Lower adsorption of As(V) at acidic pH (pH < pHPZC) is probably due to การแปล - Lower adsorption of As(V) at acidic pH (pH < pHPZC) is probably due to ไทย วิธีการพูด

Lower adsorption of As(V) at acidic

Lower adsorption of As(V) at acidic pH (pH < pHPZC) is probably due to the presence of excess H+ ions competing with As(V) for adsorption sites. As surface charge density decreases with an increase in the solution pH (pH > pHPZC), the electrostatic repulsion between the
positively charged As(V) and the surface of adsorbents is lowered,which may result in an increase in the removal % (V) [29].At higher pH (pH > 9.5) values a decrease in removal % were
observed and could be explained by the repulsion between negative charge of the predominant anionic species in solution (H2AsO4−1and HAsO42−) and the negative surface charge of the sorbents[30].
0/5000
จาก: -
เป็น: -
ผลลัพธ์ (ไทย) 1: [สำเนา]
คัดลอก!
ดูดซับต่ำกว่าของ As(V) ที่กรด pH (pH < pHPZC) อาจเป็นเนื่องจากของส่วนเกิน H + กันแข่งขันกับ As(V) ในอเมริกาดูดซับ เป็นพื้นผิวค่าความหนาแน่นลดลง ด้วยการเพิ่ม pH โซลูชัน (pH > pHPZC), repulsion งานระหว่างการคิดบวก As(V) และพื้นผิวของ adsorbents จะลดลง ซึ่งอาจส่งผลในการเพิ่ม%การกำจัด (V) [29] ที่ค่า pH (pH > 9.5) ที่สูงกว่า การลดเป็น%เอาได้สังเกต และสามารถอธิบาย โดย repulsion ระหว่างประจุลบชนิดย้อมกันในโซลูชั่น (H2AsO4−1and HAsO42−) และประจุลบที่ผิวของ sorbents [30]
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 2:[สำเนา]
คัดลอก!
การดูดซับลดลงของการเป็น (V) ที่ pH ที่เป็นกรด (pH <pHPZC) อาจเป็นเพราะการปรากฏตัวของส่วนเกิน H + ไอออนแข่งขันกับในฐานะที่เป็น (V) สำหรับเว็บไซต์การดูดซับ ในฐานะที่เป็นค่าความหนาแน่นพื้นผิวจะลดลงตามการเพิ่มขึ้นของค่า pH การแก้ปัญหา (pH> pHPZC)
ที่เขม่นไฟฟ้าสถิตระหว่างประจุบวกเป็น(V) และพื้นผิวของตัวดูดซับจะลดลงซึ่งอาจส่งผลในการเพิ่มขึ้นในการกำจัด% ที่ (V) [29] ในตอน pH สูง (pH> 9.5) ค่าลดลงในการกำจัด%
ถูกตั้งข้อสังเกตและสามารถอธิบายได้ด้วยการขับไล่ระหว่างประจุลบชนิดประจุลบที่โดดเด่นในการแก้ปัญหา(H2AsO4-1and HAsO42-) และค่าใช้จ่ายพื้นผิวเชิงลบของ กระบวนการดูดซึม [30]
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 3:[สำเนา]
คัดลอก!
ลดการดูดซับ ( V ) ที่ pH ที่เป็นกรด ( pH < phpzc ) อาจจะเนื่องจากการแสดงตนของส่วนเกิน H ไอออนแข่งกับ ( V ) สำหรับเว็บไซต์การ ตามความหนาแน่นประจุพื้นผิวลดลง ด้วยการเพิ่มขึ้นในสารละลาย pH ( pH > phpzc ) , การขับไล่ไฟฟ้าสถิตระหว่าง
มีประจุบวก ( V ) และพื้นผิวของสารจะลดลง ซึ่งอาจส่งผลในการเพิ่มขึ้นในการกำจัด % ( V ) [ 29 ]ที่ระดับ pH ( pH > 9.5 ) ค่าลดลงในการกำจัดร้อยละ
สังเกตและสามารถอธิบายได้โดยแรงผลักระหว่างประจุไฟฟ้าลบของประจุลบชนิดเด่นในสารละลาย ( h2aso4 −และ haso42 − ) และพื้นผิวของการดูดซับประจุลบ [ 30 ]
การแปล กรุณารอสักครู่..
 
ภาษาอื่น ๆ
การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.

Copyright ©2025 I Love Translation. All reserved.

E-mail: