CuPS was firstly synthesized by usi

CuPS was firstly synthesized by using the cationic exchange method [93]. The cations of copper tetraamine complex [Cu(NH3)4(H2O)2]2+ were dissolved and then deposited on a silica surface at room temperature. The cationic exchange method is usually accompanied by a deposition-precipitation step because the formation of CuPS was proposed to be a sequential process through the dissolution of silica followed by the precipitation of phyllosilicates. Toupance et al. [40] proposed that the formation mechanism of CuPS is through the selective adsorption of neutral Cu complexes (i.e., Cu(OH)2(H2O)2) on a silica surface). Therefore, the cationic exchange was renamed as selective adsorption. Later, Chen et al. [73] reported an ammonia evaporation (AE) method for CuPS synthesis. In this process, silica sol was mixed with a copper ammonia complex (initial pH value at about 11–12), followed by the gradual removal of ammonia through evaporation till the solution is neutralized, yielding CuPS as the precipitates.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

CuPS ถูกสังเคราะห์ครั้งแรกโดยใช้วิธีแลกเปลี่ยนประจุบวก [93] แคตไอออนของคอปเปอร์เทตราเอมีนเชิงซ้อน [Cu(NH3)4(H2O)2]2+ ถูกละลายแล้วสะสมไว้บนพื้นผิวซิลิกาที่อุณหภูมิห้อง โดยทั่วไปวิธีการแลกเปลี่ยนประจุบวกจะมาพร้อมกับขั้นตอนการตกตะกอน-การตกตะกอน เนื่องจากการก่อตัวของ CuPS ถูกเสนอให้เป็นกระบวนการตามลำดับผ่านการละลายซิลิกาตามด้วยการตกตะกอนของฟิลโลซิลิเกต ทูปานซ์ และคณะ [40] เสนอว่ากลไกการก่อตัวของ CuPS เกิดจากการดูดซับแบบเลือกสรรของสารเชิงซ้อน Cu ที่เป็นกลาง (เช่น Cu(OH)2(H2O)2) บนพื้นผิวซิลิกา) ดังนั้นการแลกเปลี่ยนประจุบวกจึงถูกเปลี่ยนชื่อเป็นการดูดซับแบบเลือกสรร ต่อมาเฉินและคณะ [73] รายงานวิธีการระเหยแอมโมเนีย (AE) สำหรับการสังเคราะห์ CuPS ในกระบวนการนี้ ซิลิกาโซลถูกผสมกับคอปเปอร์แอมโมเนียคอมเพล็กซ์ (ค่า pH เริ่มต้นประมาณ 11–12) ตามด้วยการค่อยๆ กำจัดแอมโมเนียผ่านการระเหยจนกระทั่งสารละลายถูกทำให้เป็นกลาง โดยให้ CuPS เป็นตะกอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

CuPS ถูกสังเคราะห์ขึ้นโดยใช้วิธีการแลกเปลี่ยนไอออนบวกเป็นครั้งแรก [93] ไอออนบวกของทองแดง tetramine complex [Cu (NH3) 4 (H2O) 2] 2+ จะถูกละลายแล้วฝากบนพื้นผิวของซิลิกาที่อุณหภูมิห้อง วิธีการแลกเปลี่ยนไอออนบวกมักจะมาพร้อมกับขั้นตอนการตกตะกอน - การตกตะกอนเนื่องจากการก่อตัวของ CuPS ถือเป็นกระบวนการตามลำดับโดยการละลายของซิลิกาแล้วตกตะกอนของซิลิเกต laminate Toupance et al. [40] เสนอว่ากลไกการก่อตัวของ CuPS คือการดูดซับแบบเลือกบนพื้นผิวของซิลิกาผ่าน Cu Complex ที่เป็นกลาง (เช่น Cu (OH) 2 (H2O) 2) ดังนั้นการแลกเปลี่ยนไอออนบวกจึงเปลี่ยนชื่อเป็นการดูดซับแบบเลือก ต่อมา Chen et al. [73] รายงานวิธีการระเหยของแอมโมเนีย (AE) สำหรับการสังเคราะห์ CuPS ในกระบวนการนี้ซิลิกาโซลจะถูกผสมกับทองแดงแอมโมเนียคอมเพล็กซ์ (ค่า pH เริ่มต้นประมาณ 11-12) จากนั้นแอมโมเนียจะถูกลบออกอย่างค่อยเป็นค่อยไปโดยการระเหยจนกว่าสารละลายจะถูกทำให้เป็นกลางและผลิต CuPS เป็น p

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

CuPSเป็นครั้งแรกโดยใช้วิธีการแลกเปลี่ยนไอออนบวก[ 93 ] ที่อุณหภูมิห้องไอออนบวกของคอมเพล็กซ์ทองแดงtetrahamine [ Cu ( NH3)4 ( h2o ) ]2+จะละลายและฝากไว้บนพื้นผิวของซิลิคอนไดออกไซด์ การแลกเปลี่ยนไอออนบวกมักมาพร้อมกับขั้นตอนการตกตะกอน-การตกตะกอนเนื่องจากการก่อตัวของCuPSถือเป็นกระบวนการต่อเนื่องโดยการละลายซิลิกาและจากนั้นการตกตะกอนของซิลิเกต Toupance et al . [ 40 ]ชี้ให้เห็นว่ากลไกการก่อตัวของCuPSคือการดูดซับสารประกอบทองแดงที่เป็นกลาง(เช่นCu ( OH )2 ( h2o ) 2 )บนพื้นผิวของซิลิคอนไดออกไซด์) ดังนั้นการแลกเปลี่ยนไอออนบวกจึงถูกเปลี่ยนชื่อเป็นการดูดซับแบบเลือก ต่อมาChen et al . [ 73 ]รายงานการสังเคราะห์CuPSโดยการระเหยของแอมโมเนีย( AE ) ในกระบวนการนี้ซิลิกาโซลจะผสมกับแอมโมเนียคอมโพสิตทองแดง(ค่าphเริ่มต้นประมาณ11-12 )และแอมโมเนียจะค่อยๆถูกลบออกจากการระเหยจนกว่าสารละลายจะถูกทําให้เป็นกลางเพื่อให้เกิดการตกตะกอนของCuPS