For 180 nm technology, simple masks

For 180 nm technology, simple masks without optical
proximity correction (OPC) are sufficient to pattern CMOS
devices. When it comes to 130 nm technology, Rule/Model
based OPC is already needed. As the technology shifts into
below 100 nm, the masks be come more complex and more
advanced techniques are required. Moreover,it still adoubt
how the future masks will be.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับ 180 nm เทคโนโลยี ง่ายมาสก์โดยแสง
แก้ไขตู้ (OPC) มีเพียงพอรูปแบบ CMOS
อุปกรณ์ เมื่อมันมาถึง 130 nm เทคโนโลยี กฎแบบ
แล้วต้องจาก OPC เป็นเทคโนโลยีกะเป็น
ด้านล่าง 100 nm มาสก์จะซับซ้อนมากขึ้นและมากขึ้น
เทคนิคขั้นสูงจำเป็น นอกจากนี้ มันยัง adoubt
วิธีมาสก์ในอนาคตจะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

180 เทคโนโลยีนาโนเมตรหน้ากากง่ายโดยไม่ต้องแสง
การแก้ไขใกล้ชิด (OPC) มีเพียงพอกับรูปแบบ CMOS
อุปกรณ์ เมื่อมันมาถึง 130 นาโนเมตรเทคโนโลยีกฎ / รุ่น
OPC ตามที่ต้องการแล้ว เป็นเทคโนโลยีที่เปลี่ยนลง
ต่ำกว่า 100 นาโนเมตรมาสก์ได้เข้ามาที่ซับซ้อนมากขึ้นและอื่น ๆ
เทคนิคขั้นสูงจะต้อง นอกจากนี้ก็ยังคง adoubt
วิธีมาสก์ในอนาคตจะมี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับเทคโนโลยี 180 nm , หน้ากากง่ายโดยไม่ต้องแก้ไข เช่น
แสง ( OPC ) มีเพียงพอที่จะรูปแบบ CMOS
อุปกรณ์ เมื่อมันมาถึง 130 nm เทคโนโลยี รูปแบบการปกครอง /
จาก OPC แล้วต้องการ เป็นเทคโนโลยีกะเข้าสู่
ต่ำกว่า 100 นาโนเมตร หน้ากากมาซับซ้อนมากขึ้น
เทคนิคขั้นสูงจะต้อง นอกจากนี้ยัง adoubt
ว่าหน้ากาก ในอนาคตจะเป็น