. Preparation of Gas Sensors with M

. Preparation of Gas Sensors with Metal Oxide NWsNanowires of metal oxides were prepared using the techniqueof evaporation-condensation, which exploits the vapor phase-solid (VS) and vapor-liquid-solid (VLS) growth mechanisms.The experimental set-up for the deposition of metal oxidesconsisted in an alumina tubular furnace capable of reachinghigh temperatures (1500° C). This high temperature wasrequired to enable the decomposition of the oxide and topromote evaporation. The temperature gradient within thefurnace and the low pressure in an inert atmosphere allowedcondensation and nucleation of the nanostructures[11].The pressure, the thermal gradient and the gas flow must bestrictly controlled in order to ensure the reproducibility of thesamples among different depositions. During the transient toreach the evaporation temperature and to return back to roomtemperature, the inert gas flow was maintained in the oppositedirection (from the substrate towards the dust), to preventunwanted condensation on the substrate.The temperature of the tubular furnace for zinc oxide wasmaintained at 1200 ° C, and the oxide powder was placed in thecenter of the furnace, where the temperature was the highest.Alumina 2x2mm substrates were catalyzed with platinum priorto the introduction into the oven. The deposition parameters forthe catalyst (deposited by sputtering) were: DC sputteringmode, 50W power and deposition time 2 s. Subsequently, thesubstrates were placed on a sample holder and inserted in alateral zone of the furnace, where the temperature was lower(570 °C). The pressure was decreased to 1 mbar. A 100sccmflow of argon was introduced into the chamber, while a pressurecontroller maintained the pressure at 10mbar. The substrateswere maintained at a temperature of about 570 °C for 5 minutesand then brought back to room temperature

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

. เตรียมแก๊สเซ็นเซอร์ด้วยโลหะ NWsNanowires ออกไซด์ของโลหะออกไซด์ที่เตรียมโดยใช้การ techniqueof ระเหยควบแน่น การนำไอระยะแข็ง (VS) และกลไกการเจริญเติบโต (VLS) ไอของเหลวของแข็งการตั้งค่าที่ทดลองสำหรับสะสมของ oxidesconsisted โลหะในเป็นอลูมินาท่อเตาสามารถอุณหภูมิ reachinghigh (1500° C) Wasrequired อุณหภูมิสูงนี้เพื่อเปิดใช้งานการเน่าของระเหยออกไซด์และ topromote ไล่ระดับอุณหภูมิภายใน thefurnace และความดันต่ำในบรรยากาศ inert allowedcondensation และ nucleation nanostructures [11]ความดัน การไล่ระดับความร้อน และการไหลก๊าซต้องควบคุมเพื่อให้ reproducibility ของ thesamples ใน depositions ที่แตกต่างกัน bestrictly Toreach ชั่วคราวอุณหภูมิระเหย และ สามารถกลับไป roomtemperature กระแสก๊าซเฉื่อยถูกรักษาไว้ใน oppositedirection (จากพื้นผิวต่อฝุ่น), การ preventunwanted มีหยดน้ำเกาะบนพื้นผิวอุณหภูมิของเตาท่อสังกะสีออกไซด์ wasmaintained ที่ 1200 ° C และผงออกไซด์ถูกวางใน thecenter เตา ที่อุณหภูมิสูงสุดพื้นผิว 2x2mm อลูมินามีกระบวนกับแพลตตินั่ม priorto นำเข้าเตาอบ มีพารามิเตอร์สะสมสำหรับเศษ (ฝาก ด้วยสปัตเตอร์): DC sputteringmode, 50W พลังงานและสะสมเวลา 2 s ในเวลาต่อมา thesubstrates ถูกวางบนที่เก็บตัวอย่าง และแทรกลงในเขตพื้นที่ alateral ของเตา ที่อุณหภูมิต่ำกว่า (570 ° C) ความดันลดลงไป 1 mbar 100sccmflow ของอาร์กอนถูกนำเข้าไปในห้อง ในขณะที่ pressurecontroller การรักษาความดันที่ 10mbar Substrateswere รักษาอุณหภูมิประมาณ 570 ° C สำหรับ minutesand 5 แล้ว นำกลับสู่อุณหภูมิห้อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

