This is longest established in III–

This is longest established in III–V semiconductors, from the GaAs/AlGaAs superlattice through quantum wells (QWs) and modulation doping to quantum wires and quantum dots . Such low-dimensional structures form the basis of the QW lasers and p-HEMTs produced in huge volumes by MBE for optoelectronic and microwave applications. The combination of precise growth control and in situ analysis makes MBE the preeminent technology used to meet such demands.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นี้ยาวที่สุดได้รับการก่อตั้งในอิเล็กทรอนิกส์ III – V จาก superlattice GaAs/AlGaAs ผ่านหลุมควอนตัม (QWs) และปรับยาสลบสายควอนตัมและจุดควอนตัม โครงสร้างมิติต่ำดังกล่าวเป็นพื้นฐานของเลเซอร์ QW และ p-HEMTs ผลิตในปริมาณมาก โดย MBE สำหรับควบคุมและไมโครเวฟ ควบคุมการเจริญเติบโตได้อย่างแม่นยำและวิเคราะห์ในแหล่งกำเนิดทำให้ MBE เทคโนโลยีโดดเด่นที่ใช้เพื่อตอบสนองความต้องการดัง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นี้จะจัดตั้งขึ้นที่ยาวที่สุดในเซมิคอนดักเตอร์ III-V จาก GaAs / การ AlGaAs superlattice ผ่านหลุมควอนตัม (QWS) และการปรับยาสลบสายไฟและควอนตัมจุดควอนตัม โครงสร้างมิติต่ำดังกล่าวเป็นพื้นฐานของเลเซอร์ QW และ P-HEMTs ผลิตในปริมาณมากโดย MBE สำหรับการใช้งาน optoelectronic และไมโครเวฟ การรวมกันของการเจริญเติบโตของการควบคุมที่แม่นยำและในการวิเคราะห์แหล่งกำเนิดทำให้ MBE เทคโนโลยีที่โดดเด่นใช้เพื่อตอบสนองความต้องการดังกล่าว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นี้คือที่ยาวที่สุดที่จัดตั้งขึ้นใน 3 – 5 เซมิคอนดักเตอร์จาก GaAs / algaas ซูเปอร์แลตทิซผ่านทางควอนตัมเวลล์ ( QWS ในการแสดง ) และการปรับเวลาที่สายควอนตัมและจุดควอนตัม เช่นโครงสร้างมิติต่ำรูปแบบพื้นฐานของ qw เลเซอร์และ p-hemts ผลิตในปริมาณมากโดย MBE สำหรับ Optoelectronic และการประยุกต์ใช้ไมโครเวฟ การรวมกันของการควบคุมการเจริญเติบโตที่ชัดเจนและวิเคราะห์แหล่งกำเนิดทำให้ MBE preeminent เทคโนโลยีที่ใช้เพื่อตอบสนองความต้องการดังกล่าว