M/C paper chemical sensor was fabri

M/C paper chemical sensor was fabricated by fabricating gold electrode on the M/C paper. The electrode was inter-digital transducer (IDT) pattern that has comb length of 2.49 mm and comb
width of 26 m. Conventional photolithography and lift-off technique were used for the electrode fabrication. Photoresist (PR) (S2010, Microchem) was deposited on the M/C paper by spincoating at 3000 rpm and exposed by UV system (Karl Süss, i-line) with a photomask for 12 s. After baking process, the paper was developed and rinsed with IPA. Finally, 100 nm thick gold layer was deposited on the paper using the thermal evaporating system, and remnant PR pattern was removed from the paper. Fig. 1 shows the IDT shaped electrode pattern on the M/C paper.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

M/C กระดาษเคมีเซ็นเซอร์ถูกประดิษฐ์ โดยผลิตอิเล็กโทรดทองบนกระดาษ M/C อิเล็กโทรดเป็นรูปแบบดิจิตอลระหว่างพิกัด (IDT) ที่มีหวียาว 2.49 mm และหวีกว้าง 26 ม. photolithography และยกลากจูงเทคนิคทั่วไปถูกใช้สำหรับการผลิตไฟฟ้า ฝากไว้ใน M/C กระดาษ โดย spincoating ที่ 3000 rpm และสัมผัส โดยระบบ UV เพียง (PR) (S2010, Microchem) (Karl Süss, i-บรรทัด) กับ photomask 12 s หลังจากขั้นตอนการอบ กระดาษถูกพัฒนา และล้าง ด้วย IPA สุดท้าย ฝาก 100 nm ทองหนาบนกระดาษโดยใช้ระบบระเหยความร้อน และรูปแบบประชาสัมพันธ์ส่วนที่เหลือถูกเอาออกจากกระดาษ รูปที่ 1 แสดง IDT อิเล็กโทรดที่มีรูปทรงลวดลายบนกระดาษ M/C

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

M / C เซ็นเซอร์เคมีกระดาษประดิษฐ์โดยผลิตอิเล็กโทรดทองบนกระดาษ M / C ขั้วไฟฟ้าเป็นตัวแปลงสัญญาณระหว่างดิจิตอล (IDT) รูปแบบที่มีความยาวหวี 2.49 มิลลิเมตรและหวี
กว้าง 26 m? photolithography ธรรมดาและเทคนิคการยกออกถูกนำมาใช้สำหรับการผลิตไฟฟ้า ไวแสง (PR) (S2010, Microchem) ถูกวางลงบนกระดาษ M / C โดย spincoating ที่ 3000 รอบต่อนาทีและสัมผัสโดยระบบ UV (คาร์ลSüss i-บรรทัด) ด้วยโฟโต้ 12 วินาที หลังจากขั้นตอนการอบกระดาษที่ได้รับการพัฒนาและล้างด้วย IPA สุดท้าย 100 นาโนเมตรชั้นทองหนาถูกวางบนกระดาษโดยใช้ระบบการระเหยความร้อนและรูปแบบการประชาสัมพันธ์ที่เหลือถูกลบออกจากกระดาษ มะเดื่อ. 1 แสดงราชกิจจานุเบกษารูปแบบอิเล็กโทรดรูปบนกระดาษ M / C