1. IntroductionThe demand for trans

1. Introduction
The demand for transparent conducting oxides (TCOs) is increasing rapidly in the field of optoelectronic technology on account of their excellent optical and electrical properties. Tin-doped indium oxide (ITO) has long been regarded as a TCO material, which led to the diverse applications because of its optimal performance. On the other hand, the rarity and the high cost of its prime material indium highlights to explore an excellent new inexpensive material. On the other hand, the rarity and the high cost of its prime material indium highlights to explore an excellent new inexpensive material. In this scenario, by doping of appropriate element such as aluminum (Al) in ZnO host lattice, better optical transparency can be achieved in the visible region. Thus, Al-doped ZnO (AZO) behaves like a best alternative TCO candidate for ITO. Considering the relevant capabilities, such as coexistence of high conductivity and excellent optical transparency in the visible region for the AZO material, it is expected to be the most favorable for the fabrication of many optoelectronic devices at moderate doping level of Al with a comparable yield. Owing to these key features, AZO films have taken many applications in diverse fields, such as thin film solar cells [1], photoluminescence [2], thin film transistors [3] and transparent electrodes for organic photovoltaics [4]. Thin films of AZO can be produced by using numerous deposition techniques, including RF sputtering [5], DC sputtering [6], spray plasma technique [7], pulsed laser deposition [8], atomic layer deposition [9], metalorganic chemical vapor deposition [10] and sol-gel spin coating [11] and several studies have been performed to control the crystalline nature and surface morphology. Among these various techniques, RF magnetron sputtering has attracted much special interest at room temperature deposition because of it provides large scale uniformity for industrial production, good adhesion and for preventing the target from poisoning. On the other hand, the film properties mainly depends on the chemical composition, microstructure and surface morphology. The unbalanced RF magnetron sputtering technique has been developed to produce advanced films, i.e., the films with a better microstructure and morphology because of it is most versatile and useful technique for the deposition of high-quality films at room temperatures than so-called conventional RF magnetron sputtering through the extended plasma region by applying of external magnetic field. The applied magnetic field superimposes with the conventional planar RF magnetron configuration during the glow discharge process. The major advantage of unbalanced RF magnetron sputtering is that it could confine the plasma in the vicinity of the substrate. In this context, unbalanced RF magnetron sputtering contributes to the significant changes during film growth on the nature of a film through the variations in the extended plasma characteristics towards the substrate and it also forces the electron movement along the helical path around the extended magnetic field lines with strengthened induced ionization. The induced ionization substantially helps to improve the mechanism of film growth in comparison with the conventional RF magnetron sputtering. Limited attempts have so far been made and reported for ITO [12], AlN [13] and AZO [14,15] thin films with improved structural, electrical and optical properties using the unbalanced magnetron sputtering technique.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

1. บทนำThe demand for transparent conducting oxides (TCOs) is increasing rapidly in the field of optoelectronic technology on account of their excellent optical and electrical properties. Tin-doped indium oxide (ITO) has long been regarded as a TCO material, which led to the diverse applications because of its optimal performance. On the other hand, the rarity and the high cost of its prime material indium highlights to explore an excellent new inexpensive material. On the other hand, the rarity and the high cost of its prime material indium highlights to explore an excellent new inexpensive material. In this scenario, by doping of appropriate element such as aluminum (Al) in ZnO host lattice, better optical transparency can be achieved in the visible region. Thus, Al-doped ZnO (AZO) behaves like a best alternative TCO candidate for ITO. Considering the relevant capabilities, such as coexistence of high conductivity and excellent optical transparency in the visible region for the AZO material, it is expected to be the most favorable for the fabrication of many optoelectronic devices at moderate doping level of Al with a comparable yield. Owing to these key features, AZO films have taken many applications in diverse fields, such as thin film solar cells [1], photoluminescence [2], thin film transistors [3] and transparent electrodes for organic photovoltaics [4]. Thin films of AZO can be produced by using numerous deposition techniques, including RF sputtering [5], DC sputtering [6], spray plasma technique [7], pulsed laser deposition [8], atomic layer deposition [9], metalorganic chemical vapor deposition [10] and sol-gel spin coating [11] and several studies have been performed to control the crystalline nature and surface morphology. Among these various techniques, RF magnetron sputtering has attracted much special interest at room temperature deposition because of it provides large scale uniformity for industrial production, good adhesion and for preventing the target from poisoning. On the other hand, the film properties mainly depends on the chemical composition, microstructure and surface morphology. The unbalanced RF magnetron sputtering technique has been developed to produce advanced films, i.e., the films with a better microstructure and morphology because of it is most versatile and useful technique for the deposition of high-quality films at room temperatures than so-called conventional RF magnetron sputtering through the extended plasma region by applying of external magnetic field. The applied magnetic field superimposes with the conventional planar RF magnetron configuration during the glow discharge process. The major advantage of unbalanced RF magnetron sputtering is that it could confine the plasma in the vicinity of the substrate. In this context, unbalanced RF magnetron sputtering contributes to the significant changes during film growth on the nature of a film through the variations in the extended plasma characteristics towards the substrate and it also forces the electron movement along the helical path around the extended magnetic field lines with strengthened induced ionization. The induced ionization substantially helps to improve the mechanism of film growth in comparison with the conventional RF magnetron sputtering. Limited attempts have so far been made and reported for ITO [12], AlN [13] and AZO [14,15] thin films with improved structural, electrical and optical properties using the unbalanced magnetron sputtering technique.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

