usually abbreviated as VOV, is typi

usually abbreviated as VOV, is typically referred to in the context of MOSFET transistors. The overdrive voltage is defined as the voltage between transistor gate and source (VGS) in excess of the threshold voltage (Vt) where Vt is defined as the minimum voltage required between gate and source to turn the transistor on (allow it to conduct electricity). Due to this definition, overdrive voltage is also known as "excess gate voltage" or "effective voltage."[1] Overdrive voltage can be found using the simple equation: VOV = VGS − Vt.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มักย่อว่าเป็น VOV มักจะถูกอ้างถึงในบริบทของทรานซิสเตอร์ MOSFET กำหนดพิกัดแรงดันไฟฟ้าเป็นแรงดันไฟฟ้าระหว่างทรานซิสเตอร์ประตูและแหล่ง (VGS) เกินขีดจำกัดแรงดันไฟฟ้า (Vt) ที่ Vt ถูกกำหนดให้เป็นแรงดันต่ำสุดที่จำเป็นระหว่างประตูและแหล่งเปิดทรานซิสเตอร์ (อนุญาตให้ทำการผลิตไฟฟ้า) เนื่องจากคำนิยามนี้ พิกัดแรงดันไฟฟ้านี้เรียกว่าเป็น "ประตูเกินแรงดันไฟฟ้า" หรือ "มีประสิทธิภาพแรง [1] แรงดันพิกัดสามารถพบได้โดยใช้สมการง่าย ๆ: VOV = VGS − Vt.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มักจะสั้นเป็น VOV, มักจะอ้างถึงในบริบทของทรานซิสเตอร์มอสเฟต แรงดันไฟฟ้าเกินพิกัดถูกกำหนดให้เป็นแรงดันไฟฟ้าระหว่างประตูทรานซิสเตอร์และแหล่งที่มา (VGS) ในส่วนที่เกินจากแรงดันเกณฑ์ (VT) ซึ่ง Vt ถูกกำหนดให้เป็นแรงดันขั้นต่ำที่จำเป็นระหว่างประตูและแหล่งที่มาจะเปิดทรานซิสเตอร์บน (การอนุญาตให้นำไฟฟ้า) . เนื่องจากคำนิยามนี้แรงดันไฟฟ้าเกินพิกัดเป็นที่รู้จักกันว่า "แรงดันเกตส่วนเกิน" หรือ [1] แรงดัน Overdrive สามารถพบได้โดยใช้สมการง่าย "แรงดันไฟฟ้าที่มีประสิทธิภาพ.": VOV = VGS - เวอร์มอนต์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มักจะเรียกโดยย่อว่า vov , มักจะเรียกว่าในบริบทของมอสเฟตทรานซิสเตอร์ การใช้แรงดันไฟฟ้าที่กำหนดแรงดันไฟฟ้าระหว่างประตูทรานซิสเตอร์และแหล่งที่มา ( วีจีเ ) ในส่วนของค่าแรงดันไฟฟ้า ( VT ) ที่ VT หมายถึงแรงดันต่ำสุดระหว่างประตูและเป็นแหล่งเปิดทรานซิสเตอร์ ( ให้มันเป็นตัวนำไฟฟ้า ) จากคำนิยามนี้ใช้แรงดันไฟฟ้าเรียกว่า " แรงดัน " หรือ " ผลประตูเกินแรงดัน " [ 1 ] Overdrive แรงดันสามารถพบได้โดยใช้สมการง่าย ๆ : vov = − , วีจีเ