. เตรียมเซนเซอร์ก๊าซที่มี NWsNanowires ออกไซด์ของโลหะออกไซด์ที่ถูกจัดทำขึ้นโดย techniqueof ระเหยการควบแน่นซึ่งใช้ประโยชน์จากเฟสของแข็งไอ (VS) และไอของเหลวของแข็ง (VLS) การเจริญเติบโต mechanisms.The ทดลองตั้งค่าสำหรับการสะสม ของโลหะ oxidesconsisted ในเตาท่ออลูมิเนียมที่มีความสามารถของอุณหภูมิ reachinghigh (1,500 ° C) นี้อุณหภูมิสูง wasrequired เพื่อเปิดใช้งานการสลายตัวของออกไซด์และการระเหย topromote อุณหภูมิลาดภายใน thefurnace และความกดอากาศต่ำใน allowedcondensation บรรยากาศเฉื่อยและนิวเคลียสของโครงสร้างนาโน [11] ความดันได้โดยเริ่มต้นที่การไล่ระดับความร้อนและการไหลของก๊าซจะต้องควบคุม bestrictly ในการสั่งซื้อเพื่อให้แน่ใจว่าการทำสำเนาของกลุ่มตัวอย่างที่แตกต่างกันในหมู่ depositions ระหว่างชั่วคราว toreach อุณหภูมิการระเหยและส่งกลับมาที่ roomtemperature, การไหลของก๊าซเฉื่อยได้รับการเก็บรักษาไว้ใน oppositedirection (จากพื้นผิวที่มีต่อฝุ่น) เพื่อการควบแน่น preventunwanted กับอุณหภูมิ substrate.The ของเตาท่อสังกะสีออกไซด์ wasmaintained ที่ 1,200 ° C, และผงออกไซด์ที่ถูกวางไว้ใน thecenter ของเตาเผาที่อุณหภูมิถูก highest.Alumina พื้นผิว 2x2mm ถูกเร่งด้วยทองคำขาว priorto แนะนำเข้าเตาอบ พารามิเตอร์การสะสมวงตัวเร่งปฏิกิริยา (ฝากโดยสปัตเตอร์) เป็น: DC sputteringmode พลังงาน 50W และการสะสมเวลา 2 วินาที ต่อมา thesubstrates ถูกวางไว้บนภาชนะใส่สารตัวอย่างและแทรกอยู่ในโซน alateral ของเตาเผาที่อุณหภูมิต่ำ (570 ° C) ความดันลดลงถึง 1 เอ็มบาร์ 100sccmflow ของอาร์กอนถูกนำเข้าไปในห้องในขณะที่ยังคงความดัน pressurecontroller ที่ 10mbar substrateswere เก็บรักษาไว้ที่อุณหภูมิประมาณ 570 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 5 minutesand แล้วนำกลับไปที่อุณหภูมิห้อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

. การเตรียมก๊าซเซ็นเซอร์ด้วยออกไซด์ของโลหะ ออกไซด์ของโลหะ nwsnanowires เตรียมใช้สำหรับไอน้ำระเหยซึ่งใช้ไอเฟสของแข็ง ( VS ) ของแข็ง ของเหลว และไอน้ำ ( vls ) กลไกการเติบโต การสะสมของโลหะ oxidesconsisted สำหรับการทดลองในเตาเผาที่มีอุณหภูมิ reachinghigh ท่ออลูมินา ( 1500 ° C )ที่อุณหภูมิสูงนี้จะช่วยให้ wasrequired การสลายตัวของออกไซด์ และส่งเสริมการระเหย อุณหภูมิลาดภายใน thefurnace และความดันต่ำในบรรยากาศของก๊าซเฉื่อย allowedcondensation และขนาดของนาโน [ 11 ] . ความดันการไล่ระดับความร้อนและการไหลของแก๊สจะต้อง bestrictly ควบคุมเพื่อให้กระชับและระหว่าง Depositions แตกต่างกัน ในช่วง toreach ลดการระเหยอุณหภูมิและกลับไปที่อุณหภูมิห้อง , การไหลของก๊าซไว้ใน oppositedirection ( จากหลากหลายทางฝุ่น ) , preventunwanted การควบแน่นบนพื้นผิวอุณหภูมิของเตาท่อสำหรับสังกะสีออกไซด์ wasmaintained 1200 ° C และผงออกไซด์อยู่ใน thecenter ของเตาหลอมที่อุณหภูมิสูงสุด มินา 2x2mm พื้นผิวถูกเร่งด้วยแพลทินัมเบื้องต้นก่อนเข้าเตาอบ พารามิเตอร์ที่สะสมในตัว ( ฝากโดยทำงาน ) : sputteringmode DC ,มาร์คพลังงานและสะสมเวลา 2 วินาทีต่อมา l ถูกวางไว้บนตัวอย่างที่ยึด และแทรกอยู่ในโซน alateral ของเตาหลอมที่อุณหภูมิต่ำกว่า ( 570 ° C ) ความดันลดลง 1 มิลลิบาร์ เป็น 100sccmflow อาร์กอนถูกนําเข้าห้อง ในขณะที่ pressurecontroller รักษาความดัน 10mbar .การ substrateswere เก็บรักษาที่อุณหภูมิประมาณ 570 องศา C เป็นเวลา 5 minutesand แล้วพากลับไปที่อุณหภูมิห้อง