Stacks of 50 n-doped GaAs well wit

กองของ GaAs n doped 50 ดี Al0.3Ga0.7As อุปสรรคใช้กับช่วงผูกกึ่งใช้อคติการปฏิบัติต่ำซึ่งมีผลเฉพาะ% 1.4 QEใช้กัดกระจกเป็นครั้งคราวพิกเซลขนาด: 23 x 23 คัลไมโครมิเตอร์แบบสี่เหลี่ยมระบายความร้อนด้วยกับสเตอร์ลิงรอบปิดเย็นใช้ < 45Wอุณหภูมิทำงานสูงสุด 70 K

สแต็คของ 50 n เจือ GaAs ดีกับอุปสรรค Al0.3Ga0.7As
ใช้ที่ถูกผูกไว้ที่จะเปลี่ยนกึ่งผูกพันใช้อคติการดำเนินงานต่ำซึ่งส่งผลให้ในเวลาเพียง 1.4% QE แกะสลักกระจกที่ใช้เป็นระยะ ๆขนาดพิกเซล: 23x23 ตารางไมโครเมตรระบายความร้อนด้วยกับสเตอร์ลิงปิดวงจรคูลเลอร์ต้องการ: <45W อุณหภูมิใช้งานได้ถึง 70K

กอง 50 n-doped GaAs ด้วย al0.3ga0.7as อุปสรรค
ใช้ผูกผูกพันการใช้งานต่ำกึ่ง
อคติซึ่งเป็นผลเพียง 1.4% QE ใช้กระจกแกะสลัก

) ขนาดพิกเซล : 23x23 ตารางไมโครเมตร
เย็นกับปิดรอบเย็น

< 45w แท้ใช้งานอุณหภูมิถึง 70000