2.4. Chip fabrication and operation

2.4. Chip fabrication and operation
DMF chips were fabricated in the ESAT-MICAS cleanroom facility
of the University of Leuven as previously described with
some minor modifications [27]. In summary, cleaned glass wafers
(1.1 mm thickness) were sputter coated with chromium (100 nm)
and patterned using standard photolithographic processes. Next,
chips were cleaned in O2-plasma (150 mtorr, 100W) and primed
with silane A174 before being coated with a layer of Parylene-C
(3 m)using chemical vapour deposition.Athinlayer of Teflon-AF®
(∼200 nmthickness, 3%, w/w in Fluorinert FC-40) was subsequently
spincoated (1200 rpm) on top of the Parylene-C layer, baked for
5 min at 110 ◦C and 5 min at 200 ◦C. Crenelated actuation electrodes
of 2.8 mm × 2.8 mm were used for the manipulation of individual
droplets of 4.5 L volume. In addition to the conventional bottom
electrode layout, visualization windows were fabricated for monitoring
cells using an inverted microscope. The top plate of the
DMF device was fabricated by spincoating Teflon-AF® (as above)
on top of indium tin oxide-coated glass slides (Delta technologies
Ltd, Stillwater, MN, USA). Tape of 160 m thickness was applied on
the bottom plate as a spacer before assembling the double-plate
microfluidic device. A chip holder was designed and custom-made
for actuating the DMFdevice andfor allowing visualizationfromthe
bottom side of the chip. The actuation sequence of electrodes was
controlled with a customized Labview program (National Instruments
Corp., Austin, TX, USA) and an in-house developed Matlab
program (MathWorks Inc., Natick, MA, USA). Droplets were driven
by an AC-voltage of 120–130 Vrms, an activation time of 1000 ms
and a relaxation time of 40 ms. AC-actuation voltage was realized
by the oscillating waveforms, produced by the function generator
operating at 1 kHz (GFG-8216A-ISO-TECH, England), that were
further amplified by an amplifier (FLC Electronics A600, Origin
Sweden).
2

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2.4. ชิผลิตและการดำเนินงานDMF ชิถูกประดิษฐ์ในการคลี ESAT MICASของมหาวิทยาลัย Leuven ดังอธิบายไว้ด้วยการแก้ไขบางอย่างเล็กน้อย [27] ในสรุป ล้างแก้วเว(ความหนา 1.1) ถูกเคลือบ ด้วยโครเมียม sputter (100 นาโนเมตร)และลวดลายโดยใช้กระบวนการ photolithographic มาตรฐาน ถัดไปในพลาสม่า O2 (150 mtorr, 100W) และงเยียชิมี silane A174 ก่อนการเคลือบด้วยชั้นของ Parylene-C(3 เมตร) โดยใช้การสะสมไอสารเคมี Athinlayer Teflon AF ®(∼200 nmthickness, 3%, w/w ใน FC Fluorinert-40) ก็ได้spincoated (1200 รอบต่อนาที) บนชั้น Parylene C อบสำหรับ5 นาที ที่ 110 ◦C และ 5 นาทีที่ 200 ◦C อิเล็กโทรด crenelated actuation2.8 มม. × 2.8 มม.