intensity in 2h = 34.2 (d = 2.62 A˚ ) , which is characteristic of hexagonal polytype of SiC, usually represented by a-SiC. Therefore, it can be concluded that the SiC synthesized consists mainly of SiC cubic type (b-SiC) with a small amount of a-SiC. These results are consistent with reported literature results (Preiss et al., 1995; Qian et al., 2004; Shen et al., 2007; Ding et al., 2014). In addition, a broad and wide peak ( around
2h 22) attributable to silica, as cristobalite, appeared, which might be associated with unreacted silica (Zhokhov et al., 2009; Ye et al., 2012). This result is also confirmed by the FTIR spectrum, with the appearance of Si–O–Si bond. Fig. 6b shows the XRD pattern of the SiC obtained after acid etching with HF, having higher purity SiC, disappearing the characteristic peak of residual silica at 2h 22.
intensity in 2h = 34.2 (d = 2.62 A˚ ) , which is characteristic of hexagonal polytype of SiC, usually represented by a-SiC. Therefore, it can be concluded that the SiC synthesized consists mainly of SiC cubic type (b-SiC) with a small amount of a-SiC. These results are consistent with reported literature results (Preiss et al., 1995; Qian et al., 2004; Shen et al., 2007; Ding et al., 2014). In addition, a broad and wide peak ( around2h 22) attributable to silica, as cristobalite, appeared, which might be associated with unreacted silica (Zhokhov et al., 2009; Ye et al., 2012). This result is also confirmed by the FTIR spectrum, with the appearance of Si–O–Si bond. Fig. 6b shows the XRD pattern of the SiC obtained after acid etching with HF, having higher purity SiC, disappearing the characteristic peak of residual silica at 2h 22.
การแปล กรุณารอสักครู่..
ความเข้มใน 2h = 34.2 (d = 2.62 A) ซึ่งเป็นลักษณะของ polytype หกเหลี่ยมของ SiC แทนโดยปกติ-SiC ดังนั้นจึงสามารถสรุปได้ว่า SiC สังเคราะห์ส่วนใหญ่ประกอบด้วยดังนี้ลูกบาศก์ประเภท (ข-SiC) มีจำนวนน้อยของ-SiC ผลลัพธ์เหล่านี้มีความสอดคล้องกับผลการรายงานวรรณกรรม (Preiss, et al, 1995;. เควน et al, 2004;. Shen et al, 2007;.. Ding et al, 2014) นอกจากนี้จุดสูงสุดในวงกว้างและกว้าง (ประมาณ
2 ชั่วโมง 22) ส่วนที่เป็นซิลิกาเป็น cristobalite ปรากฏซึ่งอาจจะเกี่ยวข้องกับซิลิกา unreacted (Zhokhov et al, 2009;.. เจ้า et al, 2012) ผลที่ได้นี้ยังได้รับการยืนยันโดยคลื่นความถี่ FTIR ด้วยการปรากฏตัวของ Si-O-ศรีตราสารหนี้ รูป 6b แสดงให้เห็นถึงรูปแบบ XRD ของ SiC ได้รับหลังจากที่มีการแกะสลักกรด HF ที่มีความบริสุทธิ์สูง SiC หายไปยอดเขาลักษณะของซิลิกาที่เหลือที่ 2h 22
การแปล กรุณารอสักครู่..
ความเข้มใน 2H = 34.2 ( D = 2.62 ˚ ) ซึ่งเป็นลักษณะของ polytype หกเหลี่ยมของ sic มักจะแสดงโดยฟิล์มบางอะมอร์ฟัส . ดังนั้นจึงสามารถสรุปได้ว่า SIC สังเคราะห์ประกอบด้วยส่วนใหญ่ของ SIC ลูกบาศก์ชนิด ( b-sic ) กับจำนวนเล็ก ๆของฟิล์มบางอะมอร์ฟัส . ผลลัพธ์เหล่านี้สอดคล้องกับรายงานผลวรรณกรรม ( preiss et al . , 1995 ; เฉียน et al . , 2004 ; Shen et al . , 2007 ; ติง et al . , 2010 )นอกจากนี้ ช่วงกว้างและกว้าง ( ประมาณ
2H 22 ) จากซิลิกาเป็น cristobalite ที่ปรากฏ ซึ่งอาจจะเกี่ยวข้องกับเข้าสู่ซิลิกา ( zhokhov et al . , 2009 ; ท่าน et al . , 2012 ) ผลนี้ยังได้รับการยืนยันโดย FTIR สเปกตรัมที่มีลักษณะของศรี– O –ศรีพันธบัตร รูปบนแสดงวิเคราะห์รูปแบบของ SIC ที่ได้รับหลังจากกัดกรดกับ HF มีความบริสุทธิ์สูงกว่า Sic ,หายไปสูงสุดลักษณะของซิลิกาตกค้างที่ 2H
22 .
การแปล กรุณารอสักครู่..