3. Results and Discussion 3.1 The s

3. Results and Discussion
3.1 The sensing mechanisms of TFBAR-based UV sensors
The sensing mechanism for the shifts in the operating frequency of acoustic devices can be attributed to the acoustoelectric effect. When UV light was illuminated on the surface of ZnO thin film, the excess carriers in the ZnO layer would be produced. Then, the photogenerated carriers will increase the sheet conductivity in the ZnO thin film and interact with the electric field generated by acoustic wave devices, i.e. acoustoelectric effect. The photogenerated carriers will decrease the piezoelectric properties and reduce the phase velocity of piezoelectric thin films. The interaction between the acoustic waves and the charge carriers leads to the changes in phase velocity (ǻv) is given by [12]:

22
22 0 2 ( ) s s o s vK vv C V V '   (1)
where vo is the phase velocity on a free surface, K2 is the electromechanical coupling coefficient of the substrate, ı is the sheet conductivity, Cs = s + o, s and o are the dielectric constants of the substrate and vacuum, respectively. The relationship between the sheet conductivity and the change of phase velocity was illustrated in Fig. 6. The influence of UV light illumination on SAW velocity can be monitored by measuring the frequency shifts of TFBAW oscillators.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3. ผล และการอภิปราย 3.1 กลไกตรวจจับเซนเซอร์ UV TFBAR คะแนน กลไกการตรวจจับสำหรับกะในความถี่การทำงานของอุปกรณ์ป้องกันเสียงสามารถนำมาประกอบกับผล acoustoelectric เมื่อแสงไฟแสง UV บนผิวของฟิล์มบาง ZnO ผู้ให้บริการส่วนเกินในชั้น ZnO จะผลิต แล้ว ผู้ให้บริการ photogenerated จะเพิ่มการนำไฟฟ้าจำเพาะในฟิล์มบางของ ZnO และโต้ตอบกับสนามไฟฟ้าที่สร้างขึ้น โดยอุปกรณ์คลื่นเสียง เช่น acoustoelectric ผล ผู้ให้บริการ photogenerated จะลดคุณสมบัติชั่น และลดความเร็วเฟสของฟิล์มบางชั่น ปฏิสัมพันธ์ระหว่างคลื่นเสียงและนำไปสู่สายการบินค่าธรรมเนียมการเปลี่ยนแปลงความเร็วเฟส (ǻv) ถูกกำหนด โดย [12]: 2222 0 2 vv vK s o s s () C V V ' (1) vo คือ ความเร็วเฟสบนพื้นผิวฟรี K2 เป็นค่าสัมประสิทธิ์ต่อไฟฟ้าของพื้นผิว ı นำแผ่น Cs = s + o, s และ o มีค่าคงที่เป็นฉนวนของพื้นผิวและสุญญากาศ ตามลำดับ ความสัมพันธ์ระหว่างค่าการนำไฟฟ้าจำเพาะและการเปลี่ยนแปลงของความเร็วเฟสถูกแสดงในรูป 6 อิทธิพลของ UV สว่างบนเลื่อยความเร็วสามารถตรวจสอบได้ โดยการวัดการเปลี่ยนแปลงความถี่ของออสซิลเลเตอร์ TFBAW

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3. ผลการทดลองและการสนทนา
3.1 กลไกการตรวจจับของเซ็นเซอร์ UV TFBAR ตาม
กลไกการตรวจวัดการเปลี่ยนแปลงในความถี่ในการปฏิบัติการของอุปกรณ์อะคูสติกสามารถนำมาประกอบกับผล acoustoelectric เมื่อแสงยูวีได้รับการส่องสว่างบนพื้นผิวของฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ที่ผู้ให้บริการส่วนเกินในชั้นซิงค์ออกไซด์จะได้รับการผลิต จากนั้นผู้ให้บริการ photogenerated จะเพิ่มการนำแผ่นในฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์และมีปฏิสัมพันธ์กับสนามไฟฟ้าที่เกิดจากอุปกรณ์คลื่นอะคูสติกเช่นผล acoustoelectric ผู้ให้บริการจะลดลง photogenerated คุณสมบัติ piezoelectric และลดความเร็วเฟสของฟิล์มบาง piezoelectric การทำงานร่วมกันระหว่างคลื่นอะคูสติกและผู้ให้บริการค่าใช้จ่ายจะนำไปสู่การเปลี่ยนแปลงในความเร็วเฟส (ǻv) จะได้รับจาก [12]: 22 22 0 2 () SSOs VK VV CVV '? ? (1) ที่ VO เป็นความเร็วเฟสบนพื้นผิวฟรี K2 เป็นค่าสัมประสิทธิ์การมีเพศสัมพันธ์ไฟฟ้าของพื้นผิวที่ฉันเป็นการนำแผ่น Cs = s + O, S และ o เป็นค่าคงที่อิเล็กทริกของสารตั้งต้นและสูญญากาศตามลำดับ . ความสัมพันธ์ระหว่างการนำแผ่นและการเปลี่ยนแปลงของความเร็วเฟสถูกแสดงในรูป 6. อิทธิพลของการส่องสว่างแสงยูวีกับความเร็ว SAW สามารถตรวจสอบได้โดยการวัดการเปลี่ยนแปลงความถี่ของ oscillators TFBAW