around 3-4eV of energy, which is su

around 3-4eV of energy, which is sucient to create electron-hole pairs in most
semiconductors through the photoelectric eect (eg. silicon band gap energy 
1.1 eV) [5]).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ประมาณ 3-4eV พลังงาน ซึ่งเป็น su cient สร้างหลุมอิเล็กตรอนคู่ในที่สุด
อิเล็กทรอนิกส์ผ่านอี photoelectricect (eg. ซิลิคอนแถบช่องว่างพลังงาน
1.1 eV) [5])

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ประมาณ 3-4EV ของพลังงานซึ่งเป็น su? cient การสร้างคู่อิเล็กตรอนหลุมในที่สุด
เซมิคอนดักเตอร์ผ่านตาแมว e? ect (เช่นซิลิกอนช่องว่างแถบพลังงาน
1.1 eV) [5])

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รอบ 3-4ev พลังงานซึ่งเป็นซู  cient เพื่อสร้างหลุมคู่อิเล็กตรอนในสารกึ่งตัวนำส่วนใหญ่
ผ่านตาแมว E  ect ( วงดนตรีซิลิคอนเช่นช่องว่างพลังงาน 
1.1 eV ) [ 5 ] )