Thisallows avoiding the leakage and

This
allows avoiding the leakage and corresponding
complexity of the stacked diodes and elimination of
the parasitic bipolar gain current path and possible
vulnerability to latchup associated with stacked
solution high side p+-regions injection

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นี้ช่วยให้หลีกเลี่ยงการรั่วไหล และสอดคล้องความซับซ้อนของไดโอดแบบเรียงซ้อนและการกำจัดเส้นทางปัจจุบันกำไรสองขั้วที่ปรสิตและเป็นไปได้ช่องโหว่ที่เกี่ยวข้องกับ latchup ซ้อนสูงโซลูชันด้าน p + -ฉีดภูมิภาค

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นี้
จะช่วยให้หลีกเลี่ยงการรั่วไหลและสอดคล้องกับ
ความซับซ้อนของไดโอดซ้อนและการกำจัดของ
พยาธิกำไรสองขั้วเส้นทางปัจจุบันและเป็นไปได้
ความเสี่ยงต่อการที่เกี่ยวข้องกับ latchup ซ้อนกัน
แก้ปัญหาด้านสูง P + -regions ฉีด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นี้ช่วยให้หลีกเลี่ยงการรั่วไหลและสอดคล้องกันความซับซ้อนของซ้อนและตัดของไดโอดพยาธิ bipolar ได้รับในปัจจุบันเส้นทางและเป็นไปได้ความเสี่ยงที่เกี่ยวข้องกับ latchup ซ้อนโซลูชั่นด้านสูง P + ฉีด ภูมิภาค