In the p-n junction diode, the majo

In the p-n junction diode, the majority carriers (holes in p and electrons in the n material) stand a low chance of recombining with the minority carriers (electrons in the p and holes in the n material).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในไดโอดเชื่อมต่อ p-n ผู้ให้บริการส่วนใหญ่ (หลุมใน p) และอิเล็กตรอนในวัสดุ n ยืนโอกาสต่ำของ recombining กับผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อย (อิเล็กตรอนในการ p) และหลุมในวัสดุ n

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในไดโอด PN Junction, สายการบินส่วนใหญ่ (หลุมใน P และอิเล็กตรอนในวัสดุที่ n) ยืนโอกาสที่ต่ำของ recombining กับผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อย (อิเล็กตรอนใน P และหลุมในวัสดุเอ็น)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ใน p-n ชุมทางไดโอด ส่วนใหญ่ผู้ให้บริการ ( หลุมที่ P และ N อิเล็กตรอนในวัสดุ ) มีโอกาสน้อยของ recombining กับชนกลุ่มน้อยผู้ให้บริการ ( ตัว P และ N หลุมในวัสดุ )