bulk solid produces an electrondefi

bulk
solid produces
an electrondeficient
site.
This introduces
a discrete,
unoccupied level
into
the band structure (Figure 5.13a). The band gap that
separates this level from the lower-lying occupied band is
small (10 kJ mol
1) and thermal population of the acceptor
level is possible. The acceptor levels remain discrete if the
concentration of Ga atoms is low, and in these circumstances
the electrons in them do not contribute directly to the
electrical conductance of the semiconductor. However, the
positive holes
left behind
in the valence
band act
as charge
carriers;
one can
think
either
in terms of an electron
moving into the hole, thereby leaving another hole into
which another electron can move and so on, or in terms of
the movement of positive holes (in the opposite direction
to the electron migration). This gives rise to a p-type ( p
stands for positive) semiconductor. Other group 13 dopants
for Si are B and Al.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จำนวนมาก ผลิตผลไม้ electrondeficient การเว็บไซต์ นี้แนะนำ แยก ระดับว่างลงใน โครงสร้างวง (รูป 5.13a) แถบช่องว่างที่แยกเป็นระดับจากล่างนอนวงยึดครองขนาดเล็ก (10 kJ mol 1) และประชากรให้เป็นผู้ที่รับความร้อนระดับเป็นไปได้ ระดับให้เป็นผู้รับยังคงแยกกันถ้าการความเข้มข้นของอะตอม Ga เป็น ต่ำ และ ในสถานการณ์เช่นนี้อิเล็กตรอนในพวกเขาไม่สนับสนุนโดยตรงไปการนำพาไฟฟ้าของสารกึ่งตัวนำที่ อย่างไรก็ตาม การหลุมบวก ทิ้ง ในการวาเลนซ์ วงดนตรีพระราชบัญญัติ เป็นค่าธรรมเนียมสายการบิน หนึ่งสามารถ คิดว่า อย่างใดอย่างหนึ่ง ในแง่ของอิเล็กตรอนย้ายลงหลุม จึงออกจากหลุมอื่นเป็นซึ่งอิเล็กตรอนอื่นสามารถเคลื่อนย้ายเพื่อความ หรือในแง่ของการเคลื่อนไหวของหลุมบวก (ในทิศทางตรงข้ามการโยกย้ายอิเล็กตรอน) นี้ก่อให้เป็น p-ชนิด (pสารกึ่งตัวนำสำหรับบวกยืน) Dopants 13 กลุ่มอื่น ๆศรีได้ B และ Al

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นกลุ่ม
ที่เป็นของแข็งผลิต
electrondeficient
เว็บไซต์.
นี้จะแนะนำ
ต่อเนื่อง,
ระดับที่ว่าง
ลงใน
โครงสร้างวง (รูป 5.13a) ช่องว่าง band ที่
แยกระดับนี้จากวงครอบครองต่ำโกหกเป็น
ขนาดเล็ก (10 กิโลจูลโมล? 1) ประชากรและความร้อนของผู้ยอมรับ
ระดับเป็นไปได้ โดยมีแนวรับที่ยังคงอยู่ต่อเนื่องถ้า
ความเข้มข้นของอะตอม Ga อยู่ในระดับต่ำและในสถานการณ์เหล่านี้
อิเล็กตรอนในพวกเขาไม่ได้มีส่วนร่วมโดยตรงกับการ
ไฟฟ้า conductance ของเซมิคอนดักเตอร์ อย่างไรก็ตาม
หลุมบวก
ทิ้งไว้ข้างหลัง
ใน Valence
พระราชบัญญัติวง
เป็นค่าใช้จ่าย
ผู้ให้บริการ;
หนึ่งสามารถ
คิด
ทั้ง
ในแง่ของอิเล็กตรอน
เคลื่อนย้ายเข้าไปในหลุมจึงออกจากหลุมเข้าไปอีก
ซึ่งอิเล็กตรอนอื่นสามารถย้ายและอื่น ๆ หรือในแง่ของ
การเคลื่อนไหว หลุมบวก (ในทิศทางตรงกันข้าม
การอพยพอิเล็กตรอน) นี้จะทำให้เกิด p-ประเภท (P
ย่อมาบวก) เซมิคอนดักเตอร์ กลุ่มอื่น ๆ 13 สารเจือ
สำหรับศรี B และอัล

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นกลุ่มเส้นคมชัดการ electrondeficientเว็บไซต์นี้ เปิดตัวแบบไม่ต่อเนื่องระดับเฉยเข้าไปในโครงสร้างวง ( รูป 5.13a ) ช่องว่างแถบนั้นแยกนี้ระดับจากล่างนอนครอบครองวง คือขนาดเล็ก ( 10 กิโล mol1 ) และประชากรของพระนาสิก ระบายความร้อนระดับที่เป็นไปได้ ระดับพระนาสิกยังคงต่อเนื่องถ้าความเข้มข้นของ GA อะตอมต่ำ ในสถานการณ์เหล่านี้อิเล็กตรอนในพวกเขาไม่สนับสนุนโดยตรงความนำไฟฟ้าของสารกึ่งตัวนำ อย่างไรก็ตามหลุมบวกทิ้งไว้ข้างหลังในวาเลนซ์แสดงวงดนตรีเป็นค่าธรรมเนียมผู้ให้บริการหนึ่ง สามารถคิดว่าทั้งในแง่ของอิเล็กตรอนย้ายลงหลุมจึงออกจากหลุมในซึ่งอิเล็กตรอนสามารถย้ายและอื่น ๆ หรือในแง่ของการเคลื่อนไหวของหลุมบวก ( ในทิศทางตรงข้ามเพื่อการย้ายถิ่นของอิเล็กตรอน ) นี้ให้สูงขึ้นเพื่อพี ( pหมายถึงบวก ) ) กลุ่มที่ 13 ในอื่น ๆสำหรับ ซี บี และ อัล