Abstract(Bi1.5Zn0.1Ca0.4)(Zn0.5Nb1.

Abstract

(Bi1.5Zn0.1Ca0.4)(Zn0.5Nb1.5)O7 (BZNCa) thin films were prepared by pulsed laser deposition on Pt/TiO2/SiO2/Si substrates at room temperature. The as-deposited films and films post-annealed from 100 °C to 175 °C for 10 min in air are all amorphous. The influence of the post-annealing process on structural and electrical properties was investigated. The surface morphology of BZNCa films remains almost same with the annealing temperature. While the dielectric and leakage-current properties of the films are strongly influenced by the annealing temperature. The film deposited at O2 pressure of 4 Pa and then post-annealed at 150 °C shows the improved dielectric and leakage-current characteristics. The dielectric constant and loss tangent are 67.2 and 0.03 at 100 kHz, respectively. The leakage current density is less than 1 µA/cm2 at an applied bias electric field of 400 kV/cm. The results indicate that calcium doped BZN thin films have potential applications for embedded capacitors.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทคัดย่อ(Bi1.5Zn0.1Ca0.4) (Zn0.5Nb1.5) O7 ฟิล์มบาง (BZNCa) ถูกเตรียม โดยเลเซอร์พัลสะสมบนพื้นผิวของ Pt/TiO2/SiO2/ศรี ที่อุณหภูมิห้อง ฝากเป็นฟิล์มและฟิล์มหลัง annealed 100 ° c ถึง 175 ° C สำหรับ 10 นาทีในอากาศจะไปทั้งหมด อิทธิพลของกระบวนการหลอมหลังบนคุณสมบัติโครงสร้าง และไฟฟ้าถูกสอบสวน สัณฐานวิทยาที่พื้นผิวของฟิล์ม BZNCa ยังคงเกือบเดียวกันกับอุณหภูมิหลอม ในขณะที่ขอมีอิทธิพลต่อ dielectric และกระแสรั่วไหลคุณสมบัติของภาพยนตร์ โดยอุณหภูมิหลอม ฟิล์มฝากที่ความดัน O2 4 ป่าแล้ว หลัง annealed ที่ 150 ° C แสดง dielectric ที่ดีขึ้นและลักษณะการรั่วไหลของกระแส คง dielectric และแทนเจนต์ขาดทุนได้ 67.2 และ 0.03 ที่ 100 kHz ตามลำดับ ความหนาแน่นของกระแสรั่วไหลเป็นปกติได้น้อยกว่า 1 cm2 ที่มีสนามไฟฟ้าตั้งใช้ของ 400 kV/cm ผลลัพธ์บ่งชี้ว่า แคลเซียม doped BZN ฟิล์มบางมีโปรแกรมประยุกต์อาจฝังตัวเก็บประจุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อ(Bi1.5Zn0.1Ca0.4) (Zn0.5Nb1.5) O7 (BZNCa) ฟิล์มบางที่ถูกจัดทำขึ้นโดยการสะสมเลเซอร์ชีพจรบน Pt / TiO2 / SiO2 / ศรีพื้นผิวที่อุณหภูมิห้อง ภาพยนตร์เป็นฝากและภาพยนตร์หลังอบ 100 ° C ถึง 175 ° C เป็นเวลา 10 นาทีในอากาศมีทั้งหมดสัณฐาน อิทธิพลของขั้นตอนการโพสต์เกี่ยวกับคุณสมบัติการหลอมโครงสร้างและเครื่องใช้ไฟฟ้าที่ได้รับการตรวจสอบ สัณฐานพื้นผิวของฟิล์ม BZNCa ยังคงอยู่เกือบจะเหมือนกันที่มีอุณหภูมิอบอ่อน ในขณะที่อิเล็กทริกและคุณสมบัติการรั่วไหลหมุนเวียนของภาพยนตร์ที่ได้รับอิทธิพลอย่างมากจากอุณหภูมิอบอ่อน ภาพยนตร์เรื่องนี้นำไปฝากไว้ที่ความดัน O2 4 ป่าแล้วโพสต์อบที่ 150 องศาเซลเซียสแสดงอิเล็กทริกที่ดีขึ้นและลักษณะการรั่วไหลหมุนเวียน อิเล็กทริกคงที่และมีการสูญเสียสัมผัส 67.2 และ 0.03 ที่ 100 เฮิร์ทซ์ตามลำดับ การรั่วไหลของความหนาแน่นกระแสน้อยกว่า 1 ต / cm2 ที่สนามไฟฟ้าที่ใช้อคติ 400 kV / cm ผลการศึกษาพบว่าแคลเซียมเจือ BZN- สนามบินฟิล์มบางมีการใช้งานที่มีศักยภาพสำหรับการฝังตัวเก็บประจุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นามธรรม

( bi1.5zn0.1ca0.4 ) ( zn0.5nb1.5 ) o7 ( bznca ) ฟิล์มบางถูกเตรียมด้วยแสงเลเซอร์พัลส์การตกตะกอนใน PT / TiO2 / SiO2 / ศรี ) ที่อุณหภูมิห้อง ที่ฝากภาพยนตร์และภาพยนตร์โพสต์จาก 100 องศา C อบ 175 องศา C เป็นเวลา 10 นาทีในอากาศทั้งหมดไป . อิทธิพลของกระบวนการอบโพสต์โครงสร้างและสมบัติทางไฟฟ้า ถูกสอบสวนลักษณะพื้นผิวของฟิล์ม bznca ยังคงเกือบเดียวกันกับอุณหภูมิการอบอ่อน . ขณะที่การ รั่ว คุณสมบัติปัจจุบันของภาพยนตร์ที่มีอิทธิพลอย่างมากจากการอบอุณหภูมิ ฟิล์มฝากที่ O2 ความดัน 4 PA แล้วอบ 150 ° C โพสต์แสดงการปรับปรุงฉนวนและกระแสรั่วไหล .ค่าคงที่ไดอิเล็กทริค และแทนเจนต์ความเสียหาย 200 และ 0.03 ที่ 100 kHz ตามลำดับ การรั่วไหลในปัจจุบันความหนาแน่นน้อยกว่า 1 µ / cm2 ที่ใช้อคติสนามไฟฟ้า 400 kV / cm ผลการศึกษาพบว่า แคลเซียม bzn ด้วยฟิล์มบางมีศักยภาพสำหรับอุปกรณ์ฝังตัว