The bipolar and the MOSFET transist

The bipolar and the MOSFET transistors exploit
the same operating principle. Fundamentally,
both type of transistors are charge controlled
devices which means that their output current is
proportional to the charge established in the
semiconductor by the control electrode. When
these devices are used as switches, both must be
driven from a low impedance source capable of
sourcing and sinking sufficient current to provide
for fast insertion and extraction of the controlling
charge. From this point of view, the MOSFETs
have to be driven just as “hard” during turn-on
and turn-off as a bipolar transistor to achieve
comparable switching speeds. Theoretically, the
switching speeds of the bipolar and MOSFET
devices are close to identical, determined by the
time required for the charge carriers to travel
across the semiconductor region. Typical values
in power devices are approximately 20 to 200
picoseconds depending on the size of the device.
The popularity and proliferation of MOSFET
technology for digital and power applications is
driven by two of their major advantages over the
bipolar junction transistors. One of these benefits
is the ease of use of the MOSFET devices in high
frequency switching applications. The MOSFET
transistors are simpler to drive because their
control electrode is isolated from the current
conducting silicon, therefore a continuous ON
current is not required. Once the MOSFET
transistors are turned-on, their drive current is
practically zero. Also, the controlling charge and
accordingly the storage time in the MOSFET
transistors is greatly reduced. This basically

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขั้วและการโกงทรานซิสเตอร์ MOSFETหลักการทำงานเดียวกัน ลึกซึ้งทั้งสองชนิดของทรานซิสเตอร์มีค่าควบคุมอุปกรณ์ซึ่งหมายความ ว่า ปัจจุบันการส่งออกของพวกเขาสัดส่วนกับค่าธรรมเนียมในการสารกึ่งตัวนำ โดยขั้วไฟฟ้าควบคุม เมื่ออุปกรณ์เหล่านี้จะใช้เป็นสวิตช์ ทั้งสองต้องขับเคลื่อนจากแหล่งความต้านทานต่ำสามารถจัดหาและจมในปัจจุบันเพียงพอในการให้แทรกอย่างรวดเร็วและการควบคุมการดูดต่ำ จากมุมนี้ MOSFETsมีการขับเคลื่อนเพียงแค่เป็น "ยาก" ในระหว่างการเปิดและเปิดปิดเป็นทรานซิสเตอร์สองขั้วเพื่อให้บรรลุเทียบความเร็วสลับกัน ในทางทฤษฎี การเปลี่ยนความเร็วสองขั้ว และ MOSFETอุปกรณ์จะปิดเหมือนกัน การกำหนดโดยการเวลาที่จำเป็นสำหรับผู้ให้บริการค่าใช้จ่ายในการเดินทางทั่วภูมิภาคสารกึ่งตัวนำ ค่าทั่วไปในการใช้พลังงาน อุปกรณ์อยู่ประมาณ 20 ถึง 200picoseconds ขึ้นอยู่กับขนาดของอุปกรณ์ความนิยมและแพร่หลายของ MOSFETเทคโนโลยีดิจิตอล และพลังงานงานขับเคลื่อน ด้วยสองข้อสำคัญได้ผ่านการทรานซิสเตอร์สองขั้วแยก ผลประโยชน์เหล่านี้อย่างใดอย่างหนึ่งมีความสะดวกในการใช้อุปกรณ์ MOSFET ในสูงความถี่ที่สลับการใช้งาน MOSFETทรานซิสเตอร์จะง่ายกว่าการขับเนื่องจากพวกเขาแยกต่างหากจากปัจจุบันจะควบคุมอิเล็กโทรดทำซิลิโคน ดังนั้นในการต่อเนื่องปัจจุบันไม่จำเป็น เมื่อ MOSFETทรานซิสเตอร์ turned-on ไดรฟ์ของพวกเขาปัจจุบันคือศูนย์จริง นอกจากนี้ ค่าธรรมเนียมการควบคุม และดังนั้นเวลาเก็บใน MOSFETทรานซิสเตอร์ลดลงอย่างมาก โดยทั่วไปนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สองขั้วและทรานซิสเตอร์ MOSFET ประโยชน์
หลักการปฏิบัติการเดียวกัน พื้นฐาน
ทั้งสองชนิดทรานซิสเตอร์มีค่าใช้จ่ายในการควบคุม
อุปกรณ์ซึ่งหมายความว่าในปัจจุบันผลผลิตของพวกเขาเป็น
สัดส่วนกับค่าใช้จ่ายที่จัดตั้งขึ้นใน
สารกึ่งตัวนำโดยขั้วไฟฟ้าควบคุม เมื่อ
อุปกรณ์เหล่านี้จะถูกใช้เป็นสวิทช์ทั้งจะต้องมีการ
ขับเคลื่อนจากแหล่งความต้านทานต่ำความสามารถในการ
จัดหาและการจมปัจจุบันเพียงพอที่จะให้
สำหรับการแทรกได้อย่างรวดเร็วและการสกัดของการควบคุม
ค่าใช้จ่าย จากมุมมองนี้ MOSFETs
จะต้องมีการขับเคลื่อนเช่นเดียวกับที่ "ยาก" ในช่วงเปิดเครื่องขึ้น
และเปิดปิดเป็นขั้วทรานซิสเตอร์เพื่อให้บรรลุ
ความเร็วสลับเทียบเคียง ทฤษฎี
ความเร็วสลับขั้วและมอสเฟต
อุปกรณ์อยู่ใกล้กับที่เหมือนถูกกำหนดโดย
ระยะเวลาที่ต้องเสียค่าใช้จ่ายสำหรับผู้ให้บริการที่จะเดินทางไป
ทั่วทั้งภูมิภาคเซมิคอนดักเตอร์ ค่าทั่วไป
ในอุปกรณ์ไฟฟ้าประมาณ 20-200
picoseconds ขึ้นอยู่กับขนาดของอุปกรณ์.
ความนิยมและการแพร่กระจายของ MOSFET
เทคโนโลยีสำหรับการใช้งานดิจิตอลและพลังงาน
ขับเคลื่อนสองของข้อได้เปรียบที่สำคัญของพวกเขามากกว่า
ทรานซิสเตอร์สองขั้วแยก หนึ่งในผลประโยชน์เหล่านี้
คือความสะดวกในการใช้งานของอุปกรณ์ MOSFET ในสูง
การใช้งานการสลับเปลี่ยนความถี่ MOSFET
ทรานซิสเตอร์มีความง่ายในการขับรถของพวกเขาเพราะ
ขั้วไฟฟ้าควบคุมจะถูกแยกออกจากปัจจุบันที่
ซิลิคอนกำกับดังนั้นอย่างต่อเนื่องใน
ปัจจุบันไม่จำเป็นต้องใช้ เมื่อมอสเฟต
ทรานซิสเตอร์จะเปิดในปัจจุบันไดรฟ์ของพวกเขาคือ
ศูนย์จริง นอกจากนี้ค่าใช้จ่ายในการควบคุมและ
ตามระยะเวลาการเก็บในมอสเฟต
ทรานซิสเตอร์ลดลงอย่างมาก นี้โดยทั่วไป

