After igniting the stable plasma un

After igniting the stable plasma under the aforementioned
conditions, the counter electrode was moved rapidly to study
modification of the clean surface. After 30 s of sputtering by the Ar
micro plasma jet of the first and second cases, the sputtered
surfaces on the Si substrate are shown in Fig. 3(a) and (b), respectively

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หลังจาก igniting พลาสม่ามีเสถียรภาพภายใต้ดังกล่าวเงื่อนไข อิเล็กโทรดตัวนับถูกย้ายอย่างรวดเร็วเพื่อศึกษาการปรับเปลี่ยนพื้นผิวสะอาด หลังจาก 30 ของพ่นโดย Arไมโครพลาสม่าเจ็ต และสองกรณี การ sputteredพื้นผิวบนพื้นผิวซีแสดงใน Fig. 3(a) และ (b), ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หลังจากจุดไฟติดพลาสม่าที่มีความเสถียรภายใต้ดังกล่าว
เงื่อนไขขั้วไฟฟ้าที่ถูกย้ายอย่างรวดเร็วเพื่อศึกษา
การเปลี่ยนแปลงของพื้นผิวที่สะอาด หลังจากวันที่ 30 ของสปัตเตอร์โดย Ar
เจ็ทพลาสม่าขนาดเล็กในกรณีที่เป็นครั้งแรกและครั้งที่สอง sputtered
พื้นผิวบนพื้นผิวศรีแสดงในรูป 3 (ก) และ (ข) ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หลังจากจุดไฟติดพลาสมาเสถียรภาพภายใต้เงื่อนไขดังกล่าว
, เคาน์เตอร์ไฟฟ้าได้ย้ายอย่างรวดเร็วเพื่อศึกษา
ปรับเปลี่ยนพื้นผิวที่สะอาด หลังจาก 30 วินาที สปัตเตอริงโดย ar
ไมโครพลาสมาของกรณีที่ 1 และกรณีที่ 2 , sputtered
พื้นผิวบนศรี ( แสดงในรูปที่ 3 ( ก ) และ ( ข ) ตามลำดับ