Fig. 1 shows PL spectra of undoped

Fig. 1 shows PL spectra of undoped and Arþ-irradiated LiTaO3,
LiNbO3, KTaO3, SrTiO3, and BaTiO3 crystals at room temperature.
These crystals are indirect-gap semiconductors and the band-gap
energy of each crystal is indicated by the arrow [19–23]. Arþ ion
irradiation enhances the PL intensity in all samples. The PL
spectra of Arþ-irradiated samples are normalized at their peak
intensities. Here, note that Arþ ion irradiation causes oxygen
deficiencies in the surface region of oxide semiconductors
[6,24,25]. This oxygen-deficient layer shows metallic conduction
and emits the blue light at room temperature in Arþ-irradiated
SrTiO3 [6]. The PL properties of Arþ-irradiated SrTiO3 are very
similar to those of La-doped and Nb-doped SrTiO3 [9,15,16],
where the chemical substitution of La ions for Sr ions or Nb ions
for Ti ions produces electron carriers and these chemically doped
samples are metallic [26,27]. Thus, it is concluded that the
electron carriers doped by the oxygen deficiency play a dominant
role in enhancement of the blue PL band. This conclusion is
recently supported by PL properties of SrTiO3 nanoparticles [28].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 1 แสดงแรมสเป็คตรา PL ของ undoped และ Arþ irradiated LiTaO3LiNbO3, KTaO3, SrTiO3, BaTiO3 และผลึกที่อุณหภูมิห้องผลึกเหล่านี้จะอ้อมช่องว่างอิเล็กทรอนิกส์และวงช่องว่างพลังงานของแต่ละผลึกถูกบ่งชี้ ด้วยลูกศร [19-23] Arþ ไอออนวิธีการฉายรังสีช่วยเพิ่มความเข้มของ PL ในตัวอย่างทั้งหมด PLแรมสเป็คตราอย่าง Arþ irradiated มีตามปกติที่สูงสุดของพวกเขาปลดปล่อยก๊าซ ที่นี่ โปรดทราบว่า วิธีการฉายรังสีไอออน Arþ ทำให้ออกซิเจนข้ามภูมิภาคพื้นผิวของออกไซด์อิเล็กทรอนิกส์[6,24,25] ชั้นนี้ออกซิเจนไม่แสดงนำโลหะและแสงสีฟ้าที่อุณหภูมิห้องใน Arþ irradiated emitsSrTiO3 [6] คุณสมบัติ PL ของ SrTiO3 Arþ irradiated มีมากใกล้เคียงกับ SrTiO3 doped ลา และ Nb doped [9,15,16],ซึ่งการทดแทนกันลากัน Sr หรือ Nb กันเคมีสำหรับประจุตี้สร้างสายอิเล็กตรอนและสารเคมีเหล่านี้ dopedตัวอย่างที่เป็นโลหะ [26,27] ดังนั้น มันจะสรุปที่การสายอิเล็กตรอน doped โดยขาดออกซิเจนเล่นเป็นหลักบทบาทในการปรับปรุงวง PL สีน้ำเงิน บทสรุปนี้เป็นเมื่อเร็ว ๆ นี้ ได้รับการสนับสนุนจาก PL SrTiO3 เก็บกัก [28]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ 1 แสดงสเปกตรัมของ PL undoped และศศภท-ฉายรังสี LiTaO3,
LiNbO3, KTaO3, SrTiO3 และผลึก BaTiO3 ที่อุณหภูมิห้อง.
ผลึกเหล่านี้เป็นเซมิคอนดักเตอร์อ้อมช่องว่างและช่องว่างแถบ
พลังงานของแต่ละคริสตัลจะแสดงโดยลูกศร [19-23 ] ไอออนศศภท
การฉายรังสีช่วยเพิ่มความเข้มของ PL ในทุกตัวอย่าง PL
สเปกตรัมของตัวอย่างศศภท-ฉายรังสีจะปกติที่จุดสูงสุดของพวกเขา
เข้ม ที่นี่ทราบว่าการฉายรังสีศศภทไอออนทำให้เกิดออกซิเจน
บกพร่องในภูมิภาคพื้นผิวของเซมิคอนดักเตอร์ออกไซด์
[6,24,25] ชั้นออกซิเจนขาดนี้แสดงให้เห็นการนำโลหะ
และส่งเสียงแสงสีฟ้าที่อุณหภูมิห้องในศศภท-ฉายรังสี
SrTiO3 [6] คุณสมบัติของ PL SrTiO3 ศศภท-ฉายรังสีมีความ
คล้ายคลึงกับ La-เจือและ SrTiO3 Nb เจือ [9,15,16]
ที่ทดแทนสารเคมีของไอออนลาไอออน Sr หรือไอออน Nb
ไอออน Ti ผลิตและผู้ให้บริการอิเล็กตรอน เจือสารเคมีเหล่านี้
เป็นตัวอย่างโลหะ [26,27] ดังนั้นจึงสรุปได้ว่า
ผู้ให้บริการอิเล็กตรอนเจือจากการขาดออกซิเจนเล่นที่โดดเด่น
มีบทบาทในการเพิ่มประสิทธิภาพของวง PL สีฟ้า ข้อสรุปนี้
ได้รับการสนับสนุนเมื่อเร็ว ๆ นี้โดยคุณสมบัติของอนุภาคนาโน PL SrTiO3 [28]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 1 แสดงสเปกตรัมของโลหะในสารประกอบที่จะþฉายรังสีและ AR - litao3
ktao3 , ผลึก , ผลึก , srtio3 และ batio3 ที่อุณหภูมิห้อง ผลึกเหล่านี้จะซื้อทางอ้อม
ช่องว่างและช่องว่างแถบพลังงานของผลึกแต่ละ
แสดงโดยลูกศร [ 19 – 23 ] เกี่ยวกับการฉายรังสีไอออน
þเพิ่มความเข้มในสิ่งที่ทุกตัวอย่าง PL
สเปกตรัมของ AR þ - ฉายรังสีตัวอย่างรูปที่ความเข้มสูงสุด
. ที่นี่ทราบว่า AR þไอออนการฉายรังสีสาเหตุบกพร่องออกซิเจน
ในพื้นผิวเขตของออกไซด์สารกึ่งตัวนำ
[ 6,24,25 ] นี้แสดงให้เห็นการขาดออกซิเจน
ชั้นโลหะและเปล่งแสงสีฟ้าที่อุณหภูมิห้องใน AR þ - 1
srtio3 [ 6 ] พี คุณสมบัติของ AR þ - ฉายรังสี srtio3 มาก
คล้ายกับบรรดาของลาและเจือด้วย NB srtio3 9,15,16
[ ] ,ที่เคมีทดแทนลาไอออนไอออนไอออนสำหรับ SR หรือ NB
ทิไอออนสร้างสิ่งกระตุ้นเหล่านี้เคมีเจือ
ตัวอย่างโลหะ [ 26,27 ] ดังนั้น จึงสรุปได้ว่า อิเล็กตรอนตัวนำเจือด้วย

ขาดออกซิเจนมีบทบาทเด่นในการเพิ่มประสิทธิภาพของพวกเขา วงสีฟ้า ข้อสรุปนี้ได้รับการสนับสนุนโดยคุณสมบัติของ
เมื่อเร็วๆ นี้ คุณ srtio3 นาโน [ 28 ]