Atomic layer deposition (ALD) is a

Atomic layer deposition (ALD) is a promising deposition tech- nique in manufacturing conformal inorganic material layers with precise thickness control down to the nanometer scale [1]. It has the capability to deposit highly uniform and conformal thin films on extremely complex shape surfaces [2]. A typical ALD process operates in a sealed reactor chamber, and exposes the substrate surface to precursor gases in alternate pulses, where purging pro- cess is performed between these pulses to effectively avoid the reactions between precursors in the gas phase. By this means, the substrate surface can be saturated with precursor fragments at the end of each pulse, and take surface reactions in sequence. Eventually, a film is produced on the substrate surface and its thickness can be controlled in atomic level by repeatable ALD

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สะสมชั้นอะตอม (ALD) เป็นการกำหนดการสะสมเทคนิค-nique ผลิต conformal ชั้นวัสดุอนินทรีย์ มีการควบคุมความแม่นยำลงขนาด nanometer [1] มีความสามารถในการรับฝากสูงสม่ำเสมอ และ conformal films บางบนพื้นผิวรูปร่างซับซ้อนมาก [2] ALD กระบวนการทั่วไปในห้องปิดผนึกเครื่องปฏิกรณ์ และแสดงพื้นผิวพื้นผิวต้องก๊าซสารตั้งต้นในกะพริบอื่น ที่ล้างโป cess จะทำระหว่างนี้กะพริบเพื่อหลีกเลี่ยงปฏิกิริยาระหว่าง precursors ในเฟสก๊าซได้อย่างมีประสิทธิภาพ โดยวิธีนี้ พื้นผิวพื้นผิวสามารถอิ่มตัวกับบางส่วนของสารตั้งต้นที่จุดสิ้นสุดของแต่ละพัลส์ และมีปฏิกิริยาที่ผิวในลำดับ film การผลิตบนพื้นผิวพื้นผิว และความหนาที่สามารถควบคุมได้ในระดับอะตอม โดย ALD ซ้ำในที่สุด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ชั้นทับถมปรมาณู (ALD) คือการสะสมสัญญาทิ่ nique ในการผลิตมาตราส่วนชั้นวัสดุนินทรีย์ที่มีการควบคุมความหนาได้อย่างแม่นยำลงไปที่ระดับนาโนเมตร [1] มันมีความสามารถในการฝากเงินอย่างสม่ำเสมอและมาตราส่วน LMS Fi บาง ๆ บนพื้นผิวรูปทรงที่ซับซ้อนมาก [2] กระบวนการ ALD ปกติการดำเนินงานในห้องปฏิกรณ์ปิดผนึกและ exposes พื้นผิวเพื่อปูชนียบุคคลก๊าซในชีพจรสลับที่กวาดล้างกระบวนการจะดำเนินการระหว่างคลื่นเหล่านี้ได้อย่างมีประสิทธิภาพหลีกเลี่ยงการเกิดปฏิกิริยาระหว่างสารตั้งต้นในเฟสก๊าซ โดยวิธีการนี​​้หมายความว่าพื้นผิวที่สามารถอิ่มตัวด้วยเศษปูชนียบุคคลตอนท้ายของแต่ละชีพจรและใช้พื้นผิวปฏิกิริยาในลำดับ ในที่สุดลูเมนไฟที่ผลิตบนพื้นผิวพื้นผิวและความหนาของมันสามารถควบคุมได้ในระดับอะตอมโดย ALD ทำซ้ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สะสมชั้นอะตอม ( ald ) เป็นสัญญาการเทค - ปีในการผลิตมาตราส่วนอนินทรีย์วัสดุชั้นหนาแม่นยำควบคุมลงในระดับนาโนเมตร [ 1 ] มันมีความสามารถที่จะฝากสูงสม่ำเสมอและมาตราส่วนบางจึง LMS บนรูปร่างซับซ้อนมากพื้นผิว [ 2 ] กระบวนการดําเนินงาน ald ทั่วไปในห้องเครื่องปฏิกรณ์ปิดผนึกและตีแผ่พื้นผิวพื้นผิวกับก๊าซ สารตั้งต้นในการกะพริบสลับที่โปรเซสจะดำเนินการระหว่างพัลส์เหล่านี้มีประสิทธิภาพหลีกเลี่ยงปฏิกิริยาระหว่างสารตั้งต้นในก๊าซระยะ ด้วยวิธีนี้ พื้นผิวพื้นผิวสามารถอิ่มตัวกับเศษสารตั้งต้นที่ส่วนท้ายของแต่ละพัลส์และใช้ปฏิกิริยาบนพื้นผิวในลำดับ ในที่สุดจึงเป็น LM ผลิตบนพื้นผิวพื้นผิวและความหนาของมันสามารถถูกควบคุมในระดับอะตอม โดยทำซ้ำ ald