะส่งผลให้ลดการกระจายของข้างหน้า
ท์ที่ระดับปัจจุบันถึงสองสามครั้งอยู่ข้างหน้า
กระแสของไดโอดกับความสามารถเกินพิกัดขนาดใหญ่
และสูงกว่ากระแสสูงสุดของโครงสร้าง PN