In the output characteristics ofthe

In the output characteristics of
the GFETs, as shown in Fig. 3(b), the linear IDS–VDS behavior
indicates a good ohmic contact between the Ti/Au contact and
the graphene channels.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในลักษณะผลผลิตของGFETs ดังที่แสดงใน Fig. 3(b) รหัส – VDS พฤติกรรมเชิงบ่งชี้ว่า ผู้ติดต่อแบบโอห์มมิคดีระหว่างติดต่อ ตี้/Au และช่อง graphene

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในลักษณะของการส่งออก
GFETs ดังแสดงในรูปที่ 3 (ข) เส้นพฤติกรรม IDS-VDS
บ่งบอกถึงการติดต่อโอห์มที่ดีระหว่างการติดต่อ Ti / Au และ
ช่องกราฟีน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในการแสดงผลลักษณะ
gfets ดังแสดงในรูปที่ 3 ( B ) , รหัสเชิงเส้น ( VDS พฤติกรรม
บ่งชี้ที่ดีค่าติดต่อระหว่าง Ti / AU ติดต่อ
graphene ช่องทาง