Abrupt boundaries between different

Abrupt boundaries between different semiconductor layers are formed by several methods, such as Molecular Beam Epitaxy (MBE, developed by A.Y. Cho, J.R. Arthur and others) and Metallo-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD, with H. Manasevit as an important inventor).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขอบอย่างกระทันหันระหว่างชั้นสารกึ่งตัวนำที่แตกต่างเกิดขึ้น โดยวิธีการต่าง ๆ เช่นโมเลกุล Beam Epitaxy (MBE พัฒนา โดยโจ A.Y. อาร์ เธอร์ J.R. และอื่น ๆ) และอินทรีย์ Metallo สะสมไอสารเคมี (MOCVD กับ H. Manasevit เป็นนักประดิษฐ์สำคัญ)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขอบเขตอย่างกระทันหันระหว่างเซมิคอนดักเตอร์ชั้นที่แตกต่างกันจะเกิดขึ้นจากวิธีการต่างๆเช่นโมเลกุลลำแสง epitaxy (MBE พัฒนาโดย AY โชอาร์เธอร์จูเนียร์และอื่น ๆ ) และโลหะอินทรีย์เคมีสะสมไอ (MOCVD กับเอช Manasevit เป็นนักประดิษฐ์ที่สำคัญ)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขอบเขตทันทีทันใดระหว่างชั้นสารกึ่งตัวนำต่าง ๆที่เกิดขึ้นโดยวิธีการต่างๆเช่นสร้างลำแสงโมเลกุล ( MBE , ที่พัฒนาโดย a.y. โช เจ. อาร์. อาร์ และอื่น ๆ ) และไอสารเคมีอินทรีย์แบบเมทัลโล ( mocvd กับ H . manasevit เป็นนักประดิษฐ์ที่สำคัญ )