Infrared LEDsTechniques to make eff

Infrared LEDs
Techniques to make efficient p-n junctions with GaAs were rapidly developed during
the following years. GaAs was attractive because of its direct bandgap, enabling
recombination of electrons and holes without involvement of phonons. The bandgap is
1.4 eV corresponding to light in the infrared. In the summer of 1962, the observation of
light emission from p-n-junctions was reported [7]. A few months later, laser emission
in GaAs at liquid nitrogen temperature (77 K), was demonstrated independently and
almost simultaneously by three research groups at General Electric, IBM and the MIT
Fig. 1. Principle for light emission in a p-n junction. In a p-n junction biased with a forward voltage,
electrons are injected from the n- to the p-side, and holes are injected in the opposite direction.
Electrons recombine with holes and light is emitted (spontaneous emission). For efficient diodes it is
important that the semi-conductors have direct bandgaps. LEDs with indirect bandgaps require
phonon-assisted recombination, which limits the efficiency. The quantum efficiency of a LED is the
ratio of the number of emitted photons to the number of electrons passing through the contact in a
given time.
3
Lincoln Laboratory, in the U.S. [8-10]. It would be a few years, however, before laser
diodes became widely used. Thanks to the development of heterostructures (Nobel
Prize 2000 to Z.I. Alferov and H. Kroemer), and later quantum wells, allowing for a
better confinement of the carriers while reducing the losses, laser diodes could operate
continuously at room temperature, with applications in a large variety of areas.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไฟ Led อินฟราเรดเทคนิคการทำให้ลีเมอร์ p n ประสิทธิภาพกับ GaAs อย่างรวดเร็วได้รับการพัฒนาในช่วงปีต่อไปนี้ GaAs เป็นที่น่าสนใจ เพราะของ bandgap โดยตรง การเปิดใช้งานrecombination ของอิเล็กตรอนและหลุมโดยไม่มีส่วนร่วมของ phonons มี bandgap1.4 eV ที่สอดคล้องกับแสงอินฟราเรด ในฤดูร้อนของปี 1962 การสังเกตของปล่อยแสงจาก p-n-ลีเมอร์ถูกรายงาน [7] กี่เดือนต่อมา การปล่อยเลเซอร์ใน GaAs ที่ไนโตรเจนเหลวอุณหภูมิ (77 K), ถูกแสดงอย่างอิสระ และโดยกลุ่มวิจัยสามที่ ไฟฟ้าทั่วไป IBM และ MIT เกือบพร้อมกันรูปที่ 1 หลักสำหรับการปล่อยแสงในการเชื่อมต่อ p-n ในการเชื่อมต่อ p-n ลำเอียงกับแรงดันมีฉีดอิเล็กตรอนจาก n - p-ด้าน และมีฉีดหลุมในทิศทางตรงกันข้ามอิเล็กตรอนที่รวมเข้าด้วยกันกับหลุม และแสงปล่อยออกมา (ธรรมชาติปล่อย) ไดโอดที่มีประสิทธิภาพคือต้องมีตัวนำกึ่งโดยตรง bandgaps ใช้ Led กับอ้อม bandgapsช่วย phonon recombination ซึ่งประสิทธิภาพการ การควอนตัมของ LED คือการอัตราส่วนของจำนวนโฟตอนที่ปล่อยออกมากับจำนวนของอิเล็กตรอนที่ผ่านผู้ติดต่อในการเวลาที่กำหนด3ห้องลินคอล์น ในสหรัฐอเมริกา [8-10] มันจะเป็นกี่ปี อย่างไรก็ตาม ก่อนเลเซอร์ไดโอดใช้อย่างกว้างขวาง ด้วยการพัฒนาของ heterostructures (โนเบลเงินรางวัล 2000 Z.I. Alferov และ H. Kroemer), และใหม่กว่าควอนตัม เวลล์ ช่วยการเก็บกักดีสายการบินในขณะที่ลดการสูญเสีย ไดโอดเลเซอร์อาจมีอย่างต่อเนื่องที่อุณหภูมิห้อง พร้อมใช้งานในหลากหลายพื้นที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไฟ LED
