Microelectronics has been the most

Microelectronics has been the most important driving force for almost all kinds of technology evolutions in the past four decades.1,2 The size of the metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor, which underpins Si microelectronics, has been reduced to a factor of 1,000 (Fig. 1). Silicon MOS technology has now been developed into two extremes: as fine as nanometer size in the device structures and as large as gigascale in terms of number of transistors in a chip. The downsizing rate of the MOS component is really impressive; now, we have sub-100 nm gate length transistors in production and R&D for 5 nm gate length devices is also on the way.2 The technology is expected to continue its historical advancing rate with Moore’s law for a couple of decades although there are many constraints ahead (Fig.2).3 [Editorial Note: This topic has been addressed recently in these magazine pages, see Interface, Spring 2005.] With this trend, the silicon gate oxide will be scaled down to its physical limit4 to keep the proper functioning of the transistors in the sub-10 nm technology node.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ได้รับแรงผลักดันที่สำคัญที่สุดสำหรับเกือบทุกชนิดของวิวัฒนาการของเทคโนโลยีในการที่ผ่านมาสี่ decades.1,2 ขนาดของโลหะออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์ (MOS) ทรานซิสเตอร์ซึ่งรมย์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ศรีได้รับการลดปัจจัย 1000 (รูปที่ 1). MOS เทคโนโลยีซิลิกอนขณะนี้ได้รับการพัฒนาเป็นสองขั้ว: เป็นปรับเป็นขนาดนาโนเมตรในโครงสร้างอุปกรณ์และมีขนาดใหญ่เป็น gigascale ในแง่ของจำนวนของทรานซิสเตอร์ในชิป อัตราการลดขนาดขององค์ประกอบ MOS เป็นที่น่าประทับใจจริงๆ; ตอนนี้เรามีทรานซิสเตอร์ประตูยาวย่อย 100 นาโนเมตรในการผลิตและ R & D สำหรับ 5 อุปกรณ์ประตูยาวนาโนเมตรนอกจากนี้ยังบน way.2 เทคโนโลยีที่คาดว่าจะยังคงอัตราก้าวหน้าทางประวัติศาสตร์ที่มีกฎของมัวร์สำหรับคู่ของทศวรรษที่ผ่านมาแม้ว่าจะมีจำนวนมาก ข้อ จำกัด ข้างหน้า (รูปที่ 2) 0.3 [หมายเหตุบรรณาธิการ: หัวข้อนี้ได้รับการแก้ไขเร็ว ๆ นี้ในหน้านิตยสารเหล่านี้ให้ดูการเชื่อมต่อของฤดูใบไม้ผลิปี 2005] กับแนวโน้มนี้ซิลิกอนออกไซด์ประตูจะถูกปรับลงไป limit4 ทางกายภาพที่จะให้ การทำงานที่เหมาะสมของทรานซิสเตอร์ในโหนดเทคโนโลยีนาโนเมตรย่อย 10

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ได้รับแรงผลักดันที่สำคัญที่สุดสำหรับเกือบทุกชนิดของวิวัฒนาการเทคโนโลยีในช่วงสี่ทศวรรษที่ผ่านมา การ 1 , 2 ขนาดของโลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำ ( MOS ) ทรานซิสเตอร์ ซึ่งสนับสนุนจังหวัดและได้รับการลดปัจจัย 1 , 000 ( รูปที่ 1 ) เทคโนโลยีซิลิคอน MOS ได้ถูกพัฒนาเป็นสองสุดขั้ว :สวยขนาดนาโนเมตรในอุปกรณ์โครงสร้างและมีขนาดใหญ่เป็น gigascale ในแง่ของจำนวนทรานซิสเตอร์ในชิป การลดอัตรา mos เป็นองค์ประกอบที่น่าประทับใจจริงๆ ตอนนี้เราได้ sub-100 ความยาว nm ประตูทรานซิสเตอร์ในการผลิตและ R & D 5 อุปกรณ์ความยาวประตู nm ยังเป็นวิธี2 เทคโนโลยีที่คาดว่าจะยังคงอัตราก้าวหน้าของประวัติศาสตร์กับกฏของมัวร์ สองสามทศวรรษที่ผ่านมาแม้ว่าจะมีหลายงานเลย ( fig.2 ) 3 [ บรรณาธิการหมายเหตุ : หัวข้อนี้ได้รับการแก้ไขล่าสุดในหน้านิตยสารเหล่านี้เห็นอินเตอร์เฟซ , ฤดูใบไม้ผลิ 2005 ] กับแนวโน้มนี้ซิลิกอนเกทออกไซด์จะลดระดับลงมา limit4 ทางกายภาพเพื่อให้การทำงานที่เหมาะสมของทรานซิสเตอร์ใน sub-10 nm เทคโนโลยีโหนด