The MOS nanowires have been synthes

The MOS nanowires have been synthesized by thermal oxidation technique. This technique has been successfully used for synthesizing ZnO or CuO by simply heating pure Zn and Cu material source, respectively. The process is usually conducted in a cylindrical furnace. For the synthesis of ZnO nanowire as shown in Fig. 5, Zn thin films or thick films were screened or evaporated on alumina substrate. Then, they were sintered at temperature in ranging of 500-700ºC to form the nanostructure. For the synthesis of CuO nanowire, the commercial grade copper plate with thickness of 0.1 mm was cut and cleaned by alcohol in an ultrasonic bath for 2 min and dried at room temperature. The copper plate was loaded into a center of a tube furnace at 600°C at normal atmosphere for oxidation reaction.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีการสังเคราะห์ MOS nanowires โดยเทคนิคออกซิเดชันความร้อน ใช้เทคนิคนี้สำหรับสังเคราะห์ ZnO หรือ CuO ด้วยเพียงแค่ร้อนบริสุทธิ์ Zn และ Cu แหล่งวัสดุ ตามลำดับเรียบร้อยแล้ว มักจะมีดำเนินการในเตาทรงกระบอก สำหรับการสังเคราะห์ของ ZnO nanowire ดังแสดงในรูป 5, Zn ฟิล์มบางหรือหนาภาพยนตร์ฉาย หรือระเหยบนพื้นอลูมินา แล้ว พวกเขาถูกเผาที่อุณหภูมิในหลากหลายของ 500-700ºC แบบ nanostructure สำหรับการสังเคราะห์ของ CuO nanowire แผ่นทองแดงเชิงพาณิชย์ที่ มีความหนา 0.1 มม.ถูกตัด และทำความสะอาด ด้วยแอลกอฮอล์ในอ่างอัลตราโซนิก 2 นาที และอบแห้งที่อุณหภูมิห้อง แผ่นทองแดงถูกโหลดเข้าไปในศูนย์กลางของเตาหลอด 600° c ในบรรยากาศปกติสำหรับปฏิกิริยาออกซิเดชัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

nanowires MOS ได้รับการสังเคราะห์โดยใช้เทคนิคการเกิดออกซิเดชันความร้อน เทคนิคนี้จะได้รับการใช้ประสบความสำเร็จสำหรับการสังเคราะห์หรือซิงค์ออกไซด์ออกไซด์โดยเพียงแค่ความร้อนสังกะสีบริสุทธิ์และแหล่งวัสดุทองแดงตามลำดับ กระบวนการนี​​้มักจะมีการดำเนินการในเตาเผาทรงกระบอก สำหรับการสังเคราะห์เส้นลวดนาโนซิงค์ออกไซด์ดังแสดงในรูป 5 Zn ฟิล์มบางหรือหนาฟิล์มถูกคัดกรองหรือระเหยบนพื้นผิวอลูมิเนียม จากนั้นพวกเขาถูกเผาที่อุณหภูมิตั้งแต่ของ500-700ºCในรูปแบบโครงสร้างระดับนาโน สำหรับการสังเคราะห์เส้นลวดนาโนออกไซด์ที่แผ่นทองแดงเกรดเชิงพาณิชย์ที่มีความหนา 0.1 มิลลิเมตรถูกตัดและทำความสะอาดโดยเครื่องดื่มแอลกอฮอล์ในห้องอาบน้ำอัลตราโซนิกเป็นเวลา 2 นาทีและแห้งที่อุณหภูมิห้อง แผ่นทองแดงที่ถูกโหลดเข้าสู่ศูนย์กลางของเตาหลอดที่ 600 ° C ที่บรรยากาศปกติสำหรับการเกิดปฏิกิริยาออกซิเดชัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มอสนาโนที่ได้สังเคราะห์โดยใช้เทคนิคปฏิกิริยาความร้อน เทคนิคนี้มีการใช้ประสบความสำเร็จในการสังเคราะห์สังกะสีออกไซด์หรือ 2 ( โดยเพียงแค่ความร้อนสังกะสีบริสุทธิ์และแหล่งวัสดุ ทองแดง ตามลำดับ กระบวนการนี้มักจะดำเนินการในเตาทรงกระบอก สำหรับการสังเคราะห์ของ ZnO nanowire ดังแสดงในรูปที่ 5 , สังกะสี ฟิล์ม หรือ ฟิล์มหนา มีหรือระเหยบนอะลูมิ . แล้ว พวกเขาถูกเผาที่อุณหภูมิตั้งแต่ของ 500-700 º C เพื่อสร้างโครงสร้างนาโน . สำหรับการสังเคราะห์ของ 2 ( nanowire , เกรดแผ่นทองแดงที่มีความหนา 0.1 mm ถูกตัด และการทำความสะอาดด้วยแอลกอฮอล์ในอ่างอาบน้ำด้วย 2 นาทีและอบแห้งที่อุณหภูมิห้อง ทองแดงแผ่นถูกโหลดเข้าสู่ศูนย์กลางของท่อเตาที่ 600 ° C ที่บรรยากาศปกติสำหรับปฏิกิริยาออกซิเดชัน