Ion implantation profiles of boron

Ion implantation profiles of boron after a BF3 plasma
immersion ion implantation in a plasma implanter with a pulsed
voltage ion extraction were investigated both experimentally and
by means of numerical simulation. Boron profiles for different
ion implantation doses in the range 1015 to 1017 cm-2 were
measured using the SIMS method. Simulations were performed
using a Monte-Carlo based binary-collision approach for ion
implantation. A good reproduction of the measured boron
profiles was obtained using a double-exponential energetic
spectrum of the boron ions.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โพรไฟล์ฤทธิ์ไอออนของโบรอนจากพลาสมา BF3ฤทธิ์ไอออนแช่ใน implanter พลาสมาด้วยการพัลแรงสกัดไอออนถูกสอบสวนทั้ง experimentally และโดยจำลองการ โบรอนโปรไฟล์สำหรับแตกต่างกันปริมาณไอออนฤทธิ์อยู่ในช่วง 1015 1017 ซม. 2วัดโดยใช้วิธีซิมส์ มีดำเนินการจำลองใช้ Monte-Carlo ใช้วิธีชนไบนารีสำหรับไอออนฤทธิ์ การสืบพันธุ์ดีของโบรอนที่วัดโพรไฟล์ได้รับใช้คู่เนนมีพลังสเปกตรัมของประจุโบรอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไอออนโปรไฟล์การฝังของโบรอนหลังจากที่พลาสม่า BF3
ฝังแช่ไอออนในการจองใช้พลาสม่าที่มีชีพจร
สกัดไอออนแรงดันไฟฟ้าที่ได้รับการตรวจสอบทั้งสองการทดลองและ
ด้วยวิธีการจำลองเชิงตัวเลข โปรไฟล์โบรอนที่แตกต่างกันสำหรับ
ปริมาณไอออนในช่วง 1015-1017 เซนติเมตร-2 ถูก
วัดโดยใช้วิธีการ SIMS จำลองได้ดำเนินการ
โดยใช้ Monte-Carlo ตามวิธีไบนารีชนไอออนสำหรับ
การปลูกถ่าย การทำสำเนาที่ดีของโบรอนวัด
โปรไฟล์ได้โดยใช้พลังดับเบิลชี้แจง
สเปกตรัมของไอออนโบรอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไอออนปลูกฝังโปรไฟล์ของโบรอนหลังจาก BF3 พลาสมา
แช่ฝังไอออนในพลาสมาด้วยการฝัง
แรงดันการสกัดไอออน ทำการทดลองและ
ทั้งโดยวิธีการจำลองเชิงตัวเลข โบรอนโปรไฟล์สำหรับแตกต่างกัน
ฝังไอออนปริมาณในช่วงตกลงที่จะให้มี cm-2
วัดโดยใช้ซิม จำลองการ
โดยใช้วิธีมอนติคาร์โล การชนแบบไบนารีสำหรับไอออน
ฝังตาม การสืบพันธุ์ของวัดโบรอน
โปรไฟล์ได้รับการใช้ซ้อนแทนขัน
สเปกตรัมของธาตุโบรอน ไอออน