Furthermore, bulk nanostructured (B

Furthermore, bulk nanostructured (BN)
samples fabricated by novel chemical [11] or physical
routes showed a high ZT value compared with conventional
production routes [12]. The compounds of Mg2GIV
(GIV = Si, Ge and Sn) and its alloys have been recognized

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นอกจากนี้กลุ่มอิเล็กทรอนิคส์ (BN)
ตัวอย่างประดิษฐ์โดยเคมีนวนิยาย [11]
หรือทางกายภาพเส้นทางพบว่ามีค่าZT
สูงเมื่อเทียบกับการชุมนุมเส้นทางการผลิต[12] สารประกอบของ Mg2GIV
(GIV = ศรีจีอีและ Sn) และโลหะผสมที่ได้รับการยอมรับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นอกจากนี้ กลุ่ม nanostructured ( BN )
ตัวอย่างประดิษฐ์โดยนวนิยายทางเคมีหรือทางกายภาพ [ 11 ]
เส้นทาง พบค่า ZT สูงเมื่อเทียบกับปกติ
การผลิตเส้นทาง [ 12 ] สารประกอบของ mg2giv
( จีอีมันนี่ = ศรี , GE และ SN ) และโลหะผสมที่ได้รับรู้