Upon p-NP adsorption on the Al-dope

Upon p-NP adsorption on the Al-doped BN sheet, HOMO/LUMO energy gap of the sheet is dramatically decreased from 5.39 to 1.23 eV and it becomes a p-type semiconductor.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อ p NP การดูดซับบนแผ่นพัน doped อัล ตุ๊ด/LUMO ช่องว่างพลังงานของแผ่นเป็นอย่างมากลดลงจาก 5.39 การ 1.23 eV และจะกลายเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด p เป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อดูดซับพี NP-บนแผ่น BN อัลเจือ, ตุ๊ด / LUMO ช่องว่างของแผ่นพลังงานจะลดลงอย่างมาก 5.39-1.23 eV และจะกลายเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดพี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อ p-np ดูดซับบนอัลเจือพันล้านแผ่น ตุ๊ด / ลูโม้ช่องว่างพลังงานของแผ่นได้เป็นคุ้งเป็นแควลดลงจากจำนวนถึง 1.23 EV และมันกลายเป็นพี )