sub-0.5 e−rms temporal read noiseVG

sub-0.5 e−
rms temporal read noise
VGA (640H×480V) CMOS image sensor has been integrated
in a standard 0.18 μm 4PM CMOS process. The low noise
performance is achieved exclusively through circuit optimization
without any process refinements. The presented imager relies
on a 4T pixel of 6.5 μm pitch with a properly sized and biased
thin oxide PMOS source follower. A full characterization of
the proposed image sensor, at room temperature, is presented.
With a pixel bias of 1.5μA the sensor chip features an
input-referred noise histogram from 0.25 e−
rms to a few e−
rms
peaking at 0.48 e−
rms. The imager features a full well capacity
of 6400 e− and its frame rate can go up to 80 fps. It also features
a fixed pattern noise as low as 0.77%, a lag of 0.1% and a dark
current of 5.6 e−
/s. It is also shown that the implementation of
the in-pixel n-well does not impact the quantum efficiency of
the pinned photo-diode.
Index Terms—CMOS, CIS, image sensor, low noise,
sub-electron, low light, 1/ f noise, thermal noise, thin oxide, thick
oxide.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

e− ย่อย-0.5rms ขมับเสียงอ่านเซ็นเซอร์ภาพ CMOS VGA (640 H × 480V) ได้ถูกรวมเข้าในμ m 0.18 เป็นมาตรฐาน 4 PM CMOS กระบวนการ สัญญาณรบกวนต่ำประสิทธิภาพคือความสำเร็จเพิ่มประสิทธิภาพวงจรเฉพาะโดยไม่ต้องปรับแต่งใด ๆ กระบวนการ อาศัย imager นำเสนอบนพิกเซล 4 ทีของ 6.5 μ m สนามพร้อมขนาดเหมาะ และลำเอียงออกไซด์บาง PMOS แหล่งผู้ติดตาม สิงเต็มเซนเซอร์ภาพนำเสนอ อุณหภูมิห้อง นำเสนอด้วยอคติพิกเซลของ 1.5μA เซนเซอร์ชิคุณสมบัติการฮิสโตแกรมของเสียงเรียกเข้าจาก 0.25 e−rms ไปกี่ e−rmsจุดที่ 0.48 e−rms ระดับที่มีกำลังการผลิตดี6400 e− และโครงกรอบ ราคาสามารถไปถึง 80 fps อีกทั้งยังมีเสียงรูปแบบคงที่ต่ำสุด 0.77%, 0.1% ช่วงห่าง และความมืดปัจจุบันของ 5.6 e−/ s ก็ยังแสดงให้เห็นว่าการดำเนินการพิกเซลดี n ส่งผลกระทบต่อประสิทธิภาพของควอนตัมการตรึงภาพไดโอดกำหนดดัชนี — CMOS, CIS เซ็นเซอร์ภาพ เสียง ต่ำอิเล็กตรอนย่อย แสง 1 / f เสียง ความร้อนเสียง บาง ออกไซด์หนาออกไซด์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ย่อย 0.5 E-
RMS ชั่วคราวอ่านเสียง
VGA (640H × 480V) เซ็นเซอร์รับภาพ CMOS ได้รับการรวม
อยู่ในมาตรฐานกระบวนการ 0.18 ไมครอน 16:00 CMOS เสียงต่ำ
ประสิทธิภาพการทำงานจะประสบความสำเร็จโดยเฉพาะการเพิ่มประสิทธิภาพของวงจร
โดยไม่ต้องปรับแต่งกระบวนการใด ๆ อิมเมจนำเสนออาศัย
บนพิกเซล 4T 6.5 ไมโครเมตรสนามที่มีขนาดใหญ่และถูกต้องลำเอียง
ออกไซด์ PMOS บางติดตามแหล่งที่มา ลักษณะเต็มรูปแบบของ
เซ็นเซอร์รับภาพที่นำเสนอที่อุณหภูมิห้องจะนำเสนอ.
มีอคติของพิกเซล1.5μAชิปเซ็นเซอร์มี
histogram เสียงการป้อนข้อมูลอ้างอิงจาก 0.25 E-
RMS กับ E- กี่
RMS
จุดที่ 0.48 E-
RMS . อิมเมจมีกำลังการผลิตที่ดีเต็มรูปแบบ
ของ e-6400 และอัตราเฟรมของมันสามารถไปได้ถึง 80 เฟรมต่อวินาที นอกจากนี้ยังมี
เสียงรูปแบบคงที่ต่ำเป็น 0.77%, ความล่าช้าของ 0.1% และมืด
ปัจจุบัน 5.6 E- /
S นอกจากนี้ยังแสดงให้เห็นว่าการดำเนินการ
ในพิกเซล N-กันไม่ได้ส่งผลกระทบต่อประสิทธิภาพการใช้ควอนตัม
ตรึงภาพไดโอด.
ข้อตกลง-CMOS ดัชนี CIS, เซ็นเซอร์รับภาพ, เสียงต่ำ, การ
ย่อยอิเล็กตรอนที่มีแสงน้อย 1 / เสียง F เสียงความร้อนบางออกไซด์หนา
ออกไซด์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

sub-0.5 E บริษัท เวสเทิร์นเสียงอ่าน และเรืVGA ( 640h × 480v ) เซ็นเซอร์รับภาพแบบ CMOS ได้ในมาตรฐาน 0.18 μ M 4 วงจรกระบวนการ เสียงรบกวนต่ำงานได้เฉพาะผ่านวงจรเพิ่มประสิทธิภาพไม่มีกระบวนการการปรับแต่ง . เสนอภาพต้องอาศัยบน 4T พิกเซลของ 6.5 μ M ระยะห่างกับถูกขนาด และอคติบาง pmos ออกไซด์แหล่งผู้ตาม เต็มคุณลักษณะของการนำเสนอภาพเซ็นเซอร์ ที่อุณหภูมิ ห้องแสดงกับอคติของพิกเซล 1.5 μคุณสมบัติเซ็นเซอร์ชิปเป็นข้อมูลอ้างอิงจากกราฟเสียงและ− 3อาร์เอ็มเอสกี่ E บริษัท เวสเทิร์นอาร์เอ็มเอสจุดที่ E − .RMS . ภาพที่ประกอบด้วยความจุเต็มดีของ 6400 E −และอัตราเฟรมสามารถไปถึง 80 fps ยัง คุณสมบัติเป็นรูปแบบคงที่เสียงต่ำสุดที่ 0.77 % , ความล่าช้าของ 0.1% และมืดปัจจุบัน บริษัท เวสเทิร์น เข้าอี/ s . นอกจากนี้ยังแสดงให้เห็นว่าการนำในพิกเซละไม่ส่งผลกระทบต่อประสิทธิภาพควอนตัมที่ติดภาพไดโอดดัชนีเงื่อนไข CMOS CIS , เซ็นเซอร์ , ภาพเสียงรบกวนต่ำอิเล็กตรอน , ซับแสงน้อย 1 / F , เสียง , เสียง , ความร้อนบางชนิดหนาออกไซด์