1 . แนะนำความต้องการความโปร่งใสการดำเนินการออกไซด์ ( tcos ) จะเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วในด้านเทคโนโลยี optoelectronic ในบัญชีของพวกเขาที่ยอดเยี่ยมแสงและคุณสมบัติทางไฟฟ้า เจืออินเดียมทินออกไซด์ ( ITO ) ได้ถูกถือว่าเป็นวัสดุที่สามารถ ซึ่งนำไปสู่การใช้งานที่หลากหลายเพราะประสิทธิภาพที่ดีที่สุดของมัน บนมืออื่น ๆ , หายากและค่าใช้จ่ายสูงของวัสดุที่นายกรัฐมนตรีอินเดียมไฮไลท์สํารวจเยี่ยมใหม่ ไม่แพง วัสดุ บนมืออื่น ๆ , หายากและค่าใช้จ่ายสูงของวัสดุที่นายกรัฐมนตรีอินเดียมไฮไลท์สํารวจเยี่ยมใหม่ ไม่แพง วัสดุ ในสถานการณ์สมมตินี้ โดยการเติมธาตุที่เหมาะสม เช่น อะลูมิเนียม ( Al ) โฮสต์ในสังกะสีตาข่ายดีกว่าแสงโปร่งใสสามารถเกิดขึ้นได้ในพื้นที่ที่มองเห็นได้ ดังนั้น อัลด้วยเช่นกัน ( AZO ) ทำตัวเหมือนที่ดีที่สุดทางเลือก TCO สำหรับผู้สมัคร อิโตะ พิจารณาความสามารถที่เกี่ยวข้อง เช่น การอยู่ร่วมกันของค่าการนำไฟฟ้าสูง และความโปร่งใสในภูมิภาคยอดเยี่ยมแสงมองเห็นได้ วัสดุ : อาจจะมากที่สุดที่เหมาะสำหรับการผลิตของอุปกรณ์ optoelectronic ในระดับปานกลางโด๊ปหลายระดับ อัล กับอัตราผลตอบแทนเทียบเท่า เนื่องจากคุณสมบัติที่สำคัญเหล่านี้ : ภาพยนตร์ที่ได้รับการใช้งานมากในเขตข้อมูลที่หลากหลาย เช่น เซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มบางแบบ [ 1 ] , [ 2 ] , [ 3 ] ฟิล์มบางทรานซิสเตอร์และขั้วไฟฟ้าโปร่งแสง photovoltaics อินทรีย์ [ 4 ] ฟิล์มบางของอาร์ทีมิสสามารถผลิตโดยใช้เทคนิคการเคลือบมากมายรวมทั้ง RF ดีซีสปัตเตอร์ [ 5 ] [ 6 ] [ 7 ] สเปรย์พลาสม่าเทคนิคพัลส์เลเซอร์ , สะสม [ 8 ] อะตอม สะสมชั้น [ 9 ] , metalorganic ไอสารเคมีสะสม [ 10 ] และเจลเคลือบ [ 11 ] และการศึกษาหลาย ๆปั่น ได้ดำเนินการเพื่อควบคุมธรรมชาติผลึกและลักษณะพื้นผิว ในบรรดาเทคนิคต่าง ๆเหล่านี้ แมกนีตรอนสปัตเตอร์ RF ได้ดึงดูดความสนใจพิเศษมากที่สะสมอุณหภูมิห้องเพราะมันมีภาพขนาดใหญ่สำหรับการผลิตอุตสาหกรรม การยึดเกาะดี และป้องกันไม่ให้เป้าหมายจากพิษ บนมืออื่น ๆ , ฟิล์ม คุณสมบัติส่วนใหญ่จะขึ้นอยู่กับองค์ประกอบทางเคมี โครงสร้างจุลภาคและลักษณะพื้นผิว แมกนีตรอนสปัตเตอริงไม่สมดุล RF ได้พัฒนาเทคนิคขั้นสูงผลิตภาพยนตร์ เช่น ภาพยนตร์ ด้วยโครงสร้างดีกว่าและสัณฐาน เพราะมันเป็นอเนกประสงค์มากที่สุดและมีประโยชน์ในการสะสมของภาพยนตร์ที่มีคุณภาพสูงที่อุณหภูมิห้องปกติ RF แมกนีตรอนสปัตเตอริงผ่านมากกว่าที่เรียกว่าขยายเขตโดยใช้พลาสมาของภายนอกสนามแม่เหล็ก ที่สนามแม่เหล็ก superimposes กับแบบระนาบแมกนีตรอนตั้งค่า RF ในการเรืองแสงของกระบวนการ ประโยชน์หลักของแมกนีตรอนสปัตเตอริงเป็นขาดดุล RF ที่สามารถกักพลาสมาในบริเวณใกล้เคียงของพื้นผิว ในบริบทนี้การขาดดุล RF ตรอนสปัตเตอริง มีส่วนช่วยในการเปลี่ยนแปลงในระหว่างภาพยนตร์เติบโตในลักษณะของฟิล์มที่ผ่านการเปลี่ยนแปลงในลักษณะขยายพลาสมาต่อพื้นผิว และยังบังคับให้อิเล็กตรอนเคลื่อนที่ไปตามเส้นทางรอบ ๆขดลวดขยายเส้นสนามแม่เหล็กที่มีความเข้มแข็งและมีประจุ . เกิดการแตกตัวเป็นไอออนดังกล่าวช่วยปรับปรุงกลไกของการเจริญเติบโตของภาพยนตร์ในการเปรียบเทียบกับแบบ RF แมกนีตรอนสปัตเตอริง . ความพยายามจำกัดเพื่อให้ห่างไกลได้รับการทำและรายงานนี้ [ 12 ] , ALN [ 13 ] [ และ ] : 14,15 ฟิล์มบางด้วยการปรับปรุงโครงสร้าง คุณสมบัติทางไฟฟ้าและการขาดดุล แมกนีตรอนสปัตเตอริง แสง เทคนิค