(c) Silicon Silicon is the most abu

(c) Silicon
Silicon is the most abundant element in the earth’s crust after oxygen. Most of this
silicon exists as a component of silicate rocks and the element is not found as a simple
substance. Therefore, silicon is produced by the reduction of quartz and sand with
high-grade carbon using electric arc furnaces. Higher-grade silicon is obtained by
hydrogen reduction of SiHCl3, which is produced by the hydrochlorination of low purity
silicon followed by rectification. The silicon used for semiconductor devices is further
refined by the crystal Czochralski or zone melting methods. The crystal (mp 1410 oC) has
a metallic luster and the diamond type structure.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

(ค) ซิลิโคน ซิลิคอนเป็นองค์ประกอบมากที่สุดในเปลือกโลกหลังจากออกซิเจน ส่วนใหญ่นี้ซิลิโคนอยู่เป็นส่วนประกอบของหินซิลิเกต และไม่พบองค์ประกอบเป็นแบบง่าย ๆสาร ดังนั้น ซิลิโคนผลิต โดยการลดลงของควอตซ์และทรายกับคาร์บอนคุณภาพสูงที่ใช้เตาเผาไฟฟ้า ซิลิโคน higher-grade จะได้รับโดยการลดไฮโดรเจน SiHCl3 ซึ่งผลิต โดย hydrochlorination ของความบริสุทธิ์ต่ำซิลิโคนตามแก้ไข ซิลิโคนที่ใช้กับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำมีกลั่น โดยวิธี Czochralski หรือหลอมเหลวโซนของคริสตัล มีคริสตัล (mp 1410 oC)โลหะมันวาวและเพชรชนิดโครงสร้าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

(ค) ซิลิคอน
ซิลิคอนเป็นธาตุที่มีมากที่สุดในเปลือกโลกหลังจากออกซิเจน ส่วนใหญ่นี้
ซิลิกอนที่มีอยู่เป็นส่วนประกอบของหินซิลิเกตและองค์ประกอบไม่พบว่าเป็นความเรียบง่าย
สาร ดังนั้นซิลิกอนที่ผลิตโดยการลดลงของควอทซ์และทรายกับ
คาร์บอนคุณภาพสูงโดยใช้เตาอาร์คไฟฟ้า ซิลิกอนที่สูงกว่าเกรดจะได้รับโดย
การลดลงของไฮโดรเจน SiHCl3 ซึ่งผลิตโดย hydrochlorination ของความบริสุทธิ์ต่ำ
ซิลิคอนตามสัตยาบัน ซิลิโคนที่ใช้สำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเพิ่มเติม
กลั่นโดย Czochralski คริสตัลหรือโซนวิธีการละลาย คริสตัล (MP 1410 องศาเซลเซียส) มี
ความมันวาวและโครงสร้างโลหะประเภทเพชร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

( c ) ซิลิคอนซิลิคอนเป็นธาตุที่มีมากที่สุดในเปลือกโลกหลังจากออกซิเจน ที่สุดนี้ซิลิคอนที่มีอยู่เป็นส่วนประกอบของหินซิลิเกตและองค์ประกอบไม่พบโดยง่ายสาร ดังนั้น ซิลิคอน ผลิต โดยการลดลงของควอตซ์และทรายคาร์บอนคุณภาพสูง โดยใช้เตาอาร์คไฟฟ้า ซิลิคอนเกรดที่สูงขึ้นได้รับโดยการลดไฮโดรเจนของ sihcl3 ซึ่งผลิตโดย hydrochlorination ของความบริสุทธิ์ต่ำซิลิคอน ตามมาด้วยการแก้ไข . ซิลิโคนที่ใช้สำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์เป็นเพิ่มเติมการกลั่นโดยคริสตัล czochralski หรือโซนละลายวิธี คริสตัล ( MP 1240 องศาเซลเซียส ) ได้เป็นเงาโลหะและเพชรชนิดโครงสร้าง