The copper films were deposited by

The copper films were deposited by electron
beam evaporation onto Ti/Si substrates, in which Ti film was first deposited on silicon substrate to serve
as adhesion layer. The structure characterization revealed that these nanowires are monoclinic structured
single crystallites. The effects of different growth parameters, namely, annealing time, annealing
temperature, and film thickness on the fabrication of the CuO nanowires were investigated by scanning
electron microscopy. A typical procedure simply involved the thermal oxidation of these substrates in air
and within the temperature range from 300 to 700 ◦C. It is found that nanowires can only be formed at
thermal temperature of 400 ◦C. It is observed that the growth time has an important effect on the length
and density of the CuO nanowires, whereas the average diameter is almost the same, i.e.50 nm. Different
from the vapor–liquid–solid (VLS) and vapor–solid (VS) mechanism, the growth of nanowires is found to
be based on the accumulation and relaxation of the stress.
© 2011 Elsevier B.V. All rights reserved

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มทองแดงฝากเงิน โดยอิเล็กตรอนระเหยของแสงบนพื้นผิว/ซีตี้ ในตี้ที่ฟิล์มเป็นครั้งแรกฝากบนพื้นผิวซิลิกอนเพื่อเป็นชั้นยึดเกาะ เปิดเผยจำแนกโครงสร้าง nanowires นี้ monoclinic โครงสร้างcrystallites เดียว ผลของการเจริญเติบโตแตกต่างกันพารามิเตอร์ ได้แก่ การอบเหนียวเวลา การอบเหนียวมีการตรวจสอบอุณหภูมิ และความหนาของฟิล์มในงานของ CuO nanowires โดยการสแกนอิเล็กตรอน microscopy การ ขั้นตอนทั่วไปก็เกี่ยวข้องกับออกซิเดชันความร้อนของพื้นผิวเหล่านี้ในอากาศและ ในช่วงอุณหภูมิตั้งแต่ 300 ถึง 700 ◦C จะพบว่า การ nanowires เท่านั้นสามารถเกิดขึ้นที่อุณหภูมิความร้อนของ 400 ◦C แล้วหรือไม่ที่เมื่อเจริญเติบโตมีผลสำคัญกับความยาวและความหนาแน่นของ CuO nanowires เส้นผ่าศูนย์กลางเฉลี่ยเป็น เกือบจะเดียวกัน i.e.50 nm แตกต่างกันไอของเหลวของแข็ง (VLS) และกลไก (VS) ไอ – ของแข็ง การเติบโตของ nanowires เป็นพบจะขึ้นอยู่กับการสะสมและการผ่อนคลายความเครียด© 2011 Elsevier b.v สงวนลิขสิทธิ์ทั้งหมด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพยนตร์ทองแดงฝากอิเล็กตรอนระเหยคานบนพื้นผิวตี / ศรีซึ่งในภาพยนตร์เรื่องนี้ได้รับการตีฝากครั้งแรกบนพื้นผิวซิลิกอนที่จะทำหน้าที่เป็นชั้นการยึดเกาะ ลักษณะโครงสร้างเปิดเผยว่า nanowires เหล่านี้เป็น monoclinic โครงสร้างcrystallites เดียว ผลของการเจริญเติบโตที่แตกต่างกันพารามิเตอร์คือเวลาหลอมหลอมอุณหภูมิและความหนาของฟิล์มในการผลิตของ nanowires ออกไซด์ได้รับการตรวจสอบโดยการสแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน ขั้นตอนโดยทั่วไปก็มีส่วนร่วมออกซิเดชันความร้อนของพื้นผิวเหล่านี้ในอากาศและในช่วงอุณหภูมิ 300-700 ◦C นอกจากนี้ยังพบว่า nanowires เท่านั้นที่สามารถเกิดขึ้นที่อุณหภูมิความร้อนของ400 ◦C มันเป็นที่สังเกตว่าเวลาการเจริญเติบโตมีผลกระทบที่สำคัญเกี่ยวกับความยาวและความหนาแน่นของเส้นลวดนาโนออกไซด์ในขณะที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางเฉลี่ยอยู่ที่เกือบจะเหมือนกัน ie50 นาโนเมตร ที่แตกต่างจากไอของเหลวของแข็ง (VLS) และไอแข็ง (VS) กลไกการเจริญเติบโตของเส้นลวดนาโนที่พบจะต้องขึ้นอยู่กับการสะสมและการผ่อนคลายความเครียด. © 2011 Elsevier BV สงวนลิขสิทธิ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟิล์มทองแดงฝากโดยการระเหยบนคานอิเล็กตรอน
Ti / ศรีพื้นผิวที่ Ti ภาพยนตร์เป็นครั้งแรกฝากซิลิคอนให้
เป็นชั้นพังผืด โครงสร้าง คุณสมบัติ พบว่านาโนเหล่านี้เป็นแบบโมโนคลินิก
เดียว crystallites . ผลของพารามิเตอร์การเติบโตที่แตกต่างกันคือ annealing การอบ
อุณหภูมิ , เวลาความหนาของฟิล์มและในการผลิตของนาโน 2 ( ศึกษาด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด
. ขั้นตอนทั่วไปที่เกี่ยวข้องกับการเพียงแค่ความร้อนของพื้นผิวเหล่านี้ในอากาศ
และภายในช่วงอุณหภูมิตั้งแต่ 300 ถึง 700 ◦ C พบว่านาโนที่สามารถเกิดขึ้นที่อุณหภูมิความร้อนของ 400 ◦
Cมันเป็นที่สังเกตว่าเวลาการเจริญเติบโตมีผลสำคัญต่อความยาวและความหนาแน่นของ
2 ( นาโน ส่วนเส้นผ่านศูนย์กลางเฉลี่ยเกือบเดียวกัน i.e.50 nm . แตกต่างจากไอเป็นของเหลว )
) แข็ง ( vls ) และไอ - ของแข็ง ( VS ) กลไกการเจริญเติบโตของนาโนที่พบ

จะขึ้นอยู่กับการสะสมและผ่อนคลายจากความเครียด
© 2011 สามารถนำเสนอสงวนลิขสิทธิ์