• Electrical-dependent nanodevicesT

• Electrical-dependent nanodevices
They are based either on ballistic transport, tunneling
or on electrostatic phenomenon. In the case of ballistic
transport the electrons travel without resistivity in a
medium(material) [32]. In the case of tunneling, the
electrons can pass through a potential energy barrier at
some level of energy as results of a quantum-mechanical
process[32].In the case of electrostatic, the interaction of
electrons happens with the presence of electric field [31].
Examples of nanodevices belong to this class are carbon
nanotubes field-effect transistors (CNTFETs), semiconductor nanowire field-effect transistors (NWFETs), resonant tunneling diodes (RTD s), single electron junctions
(SEJs), and electrical quantum dot cellular automata
(EQCA) [31], [32]

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

•ขึ้นอยู่กับการไฟฟ้า nanodevices
จะอยู่บนขนส่ง ballistic ทันเนล
หรือปรากฏการณ์ไฟฟ้าสถิต ในกรณีของ ballistic
ขนส่งอิเล็กตรอนเดินทาง โดยไม่มีความต้านทานใน a
medium(material) [32] ในกรณีของทันเนล
อิเล็กตรอนสามารถผ่านอุปสรรคพลังงานศักย์ที่
บางระดับของพลังงานเป็นผลของควอนตัมเครื่องกล
[32] การประมวลผลได้ในกรณีของไฟฟ้าสถิต การโต้ตอบของ
อิเล็กตรอนที่เกิดขึ้น มีสนามไฟฟ้า [31] .
ตัวอย่างของ nanodevices เป็นของคลาสนี้มีคาร์บอน
nanotubes ฟิลด์–ผล transistors (CNTFETs), สารกึ่งตัวนำ nanowire ฟิลด์–ผล transistors (NWFETs), ไดโอดได้ลแบบ tunneling คง (RTD s), อิเล็กตรอนเดี่ยว junctions
(SEJs) และควอนตัมไฟฟ้าจุด automata
(EQCA) โทรศัพท์มือถือ [31], [32]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

- ไฟฟ้าขึ้นอยู่กับ nanodevices
พวกเขาอยู่ทั้งในการขนส่งอย่างบ้าคลั่ง
หรือไฟฟ้าสถิตปรากฏการณ์การก่อสร้างอุโมงค์ ในกรณีของการขนส่งขีปนาวุธ
อิเล็กตรอนเดินทางโดยไม่มีความต้านทานใน
ขนาดกลาง ( วัสดุ ) [ 32 ] ในกรณีของอุโมงค์ ,
อิเล็กตรอนสามารถผ่านอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นพลังงาน
บางระดับของพลังงานผลของควอนตัมเชิงกล
กระบวนการ [ 32 ]ในกรณีของไฟฟ้าสถิต ปฏิสัมพันธ์ของ
อิเล็กตรอนเกิดขึ้นกับการปรากฏตัวของสนามไฟฟ้า [ 31 ] .
ตัวอย่างของ nanodevices เป็นของชั้นนี้เป็นคาร์บอนนาโนทิวบ์
field-effect ทรานซิสเตอร์ ( cntfets ) , เซมิคอนดักเตอร์ nanowire field-effect ทรานซิสเตอร์ ( nwfets ) , ก้องอุโมงค์ไดโอด ( RTD )
แบบอิเล็กตรอนเดี่ยว ( sejs ) และไฟฟ้าควอนตัมดอทจำกัดโทรศัพท์มือถือ
( eqca ) [ 31 ][ 32 ]