Networked silicon oxide nanowires h

Networked silicon oxide nanowires have been synthesized by VO2-assisted chemical vapor deposition at 1000 °C on silicon substrate without supplying any gaseous or liquid Si source. Systematic study on the nanowire growth has indicated that morphology and composition of the final products are sensitive to the catalyst components, reaction atmosphere and temperature. Compared to Au and VO2 as catalysts individually, co-catalysts of Au and VO2 play a critical role in the formation of networked SiO2 nanowires. Transmission electron microscopy (TEM) and scanning electron microscopy (SEM) observations indicate that the silicon oxide nanowires have smooth surfaces with uniform diameters of 30–100 nm, and their lengths reach several hundred micrometers. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) results reveal the atomic ratio of silicon to oxygen is about 1:2. Growth dependence of the networked nanowires on hydrogen and temperature is also discussed. Vapor-liquid-solid (VLS) process is proposed for the growth mechanism of the networked nanowires. It is also found that the growth mechanism of SiO2 nanowires by increasing the temperature up to 1200 °C changes to vapor–solid (VS) processes since wire-like structures can be formed without any catalyst or H2 gas introduced into the system.

0/5000

จาก: -

เป็น: -

ผลลัพธ์ (ไทย) 1: [สำเนา]

คัดลอก!

เครือข่าย nanowires ซิลิกอนออกไซด์ได้รับการสังเคราะห์โดย VO2 ช่วยไอสารเคมีสะสมที่ 1000 องศาเซลเซียสบนพื้นผิวซิลิกอนโดยไม่ต้องจัดหาแหล่ง si ใด ๆ ที่เป็นก๊าซหรือของเหลว ระบบการศึกษาการเจริญเติบโตของเส้นลวดนาโนได้ชี้ให้เห็นว่าลักษณะทางสัณฐานวิทยาและองค์ประกอบของผลิตภัณฑ์สุดท้ายมีความไวต่อส่วนประกอบของตัวเร่งปฏิกิริยาบรรยากาศปฏิกิริยาและอุณหภูมิเมื่อเทียบกับลาและ VO2 เป็นตัวเร่งปฏิกิริยาเป็นรายบุคคลร่วมตัวเร่งปฏิกิริยาของลาและ VO2 มีบทบาทที่สำคัญในการสร้างเครือข่าย nanowires SiO2 กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (Tem) และการสแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) การสำรวจแสดงให้เห็นว่าซิลิกอนออกไซด์ nanowires มีพื้นผิวเรียบที่มีเส้นผ่าศูนย์กลางเครื่องแบบ 30-100 นาโนเมตรและความยาวของพวกเขาไปถึงหลายร้อยไมโครเมตรx-ray เปคโทรส (XPS) เปิดเผยผลอัตราส่วนอะตอมของซิลิกอนออกซิเจนประมาณ 01:02 การพึ่งพาการเจริญเติบโตของเครือข่าย nanowires ไฮโดรเจนและอุณหภูมิยังกล่าวถึง ไอของเหลวของแข็ง (vls) ขั้นตอนการเสนอกลไกการเจริญเติบโตของเครือข่าย nanowiresก็ยังพบว่ากลไกการเจริญเติบโตของ nanowires SiO2 โดยการเพิ่มอุณหภูมิถึง 1200 องศาเซลเซียสเปลี่ยนแปลงไป (เทียบ) กระบวนการไอของแข็งตั้งแต่โครงสร้างสายเช่นสามารถเกิดขึ้นได้โดยไม่ต้องใช้ตัวเร่งปฏิกิริยาใด ๆ หรือก๊าซ h2 นำเข้ามาในระบบ

การแปล กรุณารอสักครู่..

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:[สำเนา]

คัดลอก!

