In general, resistive switching (RS

In general, resistive switching (RS) devices normally require an
electroforming process, which involves high-voltage sweep to switch
the device from its pristine state (very high-resistance state (HRS) due
to high insulating properties of the active layer) to low-resistance state
(LRS). This electroforming process, however, might cause reliability
problems associated with the generation and distribution of large
number of defects on applying high electric field. Because of this fact
and filamentary conduction, conventional resistive random access
memory (RRAM) cells show low yield, high operating (set/reset)
current/voltage and large variations in switching characteristics [1,2].
In order to avoid such problems, promising forming-free RRAM devices
based on redox/interface reaction mechanisms have been anticipated [3,
4]. Switching mechanisms in these devices involve the formation of local
conductive filaments resulting from the generation/redistribution of
oxygen vacancies/ions [5–7], charge trapping [8] or polarization
switching [9,10]. Moreover, the nature and geometry of top electrodes
play vital role in forming-free switching. Recently, some RRAM devices
based on transition metal and rare-earth oxides (REO),

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยทั่วไปการสลับทาน (RS) อุปกรณ์ปกติต้อง
electroforming กระบวนการที่เกี่ยวข้องกับการกวาดแรงดันสูงที่จะเปลี่ยน
อุปกรณ์จากรัฐที่เก่าแก่ของ (รัฐมากความต้านทานสูง (HRS) เนื่องจาก
คุณสมบัติของฉนวนสูงของชั้นที่ใช้งานอยู่) ต่ำ รัฐ -resistance
(LRS) กระบวนการ electroforming นี้ แต่อาจก่อให้เกิดความน่าเชื่อถือ
ปัญหาที่เกี่ยวข้องกับการผลิตและการกระจายของขนาดใหญ่
จำนวนข้อบกพร่องในการใช้สนามไฟฟ้าสูง เพราะความจริงนี้
และการนำเส้นใย, ธรรมดาทานเข้าถึงโดยสุ่ม
หน่วยความจำ (RRAM) เซลล์แสดงผลผลิตต่ำ, การดำเนินงานสูง (ตั้ง / การตั้งค่า)
ปัจจุบัน / แรงดันและการเปลี่ยนแปลงขนาดใหญ่ในลักษณะเปลี่ยน [1,2].
เพื่อหลีกเลี่ยงปัญหาดังกล่าว ที่มีแนวโน้มการขึ้นรูปอุปกรณ์ RRAM ฟรี
ขึ้นอยู่กับอกซ์ / อินเตอร์เฟซกลไกปฏิกิริยาที่คาดว่าจะได้รับการ [3,
4] การสลับกลไกในอุปกรณ์เหล่านี้เกี่ยวข้องกับการก่อตัวของท้องถิ่น
เส้นใยนำไฟฟ้าที่เกิดจากการผลิต / การกระจายของ
ตำแหน่งงานว่างออกซิเจน / ไอออน [5-7], ค่าดัก [8] หรือโพลาไรซ์
เปลี่ยน [9,10] นอกจากนี้ยังมีลักษณะและรูปทรงเรขาคณิตของขั้วไฟฟ้าบน
มีบทบาทสำคัญในการก่อให้เกิดการเปลี่ยนฟรี เมื่อเร็ว ๆ นี้บางอุปกรณ์ RRAM
ขึ้นอยู่กับโลหะทรานซิและออกไซด์ของธาตุดิน (REO)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทั่วไป ตัวต้านทาน ( R ) โดยปกติจะต้องเปลี่ยนอุปกรณ์เป็น
Electroforming กระบวนการซึ่งเกี่ยวข้องกับไฟฟ้าแรงสูงกวาดสลับ
อุปกรณ์เก่าแก่ของรัฐ ( รัฐความต้านทานสูงมาก ( น. ) เนื่องจาก
สูงฉนวนคุณสมบัติของชั้นข้อมูล )

สภาพความต้านทานต่ำ ( ไอริส ) นี้ Electroforming แต่กระบวนการที่อาจก่อให้เกิดความน่าเชื่อถือ
ปัญหาที่เกี่ยวข้องกับการผลิตและการกระจายของจำนวนมากของข้อบกพร่องในการใช้สูง
สนามไฟฟ้า เพราะความจริง และเส้นใยที่มีการต้านทาน

ปกติ การเข้าถึงหน่วยความจำแบบสุ่ม ( rram ) เซลล์แสดงผลการดําเนินงานสูง ( ตั้งค่า / ตั้งค่า )
/ แรงดันและกระแสขนาดใหญ่ในรูปแบบการเปลี่ยนลักษณะ [ 1 , 2 ] .
เพื่อหลีกเลี่ยงปัญหาดังกล่าวสัญญาสร้างอุปกรณ์ rram ฟรี
ขึ้นอยู่กับปฏิกิริยารีดอกซ์ / อินเตอร์เฟซกลไกปฏิกิริยาได้ถูกคาดการณ์ไว้ [ 3
4 ] เปลี่ยนกลไกในอุปกรณ์เหล่านี้เกี่ยวข้องกับการจัดตั้งท้องถิ่น
conductive เส้นใยที่เกิดจากรุ่น / แจกจ่าย / ไอออนออกซิเจนงง
[ 5 – 7 ] , [ 8 ] หรือค่าธรรมเนียมการเปลี่ยนโพลาไรเซชัน
[ 9,10 ] นอกจากนี้ ธรรมชาติและเรขาคณิตของ
ขั้วด้านบนเล่นมีบทบาทสําคัญในการสร้างการเปลี่ยนฟรี เมื่อเร็วๆ นี้ อุปกรณ์บางอย่าง rram
ขึ้นอยู่กับการเปลี่ยนโลหะธาตุหายากและออกไซด์ ( REO )