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์และมอสเฟตขูดรีดหลักการทำงานเดียวกัน ภาระทั้งสองประเภทของทรานซิสเตอร์เป็นค่าควบคุมอุปกรณ์ซึ่งหมายความ ว่า ปัจจุบันผลผลิตของพวกเขาคือสัดส่วนของค่าใช้จ่ายที่ก่อตั้งขึ้นในสารกึ่งตัวนำ โดยขั้วไฟฟ้าควบคุม เมื่ออุปกรณ์เหล่านี้จะถูกใช้เป็นสวิตช์ ทั้งต้องขับเคลื่อนจากแหล่งที่มีอิมพีแดนซ์ต่ำการจัดหาและจมในปัจจุบันเพียงพอที่จะให้สำหรับการแทรกอย่างรวดเร็วและการสกัดของการควบคุมค่าธรรมเนียม จากมุมมองนี้ , สอดต้องขับเคลื่อนอย่างที่ " ยาก " ในช่วงเปิดและปิดเป็นไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ เพื่อบรรลุเปรียบการเปลี่ยนความเร็ว ทุกคนเปลี่ยนความเร็วของไบโพลาร์ MOSFETอุปกรณ์ใกล้เหมือนกัน กำหนดโดยเวลาที่จำเป็นสำหรับค่าใช้จ่ายที่ผู้เดินทางในสารกึ่งตัวนำภูมิภาค ค่าทั่วไปในอุปกรณ์พลังงานประมาณ 20 ถึง 200สีขึ้นอยู่กับขนาดของอุปกรณ์ความนิยมและการงอกของ MOSFETเทคโนโลยีดิจิตอลและการประยุกต์ใช้พลังงานคือขับเคลื่อนโดยสองข้อได้เปรียบหลักของพวกเขามากกว่าชุมทางไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ หนึ่งในผลประโยชน์เหล่านี้คือ ความง่ายในการใช้งานของอุปกรณ์มอสเฟตในสูงความถี่ของการสลับการใช้งาน โดย MOSFETทรานซิสเตอร์จะง่ายกว่าการไดรฟ์เพราะพวกเขาไฟฟ้าควบคุมแยกจากปัจจุบันดำเนินการต่อเนื่องในซิลิคอน ดังนั้นปัจจุบัน ไม่ต้อง เมื่อ MOSFETทรานซิสเตอร์จะเปิดของไดรฟ์ปัจจุบันแทบจะเป็นศูนย์ นอกจากนี้ การควบคุมค่าใช้จ่ายตามการเก็บใน MOSFETทรานซิสเตอร์จะลดลงอย่างมาก นี้โดยทั่วไป