ใช้สำหรับการจัดการของแต่ละบุคคลหยดของ 4.5 L นอกจากด้านล่างทั่วไปเค้าโครงของอิเล็กโทรด แสดง windows ถูกประดิษฐ์สำหรับการตรวจสอบเซลล์การใช้กล้องจุลทรรศน์การคว่ำ จานยอดนิยมของการอุปกรณ์ DMF ถูกประดิษฐ์ โดย spincoating Teflon AF ® (ตามข้างบน)ด้านบนของอินเดียมทินออกไซด์เคลือบกระจกสไลด์ (เดลต้าเทคโนโลยีจำกัด Stillwater, MN สหรัฐอเมริกา) เทปความหนา 160 เมตรถูกนำไปใช้ในแผ่นด้านล่างเป็น spacer ก่อนประกอบแผ่นสองอุปกรณ์ microfluidic ใส่ชิถูกออกแบบ และทำเองสำหรับ actuating andfor DMFdevice ที่ช่วยให้ visualizationfromtheด้านล่างของชิ ลำดับ actuation ของอิเล็กโทรดได้ควบคุม ด้วยโปรแกรม Labview (ตราสารแห่งชาติคอร์ป Austin, TX สหรัฐอเมริกา) และพัฒนาการใน Matlabโปรแกรม (MathWorks Inc., Natick, MA สหรัฐอเมริกา) หยดน้ำถูกขับเคลื่อนโดยแรงดันไฟฟ้า AC มีของ 120 – 130 Vrms เวลาเปิดใช้งานของ 1000 msและมีเวลาพักผ่อนของ 40 นางสาว AC actuation แรงดันไฟฟ้าได้ตระหนักโดยรูปคลื่นสั่น ผลิต โดยเครื่องกำเนิดฟังก์ชันปฏิบัติการที่ 1 kHz (GFG 8216A ISO เทคโนโลยี อังกฤษ), ที่เพิ่มเติม ขยายจากเครื่องขยายเสียง (FLC อิ A600 ต้นกำเนิดประเทศสวีเดน)2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2.4 การผลิตและการดำเนินงานชิป
DMF ชิปถูกประดิษฐ์ในสถานคลีนรูม ESAT-Micas
ของมหาวิทยาลัย Leuven ตามที่อธิบายไว้ก่อนหน้านี้ที่มี
การปรับเปลี่ยนเล็กน้อยบาง [27] โดยสรุปการทำความสะอาดเวเฟอร์แก้ว
(1.1 มิลลิเมตรความหนา) เคลือบพ่นด้วยโครเมียม (100 นาโนเมตร)
และมีลวดลายโดยใช้กระบวนการ photolithographic มาตรฐาน ถัดไป
ชิปทำความสะอาดใน O2 พลาสม่า (150 mtorr, 100W) และ primed
กับ A174 ไซเลนก่อนที่จะถูกเคลือบด้วยชั้นของ Parylene-ซี
(3 เมตร) โดยใช้ไอ deposition.Athinlayer ทางเคมีของเทฟลอนAF®
(~200 nmthickness, 3% w / W ใน Fluorinert FC-40) ต่อมา
spincoated (1,200 รอบต่อนาที) ด้านบนของชั้น Parylene-C อบ
5 นาทีที่ 110 ◦Cและ 5 นาทีที่ 200 ◦C ขั้วไฟฟ้าขับเคลื่อนกลม
2.8 มม× 2.8 มมถูกนำมาใช้สำหรับการจัดการของแต่ละบุคคล
หยดของปริมาณ 4.5 ลิตร นอกจากนี้ยังมีการชุมนุมด้านล่าง
รูปแบบอิเล็กโทรด, Windows สร้างภาพถูกประดิษฐ์สำหรับการตรวจสอบ
เซลล์โดยใช้กล้องจุลทรรศน์คว่ำ แผ่นด้านบนของ
อุปกรณ์ DMF ถูกประดิษฐ์โดย spincoating เทฟลอนAF® (ข้างต้น)
ด้านบนของอินเดียมทินออกไซด์เคลือบกระจกสไลด์ (Delta เทคโนโลยี
จำกัด , สติลวอเตอร์, MN, USA) เทปของความหนา 160 เมตรถูกนำมาใช้บน
แผ่นด้านล่างเป็น spacer ก่อนที่จะประกอบคู่แผ่น
ขนาดไมโคร ผู้ถือชิปถูกออกแบบและทำเอง
สำหรับ actuating DMFdevice andfor ช่วยให้ visualizationfromthe
ด้านล่างของชิป ลำดับการดำเนินการของขั้วไฟฟ้าถูก
ควบคุมด้วยโปรแกรม Labview กำหนดเอง (National Instruments
คอร์ปออสติน, TX, USA) และในบ้านพัฒนา Matlab
Program (MathWorks อิงค์เนติก, MA, USA) หยดถูกขับ
โดย AC-แรงดันไฟฟ้าของ 120-130 Vrms, เวลาที่ใช้ MS 1000
และเป็นช่วงเวลาที่ผ่อนคลายของ 40 มิลลิวินาที แรงดันไฟฟ้า AC-ดำเนินการได้ตระหนัก
โดยรูปคลื่นสั่นผลิตโดยกำเนิดฟังก์ชั่น
การดำเนินงาน ณ วันที่ 1 เฮิร์ทซ์ (GFG-8216A-ISO-TECH อังกฤษ) ที่ได้รับการ
ขยายต่อไปโดยเครื่องขยายเสียง (FLC อิเล็กทรอนิกส์ A600 ต้นกำเนิด
สวีเดน).
2