For further elaboration here it wil

For further elaboration here it will be assumed that VDS is being constant over temperature.
The equation above defines the range where the MOSFET may encounter thermal instability. The term
HI
H
is called
Temperature Coefficient. Since VDS>0 and

23456
!FG"

>0 thermal instability can occur only if the temperature
coefficient of the drain to source current is positive. The question under what conditions such a positive temperature
coefficient can be found is answered by the transfer-funtion graph in the MOSFET datasheet showing IDS over VGS
for various temperatures. An example for such a graph is given in Fig. 5. Comparing the currents at VGS=2V for
Tj=25°C and Tj=150°C indicate that in case of VGS=2V the current will rise over temperature. This means the
temperature coefficient for VGS=2V is positive. At VGS=3.5V the current will decrease over temperature and the
corresponding temperature coefficient is negative. In between is a crossover for the transconductance curves of

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับเพิ่มเติมทุก ๆ ที่นี่ มันจะทึกทักเอาว่า VDS กำลังคงอุณหภูมิสูงเกินสมการข้างต้นกำหนดช่วงที่มอสเฟตที่อาจประสบความไม่แน่นอนความร้อน คำสวัสดีHเรียกว่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ ตั้งแต่ VDS > 0 และ23456! FG "> 0 ที่ความไม่แน่นอนความร้อนสามารถเกิดขึ้นได้ก็ต่อเมื่ออุณหภูมิสัมประสิทธิ์ของท่อระบายน้ำแหล่งปัจจุบันเป็นบวก ถามว่าภายใต้เงื่อนไขอุณหภูมิเป็นบวกสามารถพบสัมประสิทธิ์ตอบ โดยกราฟประชุมถ่ายโอนในแผ่นมอสเฟตแสดงรหัสผ่าน VGSในอุณหภูมิต่าง ๆ ตัวอย่างในกราฟดังกล่าวจะได้รับใน Fig. 5 เปรียบเทียบกระแสที่ VGS = 2V สำหรับTj = 25° C และ Tj = 150° C แสดงว่า กรณี VGS = 2V อุณหภูมิจะเพิ่มขึ้นในปัจจุบัน หมายถึงการสัมประสิทธิ์อุณหภูมิสำหรับ VGS = 2V เป็นบวก ที่ VGS = 3.5V ปัจจุบันจะลดลงกว่าอุณหภูมิและเกี่ยวข้องสัมประสิทธิ์อุณหภูมิเป็นลบ ในระหว่างเป็นไขว้เส้นโค้ง transconductance ของ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับรายละเอียดเพิ่มเติมได้ที่นี่จะได้รับการสันนิษฐานว่า VDS จะถูกอุณหภูมิคงที่ตลอด.
สมการข้างต้นกำหนดช่วงที่ MOSFET อาจพบความไม่แน่นอนความร้อน ระยะ
HI ??
H?
เรียกว่า
ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ ตั้งแต่ VDS> 0 และ
?
23,456
? FG? " > 0 ความไม่แน่นอนความร้อนสามารถเกิดขึ้นได้เฉพาะในกรณีที่อุณหภูมิค่าสัมประสิทธิ์ของการระบายน้ำที่จะมาในปัจจุบันเป็นบวก. คำถามภายใต้เงื่อนไขดังกล่าวอุณหภูมิบวกค่าสัมประสิทธิ์สามารถพบได้เป็นคำตอบโดยการโอนเงิน -funtion กราฟในแผ่นข้อมูล MOSFET แสดง IDS มากกว่า VGS สำหรับอุณหภูมิที่แตกต่างกัน. ตัวอย่างสำหรับกราฟดังกล่าวจะได้รับในรูป. 5. การเปรียบเทียบกระแสที่ VGS = 2V สำหรับTj = 25 องศาเซลเซียสและ Tj = 150 ° C แสดงให้เห็นว่าใน กรณีของ VGS = 2V ปัจจุบันจะสูงขึ้นกว่าอุณหภูมิ. ซึ่งหมายความว่าค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ VGS = 2V เป็นบวก. ที่ VGS = 3.5V ปัจจุบันจะลดลงในช่วงอุณหภูมิและค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิที่สอดคล้องกันเป็นลบ. ในระหว่างที่เป็นครอสโอเวอร์สำหรับ เส้นโค้งของ transconductance

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับรายละเอียดเพิ่มเติมที่นี่จะสันนิษฐานว่า VDS ถูกคงอุณหภูมิ
สมการข้างต้นกำหนดช่วงที่ MOSFET อาจพบสภาวะความไม่มั่นคง คำว่า
หวัดดี  
H

 เรียกว่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ ตั้งแต่ VDS > 0 และ  23456


! !  FG  "

> 0 ความร้อนความไม่แน่นอนสามารถเกิดขึ้นได้ก็ต่อเมื่ออุณหภูมิ
สัมประสิทธิ์การระบายแหล่งปัจจุบันเป็นบวกคำถามภายใต้เงื่อนไขอะไรเช่นอุณหภูมิ
บวกค่าสัมประสิทธิ์สามารถพบได้ถูกตอบโดยการฟังก์ชัน กราฟใน MOSFET แผ่นแสดงรหัสผ่านวีจีเ
ที่อุณหภูมิต่าง ๆ ตัวอย่าง เช่น กราฟจะได้รับในรูปที่ 5 เปรียบเทียบกระแสที่ 2V วีจีเ =
= 25 ° C สำหรับ เจ และ ทีเจ = 150 ° C พบว่าในกรณีของวีจีเ = 2V ในปัจจุบันจะเพิ่มขึ้นอุณหภูมิ
หมายถึงค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิวีจีเ = 2V เป็นบวก ที่วีจีเ = 3.5v ในปัจจุบันจะลดลงเมื่ออุณหภูมิและสอดคล้องกัน
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิเป็นลบ ระหว่างเส้นโค้งของครอสโอเวอร์สำหรับทราน คอนดักแตนซ์