อินฟราเรดเทคนิคเพื่อให้การแยกPN มีประสิทธิภาพด้วย GaAs
ได้รับการพัฒนาอย่างรวดเร็วในช่วงปีที่ผ่านมา GaAs เป็นที่น่าสนใจเพราะ bandgap
โดยตรงทำให้การรวมตัวกันอีกของอิเล็กตรอนและหลุมโดยไม่ต้องมีส่วนร่วมของโฟนันส์ bandgap เป็น
1.4 eV สอดคล้องกับแสงอินฟราเรด ในฤดูร้อนของปี 1962
การสังเกตของการปล่อยแสงจากทางแยกPN-มีรายงาน [7] ไม่กี่เดือนต่อมาการปล่อยเลเซอร์ใน GaAs ที่อุณหภูมิไนโตรเจนเหลว (77 K) ได้แสดงให้เห็นอย่างเป็นอิสระและเกือบจะพร้อมกันโดยทั้งสามกลุ่มวิจัยที่บริษัท General Electric, IBM และเอ็มไอทีรูป 1. หลักการสำหรับการปล่อยแสงในทางแยก PN ในทางแยก PN ลำเอียงกับแรงดันไปข้างหน้าอิเล็กตรอนจะฉีดจากละลายไปทางด้านพีและหลุมจะฉีดในทิศทางตรงกันข้าม. อิเล็กตรอนที่มีรู recombine และแสงถูกปล่อยออกมา (ธรรมชาติฉาย) สำหรับไดโอดที่มีประสิทธิภาพมันเป็นสิ่งสำคัญที่กึ่งตัวนำมี bandgaps โดยตรง ไฟ LED ที่มี bandgaps อ้อมต้องรวมตัวกันอีกphonon ช่วยที่ จำกัด อย่างมีประสิทธิภาพ ควอนตัมประสิทธิภาพของหลอดไฟ LED ที่เป็นอัตราส่วนของจำนวนโฟตอนที่ปล่อยออกไปยังหมายเลขของอิเล็กตรอนผ่านการติดต่อในที่เวลาที่กำหนด. 3 ห้องแล็บลินคอล์นในสหรัฐอเมริกา [8-10] มันจะไม่กี่ปีที่ผ่านมา แต่ก่อนที่เลเซอร์ไดโอดกลายเป็นใช้กันอย่างแพร่หลาย ขอบคุณที่การพัฒนาของ heterostructures (โนเบลได้รับรางวัล2000 ZI Alferov และเอช Kroemer) และหลุมควอนตัมในภายหลังเพื่อให้สามารถคุมขังที่ดีขึ้นของผู้ให้บริการในขณะที่ลดการสูญเสีย, เลเซอร์ไดโอดสามารถทำงานได้อย่างต่อเนื่องที่อุณหภูมิห้องกับการใช้งานใน ความหลากหลายของพื้นที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไฟ LED อินฟาเรดเทคนิคที่จะทำให้เขา p-n ที่มีประสิทธิภาพนี้มีการพัฒนาอย่างรวดเร็วในช่วงปีต่อไปนี้ นี้ก็น่าสนใจ เพราะ bandgap ของมันโดยตรง ช่วยการรวมตัวกันของอิเล็กตรอนและหลุมโดยไม่ต้องมีส่วนร่วมของโฟนอน . การ bandgap คือ1.4 EV ที่สอดคล้องกับแสงอินฟราเรด ในฤดูร้อนของปี 1962 , การสังเกตของแสงฉายจาก p-n-junctions รายงาน [ 7 ] ไม่กี่เดือนต่อมา การเลเซอร์ในนี้ ณอุณหภูมิของไนโตรเจนเหลว ( 77 ) ที่เป็นอิสระและ K )เกือบจะพร้อมกัน 3 กลุ่มงานวิจัยที่ไฟฟ้าทั่วไป , IBM และเอ็มไอทีรูปที่ 1 หลักการสำหรับการเปล่งแสงใน p-n Junction ใน p-n ชุมทางลำเอียงกับแรงดันไปข้างหน้าอิเล็กตรอนจะถูกฉีดจาก N ไป p-side และหลุมที่ถูกฉีดเข้าไปในทิศทางตรงกันข้ามอิเล็กตรอนแขกที่มีหลุมและแสงที่ปล่อยออกมา ( จากมลพิษ ) เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเป็นไดโอดสำคัญที่กึ่งตัวนำมี bandgaps โดยตรง ไฟ LED กับ bandgaps อ้อมต้องการPhonon ช่วย recombination ซึ่งจำกัดประสิทธิภาพ ควอนตัมประสิทธิภาพของ LED คืออัตราส่วนของจำนวนที่ปล่อยโฟตอนจำนวนอิเล็กตรอนผ่านการติดต่อในเวลาที่กำหนด3 .ห้องปฏิบัติการลินคอล์น ในสหรัฐอเมริกา [ 8-10 ] มันจะได้ไม่กี่ปี อย่างไรก็ตาม ก่อนที่ เลเซอร์เป็นไดโอดที่ใช้กันอย่างแพร่หลาย ต้องขอบคุณการพัฒนา heterostructures ( โนเบลรางวัลที่ 2 อิน alferov และ H . kroemer ) และต่อมาควอนตัมเวลล์ ให้สำหรับดีกว่าการกักบริเวณของผู้ให้บริการในขณะที่ลดขาดทุน ไดโอด เลเซอร์สามารถทํางานอย่างต่อเนื่องที่อุณหภูมิ ห้องที่มีการใช้งานในหลากหลายขนาดใหญ่ของพื้นที่