เครือข่ายซิลิคอนออกไซด์ nanowires มีถูกสังเคราะห์ โดยสะสมไอสารเคมีช่วย VO2 ที่ 1000 ° C บนพื้นผิวซิลิกอน โดยจัดหาแหล่งใด ๆ ศรีเป็นต้น หรือของเหลว ระบบการศึกษาการเจริญเติบโตของ nanowire มีระบุสัณฐานวิทยาและองค์ประกอบของผลิตภัณฑ์ขั้นสุดท้ายสำคัญกับส่วนประกอบเศษ บรรยากาศปฏิกิริยา และอุณหภูมิ เมื่อเทียบกับ Au และ VO2 เป็นสิ่งที่ส่งเสริมแต่ละ สิ่งที่ส่งเสริมความร่วมของ Au และ VO2 มีบทบาทสำคัญในการก่อตัวของ nanowires SiO2 บนเครือข่าย ส่งอิเล็กตรอน microscopy (ยการ) และการสแกนสังเกตอิเล็กตรอน microscopy (SEM) บ่งชี้ว่า nanowires ออกไซด์ซิลิคอนมีพื้นผิวเรียบ ด้วยรูปสมมาตรของ 30–100 nm และความยาวของพวกเขาถึงคัลไมโครมิเตอร์แบบร้อยหลาย อัตราส่วนอะตอมของซิลิคอนกับออกซิเจนกำลังค่อย ๆ ผลเอ็กซ์เรย์ photoelectron ก (XPS) 1:2 นอกจากนี้ยังมีการกล่าวถึงอาศัยเจริญเติบโตของ nanowires เครือข่ายไฮโดรเจนและอุณหภูมิ ไอของเหลวของแข็ง (VLS) กระบวนการเป็นการนำเสนอสำหรับกลไกการเจริญเติบโตของ nanowires เป็นเครือข่าย ก็จะพบว่า กลไกการเจริญเติบโตของ nanowires SiO2 โดยเพิ่มอุณหภูมิขึ้นถึง 1200 ° C เปลี่ยนแปลง vapor–solid (VS) ประมวลผลเนื่องจากโครงสร้างเช่นลวดสามารถเกิดขึ้นโดยไม่มีเศษหรือก๊าซ H2 นำเข้าสู่ระบบ

การแปล กรุณารอสักครู่..

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:[สำเนา]

คัดลอก!

nanowires ออกไซด์ซิลิโคนบนเครือข่ายได้รับการสังเคราะห์ความถี่โดย VO ไอเคมี 2 - ช่วยเหลือวางที่ C 1000 °บนผิวหน้าซิลิกอนโดยไม่ต้องจัดหาแหล่งรั่วไหลหรือของเหลวศรีใดๆ การศึกษาอย่างเป็นระบบในการขยายตัว nanowire ได้ระบุว่าการเขียนเรียงความและรูปร่างลักษณะของหินของสินค้าที่มีความอ่อนไหวต่อคอมโพเนนต์ Catalyst บรรยากาศการตอบสนองและ อุณหภูมิเมื่อเทียบกับออสเตรเลียและ VO 2 แบบเฉพาะตัวเป็นตัวผู้ร่วม - ตัวของออสเตรเลียและ VO 2 มีบทบาทที่สำคัญในการก่อตั้ง nanowires เครือข่าย SIO 2 การสังเกตการณ์การส่งสัญญาณการตรวจวิเคราะห์สารเคมีอิเลคตรอน(เปิดระบบ)และการตรวจวิเคราะห์สารเคมีอิเลคตรอนการสแกน(ความหมายอย่างไรต่อ)แสดงว่า nanowires ออกไซด์ซิลิกอนที่มีพื้นผิวเรียบมีเส้นผ่านศูนย์กลางอย่างสม่ำเสมอ 30-100 nm และความยาวของพวกเขาไปถึงหลายร้อยคน micrometersX - ray Emission Spectroscopy photoelectron ( XPS )ผลการแสดงให้เห็นถึงอัตราปรมาณูที่ซิลิกอนของการมีประมาณ 1 : 2 การขยายตัวของการพึ่งพา nanowires บนเครือข่ายที่อยู่บน อุณหภูมิ และไฮโดรเจนจะมีประเด็นยัง กระบวนการไอ - ผสมน้ำยาทำความสะอาดแบบโซลิดสเตท( vls )ได้ถูกนำเสนอในกลไกการขยายตัวของ nanowires บนเครือข่ายได้นอกจากนั้นยังพบว่าการขยายตัวของกลไกการ SIO 2 nanowires โดยการเพิ่ม อุณหภูมิ สูงถึง 1200 ° C การเปลี่ยนแปลงไปยังไอ - โซลิดสเตท(เมื่อเทียบกับโน้ตบุ๊ก)กระบวนการตั้งแต่แบบต่อสายเข้ากับโครงสร้างสามารถได้โดยไม่มี Catalyst หรือ H 2 ก๊าซเข้ามาที่ระบบ.

การแปล กรุณารอสักครู่..

ภาษาอื่น ๆ

การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.