the samples with a high concentrati

the samples with a high concentration of implanted Bi lose virtually all
of their Bi for high temperature anneals whereas those samples
with a low concentration of initially implanted bismuth retain
around 20% of this implanted bismuth.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวอย่างเข้มข้นของ Bi ฝังเสียเกือบทั้งหมดของ Bi สำหรับอุณหภูมิสูงของพวกเขา anneals ในขณะที่ตัวอย่างด้วยความเข้มข้นต่ำของบิสมัทฝังเริ่มรักษาประมาณ 20% นี้ฝังบิสมัท

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กลุ่มตัวอย่างที่มีความเข้มข้นสูงของการปลูกฝัง Bi สูญเสียเกือบทั้งหมด
ของ Bi ของพวกเขาสำหรับอุณหภูมิสูง anneals ในขณะที่กลุ่มตัวอย่างผู้
ที่มีความเข้มข้นต่ำของบิสมัทปลูกฝังแรกเก็บ
ประมาณ 20% ของบิสมัทปลูกฝังนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตัวอย่างที่มีความเข้มข้นสูงของการฝังบีเสียเกือบทั้งหมดของบีของพวกเขาสำหรับอุณหภูมิสูง anneals ในขณะที่ตัวอย่างที่มีความเข้มข้นต่ำของตอนแรกใส่ bismuth รักษาประมาณ 20 % นี้ฝังธาตุบิสมัท