We demonstrate dual interface forma

We demonstrate dual interface formation in nanocrystals (NCs) through cation exchange, creating epitaxial heterostructures within spherical NCs. The thickness of the inner-disk layer can be tuned to form two-dimensional (2D), single atomic layers (

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราสาธิตสร้างอินเทอร์เฟซสองใน nanocrystals (NCs) ผ่านแลกเปลี่ยน การสร้าง heterostructures epitaxial ภายในทรงกลม NCs ความหนาของชั้นภายในดิสก์สามารถปรับแต่งฟอร์มสองมิติ (2D), ชั้นอะตอมเดี่ยว (< 1 nm) ในระหว่างปฏิกิริยาแลกเปลี่ยนจากทองแดงซัลไฟด์สังกะสีซัลไฟด์ (ZnS), เราสังเกตการเปลี่ยนแปลงของเฟสของแข็ง – ของแข็งของเฟสทองแดงซัลไฟด์ใน heterostructured NCs เป็นปฏิกิริยาแลกเปลี่ยนเริ่มต้น ไอออน Cu ถูกแทนที่ ด้วยไอออน Zn ที่อินเทอร์เฟซการอาศัยในตำแหน่ง Cu ที่แท้จริงอยู่ในระยะเริ่มต้น roxbyite (Cu1.81S) ของทองแดงซัลไฟด์ กระตุ้นให้เกิดการเปลี่ยนเฟสเต็มไป djurleite (Cu1.94S) / ต่ำ chalcocite (Cu2S), ขั้นตอนการมีเสถียรภาพมากขึ้น thermodynamically มากกว่า roxbyite ขณะที่ปฏิกิริยาดำเนิน และลดขนาดของซัลไฟด์ทองแดง ชั้น สายพันธุ์ epitaxial ที่อินเทอร์เฟซระหว่างทองแดงซัลไฟด์และ ZnS เพิ่ม และจะขยายเป็นทองแดงซัลไฟด์ดิสก์ ∼5 nm หนา เพื่อลดพลังงานสายพันธุ์นี้ การเปลี่ยนแปลงระยะที่สองเกิดขึ้นกลับไปที่ระยะ roxbyite ซึ่งหุ้น sublattice กำมะถันที่คล้ายการ wurtzite ZnS การสังเกตการเปลี่ยนแปลงของเฟสของแข็ง – ของแข็งใน heterostructured ของเราเฉพาะ NCs มีทางเดินใหม่เพื่อควบคุมระยะที่ต้องการและความเข้าใจในอิทธิพลของการแลกเปลี่ยนในการเปลี่ยนเฟส nanoscale heterostructured วัสดุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราแสดงให้เห็นถึงการพัฒนาอินเตอร์เฟซสองในนาโนคริสตัล (NCS) ผ่านการแลกเปลี่ยนไอออนบวก, การสร้าง heterostructures epitaxial ภายในทรงกลม NCs ความหนาของชั้นดิสก์ที่สามารถปรับรูปแบบสองมิติ (2D) ชั้นอะตอมเดียว (<1 นาโนเมตร) ในช่วงการเกิดปฏิกิริยาการแลกเปลี่ยนประจุบวกจากซัลไฟด์ทองแดงสังกะสีซัลไฟด์ (ZnS) เราสังเกตการเปลี่ยนแปลงของแข็งของแข็งเฟสทองแดงซัลไฟด์ใน NCs heterostructured ในฐานะที่เป็นปฏิกิริยาการแลกเปลี่ยนประจุบวกจะเริ่มทองแดงไอออนแทนที่ด้วยสังกะสีไอออนที่อินเตอร์เฟซที่มีการอาศัยในภายใน Cu เว็บไซต์แทนตำแหน่งที่ว่างอยู่ใน roxbyite ครั้งแรก (Cu1.81S) ขั้นตอนของซัลไฟด์ทองแดงการกระตุ้นให้เกิดการเปลี่ยนเฟสที่เต็มไป djurleite (Cu1.94S ) / chalcocite ต่ำ (Cu2S) ซึ่งเป็นขั้นตอนที่มีเสถียรภาพมากขึ้นกว่า thermodynamically roxbyite ในฐานะที่เป็นปฏิกิริยาและลดขนาดของชั้นทองแดงซัลไฟด์ที่เครียด epitaxial ในการเชื่อมต่อระหว่างซัลไฟด์ทองแดงและ ZnS เพิ่มขึ้นและมีการขยายสำหรับดิสก์ทองแดงซัลไฟด์ ~5 นาโนเมตรหนา เพื่อลดพลังงานความเครียดนี้การเปลี่ยนแปลงที่เกิดขึ้นระยะที่สองกลับไปที่เฟส roxbyite ซึ่งหุ้น sublattice กำมะถันคล้ายกับ wurtzite ZnS การสังเกตของการเปลี่ยนเฟสของแข็งที่มั่นคงใน NCs heterostructured ที่ไม่ซ้ำกันของเรายังมีทางเดินใหม่ในการควบคุมขั้นตอนที่ต้องการและความเข้าใจในอิทธิพลของการแลกเปลี่ยนประจุบวกในช่วงช่วงนาโนในวัสดุ heterostructured

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราแสดงให้เห็นถึงการสร้างอินเตอร์เฟซแบบสอง nanocrystals ( NCS ) ผ่านการแลกเปลี่ยน การสร้าง epitaxial heterostructures ภายใน NCS ทรงกลม ความหนาของชั้นดิสก์ภายในสามารถปรับรูปแบบสองมิติ ( 2D ) , เดียวของชั้น ( < 1 nm ) ในการแลกเปลี่ยนประจุบวกปฏิกิริยาจากทองแดงซัลไฟด์สังกะสีซัลไฟด์ ( zns ) เราสังเกตการเปลี่ยนแปลงของเฟสของแข็งและของแข็งทองแดงซัลไฟด์ ในขั้นตอน heterostructured NCS . เป็นปฏิกิริยาการแลกเปลี่ยนไอออนบวกริเริ่ม , ทองแดงไอออนสังกะสีไอออนที่ถูกแทนที่ด้วยอินเทอร์เฟซที่อาศัยในที่ว่างภายในจุฬาฯ เว็บไซต์ปัจจุบันใน roxbyite เริ่มต้น ( cu1.81s ) ระยะของทองแดงซัลไฟด์ , กระตุ้นการเปลี่ยนเฟสเต็ม djurleite ( cu1.94s ) / ชาลโคไซต์ต่ำ ( cu2s ) เพิ่มเติม thermodynamically มั่นคงระยะกว่า roxbyite . เป็นปฏิกิริยาและลดขนาดของชั้นทองแดงซัลไฟด์ , epitaxial สายพันธุ์ที่การเชื่อมต่อระหว่างทองแดงซัลไฟด์ และ zns เพิ่มขึ้น และจะขยายเป็นทองแดงซัลไฟด์ดิสก์∼ 5 nm หนา การลดเชื้อพลังงานการเปลี่ยนเฟสที่สองเกิดขึ้นกลับไป roxbyite เฟสซึ่งหุ้น sublattice ซัลเฟอร์คล้ายกับ wurtzite zns . โดยสังเกตจากการเปลี่ยนเฟสของแข็งและของแข็งใน NCS heterostructured เฉพาะของเราให้ใหม่ ) เพื่อควบคุมระยะที่ต้องการ และข้อมูลเชิงลึกในการแลกเปลี่ยนประจุบวกกับอิทธิพลของนาโนสเกลระยะการเปลี่ยนแปลงใน heterostructured วัสดุ